传导损耗相关论文
Vishay推出28颗新的600V和650VFRED Pt Gen Ultrafast快恢复二极管，这些器件适用于电源模块、电机模块、UPS、太阳能逆变器、焊机逆......
基于经典微扰理论,以平行板开路型介质谐振器为研究对象,阐述介质谐振器与材料介电参数的内在联系,利用计算机控制网络分析仪进行......
全球功率半导体和管理方案领导厂商国际整流器公司（International Rectifier，简称IR）近日推出针对感应加热、不间断电源（UPS）太阳能和焊......
国际整流器公司（International Rectifier，简称IR）推出一系列新型25V及30VN通道沟道HEXFET功率MOSFETo它们针对同步降压转换器和电池......
同步降压型转换器是当今稳压器中最为常见的拓扑结构.与普通的降压型转换器相比,同步设计通过采用一个用做同步整流器的MOSFET来替......
Qspeed 600V H系列PFC二极管不仅拥有更低的反向恢复电荷（QRR），而且在传统的硅二极管中实现了极高的转换效率。Qspeed 600V H系列的3A......
SiHP18N50C（TO-220）、SiHF18N50C（TO220FULLPAK）和SiHG20N50C具有500V的额定电压，在10V栅极驱动下的最大导通电阻为0．27Ω。低导通电阻意......
IRF6718在新款大罐式DirectFET封装中融入了IR新一代硅技术，可提供极低的通态电阻（在10V Vgs时典型值为0．5m（2），同时kgD2PAK的占位面积缩......
高功率和高频率感应加热（IH）家用电器需要更低的传导损耗和卓越的开关性能，以便在IH电饭煲、台式电磁炉和基于逆变器的微波炉等应用中......
着重研究典型的含功率因数校正电路的整流模块所采用的各种AC—DA电压变换方式，这些变换方式采用不同的隔离式DC—DC变换电路，通过计......
前言在过去二十多年里,家庭和办公电子设备的数量与种类迅速增长.电子设备的复杂度和性能也在不断提升.增强的功能要求这些设备即......
飞兆半导体开发出新的低导通阻抗600V SuperFET MOSFET器件系列，专为满足最新的超纤小型镇流器应用的DPAK（TO-252）器件需求而设计。飞......
DC—DC电源、马达控制、热插拔和负载开关应用，以及服务器的次级同步整流应用的设计人员，需要使用具有更低传导损耗和开关损耗的MOSF......
双向IGBT模块是实现高频矩阵变换器极为有效的方法。略不同于硬开关PWM变换器，矩阵变换器中的开关和传导损耗取决于所选的调制策略......
飞兆半导体公司（Fairchild Semiconductor）开发出新的低导通阻抗600V SuperFET MOSFET器件系列，专为满足最新的超纤小型镇流器应用的D......
对于有效的消除回声参数，R和T都必须接近于0。术语称之为反声衰减（ER）和传导损耗（TL）。......
意法半导体推出其新系列功率“MOSFET的首款产品STD11NM60N。新产品通态电阻极低，动态特性和雪崩特性优异，可降低照明应用的传导损耗......
近日，赛米控为现有SEMITOP IGBT产品线推出一种新的拓扑结构，用于三电平逆变器。该结构将IGBT技术与较低的开关和传导损耗相结合，与两......
回 回 产卜爹仇贱回——回 日E回。”。回祖 一回“。回干 肉果幻中 N_。NH lP7-ewwe--一”＄ MN。W;- __._——————》 砧叫]们......
大功率IGBT模块损耗的确定是三相PWM变流器设计的一个关键参数。文中对两种类型转换器的功率半导体损耗进行了完整的分析计算。所......
