低温生长相关论文
碳纤维增强聚合物基复合材料的破坏往往是由碳纤维与基体之间的弱界面导致的,构筑出色的界面能确保应力在纤维和基体之间连续有效......
GaN基半导体材料在紫外/蓝光/绿光发光二极管、激光器、探测器,以及高频高温大功率电子器件等方面有着重要而广泛的应用.目前,高质......
利用金属有机化学气相沉积技术在蓝宝石衬底上,通过低温生长实现了立方结构、吸收边在255nm的Mg0.52Zn0.48O合金薄膜,并采用传统湿......
本文利用超高真空化学气相沉积法(UHVCVD)在Si衬底上生长了具有低温SiGe层的SiGe/Si异质结构(低温SiGe异质结构,LT-SiGe),对此结构......
会议
柔性聚酰亚胺CIGS 薄膜电池具有高质功比,适合卷卷沉积规模化生产的优势,但在由于衬底材料限制,只能采用不高于490℃ 的低温三步法......
本文用拉曼散射实验对低温生长的AlGaAs/GaAs多量子阱光折变材料的特征,缺陷及其内在的相互关系进行了分析和讨论.......
通过在O2气氛下高温后退火,将采用螺旋波等离子体辅助射频磁控溅射技术在蓝宝石衬底上低温生长的n型N-Al共掺ZnO薄膜转化为p型导电......
ZnO是一种Ⅱ-V族宽禁带化合物半导体材料，在光电、压电、铁电、铁磁等诸多领域具有优异的性能。特别是，施主掺杂的ZnO是一种典型的透......
TiO2因其优异的光催化活性、良好的化学稳定性和热稳定性以及安全无毒等特点,一直以来都是光催化领域研究的热点。然而单一TiO2存......
在550℃用原子层外延生长了 GaN 单晶薄膜。在低温下生长的薄膜室温光致发光特性由带边发射所控制,其强度与在1000℃通过金属有机......
利用低温生长技术抑制Ｓｂ偏析，实现了Ｓｂ的δ掺杂。同步辐射Ｘ射线反射率测量表明Ｓｂ被限制在很窄的范围，约２个原子面内。基于量子阱可作为一个“......
本文对低温生长的垂直场ＭＱＷｓ光折变器件电吸收瞬态特性进行了研究，在分析垂直场ＭＱＷｓ器件结构后，我们认为电光层并不单独由多量子阱层构成，而是......
使用除氢、高温成核和低温生长的三段式快速热处理方法，将常规方法制备的氢化非晶硅（ａ－ＳｉＨ）薄膜晶化成纳米硅（ｎｃ－Ｓｉ）薄膜．该薄膜在波长为４５７．９ｎｍ的Ａｒ＋激光的激......
本文利用自行研制的一台超高真空化学气相沉积（ＵＨＶ／ＣＶＤ）系统，在７８０℃下进行了硅低温外延，取得了表面平整、缺陷密度低、界面质量良好、界面杂质分......
利用ＬＰ－ＭＯＣＶＤ在ＺｎＯ／Ａｌ２Ｏ３衬底上生长了ＧａＮ。实验发现低温生长ＧａＮ过渡层有利于晶体质量的提高；样品ＰＬ谱主峰红移到蓝光区，这对于研制蓝色ＬＥＤ具有一定的启发意义
Ga......
本文报道利用直流反应磁控溅射技术在 Ａｌ２ Ｏ３ 上生长一层 Ｚｎ Ｏ，再用 Ｌ Ｐ Ｍ Ｏ Ｃ Ｖ Ｄ 在 Ｚｎ Ｏ／ Ａｌ２ Ｏ３ 衬底上生长 Ｇａ Ｎ．实验发现低温生长 Ｃａ Ｎ 过渡层有利于......
本文报道用微波等离子体沉积／原子氢处理交互进行方法低温制备多晶硅（ｐｏｌｙ－Ｓｉ）薄膜及其结构特征和光电特性．Ｘ光衍射（ＸＲＤ）、透射电镜（ＴＥＭ）、光吸收、光电导......
采用同步辐射XRD极图法对低温MOCVD生长的GaN缓冲层薄膜进行了研究.极图研究表明,低温GaN 薄膜中除有正常结晶外还存在一次孪晶和......
随着Ge重要性的提高,需要寻找比GeH4更适用的前驱物。本文对用于应变Si和化合物半导体集成电路的两种新型Ge前驱物的品质特性进行......
生长温度对SiGe合金的性能有重要影响.在双腔超高真空化学气相淀积生长中,通常采用液氮冷却的方法.该生长模式下,通入乙硅烷时腔内......
采用二乙基锌(DEZn)和水( H2O)作为生长源,利用金属有机化学气相沉积( MOCVD)的方法,在100 ～400℃低温范围内,在GaAs (001)衬底上制......
近年来,Ga N基发光二极管(LED)的发展异常迅速,以玻璃为衬底的LED具有成本低、可大面积化生产等优点而引起了国内外许多科研机构的......
采用金属Ga升华法在石墨烯/蓝宝石衬底上生长了高质量GaN纳米线,研究了不同的生长条件,如NH_3流量、反应时间、催化剂和缓冲层等对......
在917℃的温度下,我们利用氧化锌和石墨作为混合物源,通过无催化气—固生长,获得了超长的氧化锌纳米线。氧化锌纳米线长度超过......
本文利用极低温-强磁场扫描隧道显微镜及隧道谱学技术,研究了以Si(111)7×7重构表面为衬底,180K低温生长的Pb、Bi二元合金薄膜......
多不饱和脂肪酸(polyunsaturated fatty acids,PUFAs)是指含有两个或两个以上双键且碳链长18-22个碳原子的直链脂肪酸,可以分为n-6......
柔性器件因其便携性、形状可变性、人体适用性等诸多优点,已成为国际前沿课题之一。研发柔性器件的关键在于柔性衬底的选择和pn结......
Ⅲ-Ⅴ族的氮化物（GaN、AlN、InN）作为复合型的纤锌矿结构,能够形成相连接续的合金系统(InxGa1-x-x N和AlxGa1-x-x N),因此通过对其合......
硅和锗是被大家所熟知的一种半导体材料,是目前主导整个微电子工业的基石材料。锗硅合金在光电、探测、热电、高速器件等半导体器......
在550℃下,通过Au-Ag合金助催热蒸发氧化亚锡,制备了25nm的SnO2纳米线.测试了SnO2纳米线的室温光致发光谱,其四个发光峰中,418nm的......
将Mg(C11H19O2)2(即双(2,2,6,6,-四甲基-3,5-庚二酮酸)镁)作为反应前驱体,用脉冲液滴注入式金属有机物化学气相沉积法,在较低温度(......
采用X-射线衍射(包括小角度衍射方法)研究了低温气相生长金刚石薄膜和单晶硅衬底之间的界面过度层。发现在较高温度下(700℃)过渡......
应用微波等离子体辅助的化学气相沉积(MPCVD)工艺成功地实现了金刚石薄膜在700-790℃范围内的低温沉积.发现氧在CH_4-H_2系统中的......
提出了热丝化学气相淀积法，在低温（６００－７５０℃）下成功地生长出硅上单晶碳化硅薄膜，Ｘ光衍射谱、喇曼光谱证实了外延膜的单晶结构，光致发光测量证明......
采用磁过滤真空溅射离子沉积技术，研究了不同衬底负偏压下制备的样品的吸收光谱和光能隙，用632．8nm的椭圆偏振仪测量了膜的厚度和折射......
用热丝化学气相沉积方法研究了低温(~550℃)和低反应气压(~7 Torr)下硅片上金刚石膜的成核和生长.成核过程中采用2.5%的CH4浓度,在......
利用等离子体增强化学气相沉积技术,在高氢稀释条件下,研究不同激发频率对纳米晶硅薄膜生长特性的影响.剖面透射电子显微镜(TEM)分......
低温下用MBE方法生长了Ge/Si超晶格,X射线反射及横向散射研究表明,Ge亚层上下表面的粗糙度呈反对称,下表面大的粗糙度来源于Ge向Si......
采用电场辅助电化学沉积的方法在阳极氧化铝模板中沉积出ZnO纳米线阵列.透射电子显微镜和X射线衍射测试结果表明,制备的纳米线是单......
为了提高生防菌株wswshg-10低温生长速度和抑菌活性,采用常压室温等离子体诱变技术(ARTP)对其进行诱变选育。结果表明,最佳照射时......
在大气压力和500℃低温下,生长了优质MOCVD外延层。在600℃以下,生长速率受AsH_3热分解减少的限制。测量了Se高掺杂GaAs层的霍尔......
