MOSFET器件相关论文
现代半导体工艺技术的不断提升极大地推动了集成电路的发展，对器件的性能需求也越来越高。工艺水平的提升，带动了器件从微米级向纳米......
半分析法应用于提取金属-氧化物半导体场效应晶体管小信号模型的参数,直接提取法应用于测试结构的焊盘电容和寄生电感的参数提取.......
LDD(Low-Density Drain)结构首次提出是在1978年,该结构最早多应用在MOSFET器件上,用来提升器件的击穿电压。伴随着第三代半导体Ga......
对于复杂装备系统,由于系统内用电设备较多,而这些用电设备都依赖同一条母线供电,任何一个用电设备出现故障短路时都会使供电母线......
本文以一款P型功率MOSFET器件为例,利用半导体软件对实际工艺流程进行模拟仿真,为实际工艺优化提供数据参考,可有效缩短器件的开发......
BSIMPD模型中复杂的体电流成分，导致器件模型参数不容易准确提取。提出并实现了一种有明确物理意义的方法，来分离体电流组分及提......
主要介绍了纳米MOSFET器件微波射频建模和参数提取技术的最新研究进展。建模技术主要包括小信号等效电路模型和噪声模型，参数提......
基于自主开发的SOI高低压兼容工艺，研究了低压NMOS和PMOS器件的ESD特性，分析了器件发生击穿和骤回的物理机制。结合理论分析和流......
随超大规模集成电路的发展,栅氧化层的质量在器件和电路的可靠性方面起非常重要的作用.应力诱导漏电流(SILC)已经成为评价栅氧化层......
衬底非均匀掺杂器件因为其良好的短沟效应而成为ＭＯＳＦＥＴ器件结构设计中的必要结构之一。而沟道杂质分布对开启电压的影响至关重要。该文针......
器件模型是联系集成电路设计和生产的纽带。随着CMOS工艺的发展，MOS器件尺寸不断缩小，集成电路设计对器件模型的要求也越来越高。几......
在过去的半世纪中，集成电路产业经历了高速的发展。如今MOSFET的特征尺寸已经缩小到50纳米以下。短沟效应、强场效应、量子效应、各......
本论文针对MOSFET逻辑集成电路技术和闪存技术发展所面临的问题和挑战，从器件单元结构出发，以提高器件性能和集成密度、降低电压和功......
在电力电子系统中，功率器件一直扮演着极其重要的角色，既要有较高的击穿电压，又要有较低的通态压降，而以应用最为广泛的MOSFET为例，两者......
由于硅材料的禁带宽度较窄,导致其在阻断电压、能耗、工作温度和开关频率等方面已难以满足新一代功率系统的要求,成为了电力电子系......
学位
针对0.13 μm工艺常规MOSFET器件的制备流程进行了分析,提出了低功耗工艺改善方法,并针对优化工艺条件下的器件进行TCAD仿真,设计......
本文基于BSIM标准研究了现代深亚微米级MOSFET器件的建模和特征提取方法 ,着重在于短沟道效应方面 ,其中测试样品由MicronTM公司提......
高压金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)技术在过去几年中经历了很大的变化,这为电源工程师提供了许多选择.了解不同MOSFET器件......
MOS器件的自加热效应将影响器件的性能.漏极电流将减小,长时间的可靠性也会受到影响.在SOI器件中,自加热甚至比埋葬式氧化物引起的......
MOSFET作为一个时代的产物,随着技术领域的发展与进步,特别是针对大电流、小封装以及低功耗的MODFET器件的出现,已经得以广泛的运......
在分析应变Si/应变Sil-YGeY/驰豫Sil-XGeX pMOSFET的在栅极电压作用下电荷在栅氧化层下面的分布情况的基础上,通过求解泊松方程,得......
本文基于BSIM标准研究了现代深亚微米级MOSFET器件的建模和特征提取方法,着重在于短沟道效应方面,其中测试样品由MicronTM公司提供......
推动高能效创新的安森美半导体(ON Semiconductor),近日发布一系列新的碳化硅(SiC)MOSFET器件,适用于功率密度、能效和可靠性攸关......
采用1mm×1．5min×0．4mm WL—CSP封装的单-P沟道MOSFET器件FDZ391P，能满足便携应用对外型薄、电能和热效率高的需求。FDZ391P......
近日在2013应用电力电子会议暨展览会（APEC）中宣布推出DrBlade：全球第一款采用创新芯片嵌入式封装技术的集成式器件，它集成了DC／DC驱动......
飞兆半导体公司为隔离式DC-DC应用设计人员提供一款新型100V MOSFET器件FDMS86101，具有低达50％的RDS（ON）和出色的品质因数（figure of me......
推动高能效创新的安森美半导体(ON Semiconductor,美国纳斯达克上市代号:ON),发布一系列新的碳化硅(SiC)MOSFET器件,适用于功率密......
安世半导体,分立器件和MOSFET器件及模拟和逻辑集成电路器件领域的生产专家,近日宣布推出有史以来最低RDS(on)的功率MOSFET。近日......
飞兆半导体公司推出最小尺寸的互补对称MOSFET解决方案，为微型“点”功率应用和负载点(POL)DC／DC开关转换器设计提供高于1A的持续电......
前言 CooIMOS CS系列“超级结”MOSFET器件高压设备的成功是基于1998年英飞凌公司推出的CooIMOS技术。这些器件的优越性能实现了区......
为了帮助便携产品设计人员应对减小设计空间和提高效率的挑战，飞兆半导体开发出MOSFET器件FDMB2307NZ。FDMB2307NZ专门针对锂离子电......
飞兆半导体公司（Fairchild Semiconductor）开发出N沟道Power Trench MOSFET器件FDMS86500L，该器件经专门设计以最大限度地减小传导损......
本文基于BSIM标准研究了现代深亚微米级MOSFET器件的建模和特征提取方法,着重在于短沟道效应方面,其中测试样品由MicronTM公司提供......
随着半导体微细加工技术的发展,预计硅SOC的集成度可达万亿个晶体管,单个晶体管的尺寸将达到10 nm范围内.因此从理论上研究纳米尺......
飞兆半导体公司（Fairchild）推出业界封装最小的P沟道MOSFET器件FDZ191P，可为各种低压（〈20V）便携式电子产品提供功率转换、充电和负载管......
安森美半导体（ON Semiconductor）推出两款新的MOSFET器件，用于智能手机及平板电脑应用，作为锂离子电池充电／放电保护电路开关的关键组成......
High-k材料是指介电常数k高于Si02的材料.使用high-k材料做栅绝缘层,是减小MOS器件栅绝缘层直接隧道击穿(Direct Tunneling,DT)电......
