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安世半导体,分立器件和MOSFET器件及模拟和逻辑集成电路器件领域的生产专家,近日宣布推出有史以来最低RDS(on)的功率MOSFET。近日推出的PSMNR 51-25YLH已经是业内公认的低压、低RDS(on)的领先器件,它树立了25 V、0.57mΩ的新标准。该市场领先的性能利用安世半导体独特的NextPowerS3技术实现,并不影响最大漏极电流(ID(max))、安全工作区(SOA)或栅极电荷QG等其他重要参数。