【摘 要】
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在比较低的砷压条件下生长的汽相外延GaAs高阻层中,发现了几种有兴趣的性质,比如:(ⅰ)大的正电阻率温度系数(PTCR),(ⅱ)大的光电导,和(ⅲ)电流控制的负阻,提出了可能的解释。
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在比较低的砷压条件下生长的汽相外延GaAs高阻层中,发现了几种有兴趣的性质,比如:(ⅰ)大的正电阻率温度系数(PTCR),(ⅱ)大的光电导,和(ⅲ)电流控制的负阻,提出了可能的解释。
Several interesting properties have been found in the vapor-phase epitaxial GaAs high-resistance layer grown under relatively low arsenic pressure, such as: (i) a large positive temperature coefficient of resistance (PTCR), (ii) a large optical And (iii) the negative resistance of the current control, a possible explanation is given.
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