同质外延相关论文
阐述4H-SiC同质外延生长过程中出现的三角形缺陷。基于三角形缺陷的成核原理，对外延层结构和生长参数进行改进，从而在4H-SiC衬底与外......
采用化学气相沉积法进行6英寸（1英寸=2.54 cm）厚层4H-SiC同质外延片的快速生长，通过对工艺中预刻蚀、碳硅比（C/Si）和温度等关键参数优化......
本文研究了在反应气体中引入不同浓度的CO2对微波等离子体化学气相沉积（MPCVD）法同质外延生长单晶金刚石内应力的影响，并对其作用机理......
GaN半导体为直接带隙半导体材料,且具备禁带宽度宽、击穿电压大和饱和电子漂移速度高等特性,非常适用于半导体发光器件和高频大功......
“十四五”规划提名集成电路,重点攻关碳化硅、氮化镓等宽禁带半导体。相比于Si和Ga As,碳化硅（SiC）材料同时具有宽的禁带（3～3.3e V）、......
金刚石具有最宽的禁带宽度、高载流子迁移率、最高的热导率、良好的化学惰性和优异的抗辐射性能.因此金刚石器件极具应用潜力,但合......
本文基于自主设计的氮化铝生长炉，开展了四组不同工艺条件下Al极性面氮化铝籽晶同质外延生长氮化铝单晶的生长特征及其结晶质量表征......
SrTiO3是一个理想的介电材料,介电常数高,可以在门电压的调控下实现对电荷密度的调节。例如对于拓扑绝缘体材料,借助于SrTiO3介电......
ZnO基半导体材料因优异的光电性能在高效率短波长光电器件领域具有广阔的应用前景.目前的器件大多外延在Al2O3或Si等异质衬底上.Al......
本文主要探索InAs衬底,在异质外延之前,衬底脱氧之后,InAs/InAs同质外延的生长、不同淬火关闭砷阀条件对InAs表面形貌的影响以及如......
硅同质外延在纯硅器件制备以及硅基异质结构材料生长中都有重要应用。发现生长温度对Si外延膜的表面形貌影响很大，因此深入理解其生......
采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)方法,在GaN自支撑衬底上同质外延生长了GaN薄膜,得到高质量的GaN外延薄膜。X射线衍射(XRD)结果显......
会议
采用低压化学气相淀积(LPCVD)方法，在偏向晶向8°N型4H-SiC(0001)Si面衬底上水平热壁反应室进行同质外延生长。SEM扫描发现晶片并没......
在硅面(0001)方向偏8°4H-SiC衬底上生长外延层，生长温度为1580℃，压力为100mbar，采用气垫旋转技术的低压水平热壁反应系统(LP-HW-CVD......
借助专业长晶模拟软件FEMAG和自主开发的对流、传质、过饱和度及生长速率预测等有限元模块研究了物理气相传输法（PVT）同质外延生长氮......
宽禁带半导体具备禁带宽度大、电子饱和飘移速度高、击穿场强大等优势,是制备高功率密度、高频率、低损耗电子器件的理想材料。碳......
用热灯丝ＣＶＤ方法在Ｃ－ＢＮ单晶衬底上制备出金刚石膜，并且在Ｃ－ＢＮ（１００）面上观察到金刚石的异质外延。
Diamond films were prepared on a C-BN single c......
本文叙述了用CCD系统对MBE生长中RHEED图案强度变化进行实时监测，通过（00）级条纹的RHEED强度分析，直接给出了不同生长条件下表面相变的......
最近,在 N_2压力为20kbar 下,从液 Ga 溶液中生长了高质量的、透明、无色、5mm GaN 晶片。本文阐述了这些晶体的结构及电学和光学......
激光分子束外延（LaserMBE）集PLD方法的制膜特点和传统MBE的超高真空精确控制原子尺度外延生长的原位实时监控为一体，不仅可以生长通常......
GaN生长仍无完美衬底。蓝宝石和GaN上的异质外延生长不存在高位错密度的问题,限制着器件性能和寿命。异质外延生长要求晶格常数和......
同质MOVPE生长的极高光学质量的GaN显示出束缚激子光致发光峰值线宽仅为95︼eV,这几乎比报道的MOVPE生长的异质外延GaN(蓝宝石上横向......
用微波等离子体化学气相沉积方法合成高品质同质外延金刚石膜， 并且用扫描电镜和阴 极荧光分析法评价。为了得到高薄膜生长速率， 把......
本实用新型提供了一种钛酸锶钡薄膜材料的制备方法,其过程是:将醋酸钡、醋酸锶、钛酸丁脂、醋酸和乙酰丙酮以一定的摩尔比相混合,......
许多在紫外和可见光波长发光的器件使用Ⅱ-Ⅵ和Ⅲ-Ⅴ族二元材料。介电材料的带隙越大，发射光的波长就越短。数据存储需要更短的波长......
为了获得高质量 4 H- Si C外延材料 ,研制出一套水平式低压热壁 CVD(L P- HWCVD)生长系统 ,在偏晶向的4 H- Si C Si(0 0 0 1)晶面......
采用自行设计的水平冷壁低压化学气相沉积(LPCVD)方法在偏向〈1120〉晶向8°的n型4H SiC(0001)衬底上进行了同质外延生长.在5 3×1......
用原子力显微镜研究了在不同的条件下采用固态磷源分子束外延技术生长的InP同质外延薄膜的表面形貌。在样品的表面观察到不稳定三......
用化学气相淀积(CVD)法,在6H-SiC衬底上同质外延生长SiC层,继而外延生长了Si1-yCy合金薄膜,用XRD、扫描电子显微镜、电化学腐蚀测......
利用反射式高能电子衍射(RHEED)实时监控对InAs衬底进行两步完全脱氧的过程,对比了有低(高)砷等效束流压强保护下采用两步法对InAs......
在射频集成电路设计中,片上螺旋电感应用非常广泛。对于GaN器件,由于其单晶制备困难,无法进行同质外延,选用SiC作为GaN器件衬底是......
GaN是第三代半导体材料,具有较高的禁带宽度,较高的电子饱和速度以及良好的稳定性,在光电器件以及电子器件领域都有很大的优势。Ga......
GaN材料因其宽禁带、高击穿场强、高电子饱和速度、耐高温、抗辐照等特性,并且可通过极化效应形成二维电子气(2DEG),基于GaN异质结......
选用国产毫米级人造单晶金刚石,用微波增强的化学气相沉积方法,在氢气、丙酮体系中,实现了单晶金刚石的气相外延生长。通过扫描电......
本文以＜１００＞和＜１１１＞两种取向的金刚石为衬底，用微波ＰＣＶＤ法进行了同质外延实验，考察了衬底取向、反应气体、碳源浓度等因素对外延层形貌与结构的影响......
通过提高金刚石薄膜与硬质合金基底间的粘结力，可提高涂层工具的使用寿命。实验结果表明，在预植入金刚石微粉的硬质合金表面沉积金刚......
碳化硅（SiC）作为一种化学性能稳定的宽带隙半导体,是高温、抗辐射电子器件和短波长光电子器件的优选材料,倍受各国重视。在SiC常见多......
本文使用金刚石磨料作为晶种颗粒,通过热丝化学气相法生长出单晶金刚石颗粒,并且建立三维的有限元模型,利用有限元仿真分析了生长......
采用电化学方法在磁控溅射方法生长的ZnO薄膜上生长垂直于衬底排列的ZnO纳米柱。ZnO薄膜的作用主要是为ZnO纳米柱的生长提供同质外......
利用化学气相淀积(CVD)的方法在AlN/Si(111)复合衬底上成功实现了4H-SiC薄膜的异质外延生长,用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SE......
介绍了ＳｉＣ材料的生长及器件制备技术，分析了目前ＳｉＣ器件及集成电路等方面的研究现状，并讨论了存在的各种问题．
The growth of SiC material......
