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通过近红外和红外透过谱表征,确定出掺铟后碲锰镉晶体透过率迅速下降,这是晶格吸收和自由载流子吸收共同作用的结果;而光致发光谱......
人们进行交际不外乎是为了表达感情、传递信息,正所谓“传情达意”。而传情达意的方式可以是正面直接地表达,也可以是曲折隐晦地表......
报道了利用As4 作为掺杂源获得原位As掺杂MBEHgCdTe材料的研究结果.利用高温退火技术激活As使其占据Te位形成受主.对原位As掺杂MBE......
本文根据Szent-Gyrgyi理论,用扩展的Hückel分子轨道法(EHMO),研究了甲硒醇与作为肽键原型的N-甲基乙酰胺相互作用时的电子受主......
报道了掺杂在GaAs体材料中和δ掺杂在一系列GaAs/AlAs多量子阱中的Be受主带间跃迁的光致发光.实验所用样品,GaAs体材料中均匀掺杂B......
基于密度泛函理论,利用局域密度近似的第一性原理平面波赝势方法,对掺K以及含有氢填隙(Hi)、氧空位(VO)、锌填隙(Zni)和锌空位(VZn......
ZnO是一种性能优异的“低温蓝光工程”宽带隙Ⅱ-Ⅵ族半导体材料,但因本征施主缺陷和施主杂质引起的自补偿效应等使ZnO很难有效地实......
采用远红外时间分辨光谱,研究了量子限制效应对δ掺杂在GaAs/AlAs多量子阱中铍(Be)受主态寿命的影响.在低温下的远红外吸收谱中,清......
采用碳受主和硅施主共掺杂的方法制备低电阻率p型氮化铝晶体.通过第一性原理计算预测碳硅共掺氮化铝的p型掺杂效率及碳硅合适掺杂......
据美国矿务局统计,1980年我国对美国出口钨金属量900余吨(其中绝大部分是钨精矿),约占美国总钨消费量(9165吨)的10%,并占美国净进......
采用溶胶-凝胶法制备了铜铁矿结构CuxAlO2陶瓷体材.当1≤x...
一九五一年一月人民教育出版社出版的高級中學中國历史下册一四六頁关於南宋的土地有這樣一段:‘北宋官田極少,南宋所有官田,宁宗......
由于尺寸缩小引起的量子效应,硒(Se)材料的低维纳米结构具有更高的光响应和低的阈值激射等特性,因此成为纳米电子与纳米光电子器件......
Ba_xSr_(1-x)TiO_3(BST)薄膜具备高的介电可调特性(介电常数在外加电场的作用下会发生改变)和低的介电损耗,这使得BST薄膜成为高速......
栓剂的生物利用度,受赋形剂的影响,也受主药的物理状态的影响。经过筛选,克霉唑栓以亲水性基质释放为好,聚乙二醇是最好的基质,但......
使用对Zn2N3:Mn薄膜热氧化的方法成功制备了高含N量的Mn和N共掺ZnO的稀磁半导体薄膜.在没有N离子共掺的情况下,ZnO:Mn薄膜的铁磁性......
受主产地中国气候条件的影响,全球留兰香油的供应遭到了限制,因此其价格在今年未来的日子里将呈现上涨的趋势。中国留兰香油(60%)......
引言在以前的论文中,已经讨论过AgBr晶体在吸收了具有足够生成自由电子—空穴对能量的光子后,继而发生潜影形成基元步骤的顺序问......
应用光学、电学、质谱和谐振技术,发现非掺杂的体GaAs样品中锰和铁的本底浓度为(?)10~(15)cm~(-3),当加热时进行再分布,于近表面区......
金属饱和Hg_(0.8)Cd_(0.4)Te的(p-n)值和P_(H(?))值可用一简单的非简并半导体模型来适配,这种半导体包含有双离子化的固有施主和受......
已测定在Hg_(1-x)Cd_xTe中所选用的一些杂质的掺杂特性。主要着重的是IB和ⅢA族的元素,预计在金属亚晶格上取代。以及ⅤA和ⅦA族元......
使用 Ga/As Cl_3H_2系统,以 CrO_2Cl_2作掺杂剂生长半绝缘掺铬GaAs 外延层,电阻率的数量级可达10~8欧姆·厘米。这表明铬起着深能......
文中叙述了在不同的氧气露点条件下获碍不同的实验结果。对实验结果从石英-石墨-水的反应中作了分析,并从六个化学反应方程式中可......
本文提出一种形成硅—氧对的模型来解释在硅、SiO_2、以及氧存在下生长的砷化镓中的各种反常现象。假设在镓格点上的硅原子与间隙......
引言在资料所报道的多数研究工作中,将锌或镉受主扩散入n型衬底,是InSb形成pn结的最常用方法。近期研究表明,以反向电流小作主要......
本文对不同条件下扩铜HB、SI-LEC体GaAs和VPE、LPE-GaAs样品与铜相关的光致发光谱(1.36 eVPL带,束缚激子Co(1.5026eV)和F_0(1.483......
在比通常低压MOCVD更低的工作压力下重复得到了高纯度CaAs外延层。在17乇生长的外延层中得到了77K下10500cm~2/VS的高迁移率。低......
叙述了一种在硅表面涂敷受主或施主杂质后用染料激光脉冲辐照制得掺杂簿层的技术.对掺杂薄层的物理特性进行了分析,探讨了掺杂过程......
对零禁带附近Hg_(1-x)Cd_xTe材料的物理性质,近来有了比较多的研究。因为这些材料将出现半导体、半金属相变,同时,当禁带趋于零时......
本文说明用 SEM和V-I特性法研究 1.3μm InGaAsP/InP DH激光器中掺杂对 PN结位置及 PN结性质的影响.认为用 Zn作P型掺杂剂的 InGaA......
在没有表面腐蚀的Zn气氛下,以碘作为输运气体,将Al蒸汽扩散到ZnTe内,得到了高电阻率(300°K时为10~(11)～10~(12)Ωcm)层。用这种方......
采用红外吸收法测定熔体生长掺硅的GaAs单晶的补偿比。实验结果表明:当2×10~17...
本文介绍半绝缘GaAs的补偿模型,讨论国内外的近期实验结果,进而指出:采用液封直接合成工艺,欲用石英坩埚生长未掺杂半绝缘GaAs晶体......
本交简述制备压缩型 CdS 多晶光导管的方法.在 Rose 的光电导普遍理论的基础上,对以氯和铜作为杂质的 CdS 光敏电阻的敏化机构作了......
本文叙述了化合物材料特性研究不断深入对提高材料和器件质量的重要性,简单介绍了研究化合物材料中杂质和缺陷的主要方法及其进展......
本文通过类胡罗卜素(Car)、叶绿素A(chla)之间的敏化荧光研究,估算了能量供、受主之间的传递效率,讨论了能量受主浓度对传递效率......
本文介绍用可选支的连续CO_2激光器在低于禁带宽度的谱线范围内研究100K的Hg_(0.785)Cd_(0.215)Te线性与非线性吸收光谱,由受主能......
近年来,研究各种杂质对碲镉汞单晶电物理性能的影响的兴趣日增。尤其在进行研究过程中已经表明,为了获得电导性,可适当地利用铟或......
本文研究了 LPE GaAs 生长条件对外延层补偿度的影响。根据实验结果,指出衬底表面受热缺砷是形成 Si_(As)受主的原因。
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本文分析了(Ba-Pb)TiO_3系半导瓷材料中载流子浓度与铅含量之间的关系,针对这类高含铅的PTC材料中载流子浓度小的特点,重点讨论了......
