GaN薄膜相关论文
二氧化钒（VO2）具有独特的可逆半导体-金属相变特性（SMT）,在68℃的临界温度下,从低温单斜晶相（P21/c）的半导体态变化到高温四方晶相（P42/mn......
采用一种简单、绿色、低成本的等离子增强化学气相沉积（PECVD）法,在950℃下成功制备了高结晶质量的GaN薄膜.为了提高GaN薄膜结晶质量......
GaN薄膜的应用范围广泛,MOCVD是生长GaN薄膜的重要技术,研究GaN薄膜的生长机制对于提高薄膜质量具有重要意义.本研究运用分子动力......
自支撑金刚石厚膜兼金刚石最高的弹性刚度系数以及最高声速等优异性能，是SAW滤波器合理的基片材料，避免了其它基片散热差的问题。......
采用MOCVD生长方法,对比在AlN层上加入δAl/AlN缓冲层和不加入δAl/AlN缓冲层两种生长结构,在Si(111)衬底上生长GaN.试验结果表明,......
本文针对Si衬底生长GaN特有的形貌采用SEM、EDS、AFM等手段进行了分析,研究了采用AlN作为缓冲层生长的GaN的生长模式、缺陷形成机......
采用CVD方法,以金属镓和氨气为原料,在Si(111)衬底上成功制备了GaN薄膜.采用X射线衍射仪(XRD)、场发射扫描电镜(FESEM)、原子力显......
g-LiAlO2与GaN的晶格失配很小,易于分离,在其(100)面上能生长出无极性的GaN,是一种很有希望的GaN衬底材料。结合g-LiAlO2的基本性......
通过研究蓝宝石衬底分子束外延(MBE)生长GaN薄膜过程中原位椭偏光谱,发现常规蓝宝石衬底MBE生长GaN薄膜的位错缺陷主要起源于缓冲......
氮化镓(GaN)作为一种代表性的宽禁带半导体材料，因其优异的光电性能和稳定性，十分适合制备光电子器件和微波射频器件，在照明与显示、5......
利用MOCVD在国产SiC衬底上外延高质量的GaN薄膜.随着SIN缓冲层厚度的增加.GaN或核岛的尺寸减小;当AIN缓冲层是20nm时,GaN的表面原......
生长率，表面形态学和水晶的质量上的反应堆压力的效果轧了金属在蓝宝石上种的电影器官的化学蒸汽免职被学习。结果作为压力从 2500 ......
GaN PIN betavoltaic nuclear batteries are demonstrated in this work.GaN epitaxial layers were grown on 2-inch sapphire s......
用电子回旋共振微波等离子体辅助金属有机化学气相沉积（ＥＣＲ－ＰＡＭＯＣＶＤ）法，在低温条件下，在（００１）ＧａＡｓ衬底上异质外延，生长了立方晶ＧａＮ薄膜．高分辩电镜（ＨＲＥＭ）观测与Ｘ射线衍射......
本文报道采用简便的真空反应法在Ｓｉ（１１１）衬底上生长出了六方结构的ＧａＮ单晶薄膜，并对ＧａＮ薄膜的表面形貌、结晶学性质和光学特性作了研究．ＳＥＭ表明外延层......
采用化学方法腐蚀部分c-面蓝宝石衬底,在腐蚀区域形成一定的图案,利用LP-MOCVD在此经过表面处理的蓝宝石衬底上外延生长GaN薄膜。......
采用电子回旋共振等离子体增强金属有机物化学气相沉积(ECR-PEMOCVD)方法,在镀铝玻璃衬底上沉积了GaN薄膜。RHEED和XRD分析显示,适......
利用有限元分析软件ANSYS对蓝宝石基GaN薄膜的应力进行了模拟分析,并通过理论计算验证了其合理性。模拟出了蓝宝石基GaN薄膜应力的......
在蓝宝石(Al2O3)衬底上应用脉冲激光沉积技术(PLD)生长不同厚度的AlN缓冲层后进行GaN薄膜外延生长。采用高分辨X射线衍射仪(HRXRD)......
脉冲激光沉积(PLD)技术凭借其低温生长优势,逐步在GaN薄膜外延领域得到广泛应用。回顾了近年来PLD技术外延生长GaN薄膜的研究进展,......
在Si(111)衬底上采用金属有机化合物化学气相沉积(MOCVD)技术外延生长GaN薄膜,对外延生长所得GaN薄膜的晶体结构和表面形貌进行表......
采用电子回旋共振等离子体增强金属有机物化学气相沉积系统(ECR-PEMOCVD)在自持金刚石厚膜上沉积制备了氮化镓(GaN)薄膜材料.其中......
近年来,类石墨烯层状二维(2D)材料二硫化钼(MoS_2)由于具有良好的光电性质和机械性能引起了人们的广泛关注,有望成为开发下一代微......
采用电子回旋共振等离子体增强金属有机物化学汽相沉积技术在石墨衬底上低温沉积制备出高质量GaN薄膜,采用三甲基镓(TMGa)和氮气(N......
介绍了采用ＭＯＣＶＤ或ＨＶＰＥ技术高质量异质外延生长ＧａＮ薄膜的发展状况。分析和比较了以不同材料为衬底或过渡层生长ＧａＮ的工艺过程和薄膜质量，对生长动力......
GaN是一种宽禁带半导体材料,非常适合于制作从蓝光到近紫外波段的光电器件,它也是Ⅱ-V族含氮化合物中研究得最充分的材料,近年来在......
采用金属有机物化学气相沉积法(MOCVD)在硅(Si)衬底制备铝/氮化铝/氮化镓(Al/AlN/GaN)多层薄膜,使用光学显微镜(OM)、原子力显微镜......
我们采用普通的化学气相沉积(CVD)技术,在高温管式炉中分别以金属镓和氨气为镓源和氮源在衬底硅纳米孔柱阵列(简称Si-NPA)表面沉积......
使用高分辨X射线衍射(HRXRD)的测量,研究了室温下5.3MeVKr离子辐照的InGaN/GaN 异质结。Kr离子的辐照剂量范围为1011～1013cm-2。实......
建立了高阻GaN薄膜材料的电学性质测量装置。开展了高阻GaN薄膜材料的欧姆接触制作与检测技术的研究工作。进行了高阻GaN薄膜材料......
近年来,LED逐渐被市场和业界认可,很多领域都已经将利用LED照明取代传统光源照明列入例行计划之中。由于 LED自身的亮度高,使用寿......
作为继Ge、Si和GaAs、InP之后的第三代半导体材料，GaN基材料的研究与应用是目前全球半导体研究的前沿和热点，尤其是在电子学和短波光......
该文围绕InGaN量子点的MOCVD生长及及性质展开了大量的研究.首先,用SiH作为抗表面活化剂减小GaN薄膜的表面能,从而使InGaN在其表面......
发光显示器件采用磁控溅射掺稀土GaN薄膜具有明显的优越性，磁控溅射的制备方法具有成本低，大面积，容易工业化等特点。因此，为了实现采......
宽禁带Ⅲ-Ⅴ族氮化物半导体材料在短波长发光器件、短波长激光器、光探测器以及高温、高频和大功率电子器件等方面有着广泛的应用......
宽禁带半导体GaN及其合金材料在短波长发光器件、短波长激光器以及高温、大功率、高频电子器件等方面有着广泛的应用前景。由于GaN......
近年来，尽管GaN基光电子材料和器件得到迅猛发展，但对材料本身的研究还很不充分，GaN基材料生长和性能研究方面还需做大量工作，仍存在一......
近年来，GaN以其优异的光电性质而被广泛应用于短波长光电器件、全色发光显示器、光探测器、高电子迁移率晶体管和大功率电子器件。......
Ⅲ-V族氮化物GaN因其具有宽禁带半导体材料的典型优点而在光电器件、光探测器、新颖高性能微电子器件等领域得到广泛的应用,成为目......
第三代宽禁带半导体材料具有击穿场强大、热导率高、载流子迁移率高、抗辐射能力强等特性，在发光二极管(LED)、激光二极管(LD)等光......
本文在经过预处理的蓝宝石衬底上,利用金属有机化学气相沉积(MOCVD)无掩模横向外延生长GaN薄膜。并与同样生长条件下,在未经腐蚀预......
