薄膜性能相关论文
为开发新型食品包装材料，以结冷胶为成膜基质，以甘油、丙二醇及聚乙二醇400为增塑剂，采用流延法来制备生物可降解包装薄膜，研究膜的微......
近年来,铟铝镓氮(InAlGaN)四元合金因其晶格常数和带隙可以独立调节而备受青睐,而生长温度对InAlGaN薄膜质量和性能有很大的影响.......
硒化后高温退火的工艺适合制备高效率的CIGS电池，而且当退火温度增加到580℃时薄膜的结晶性和Ga元素的纵向分布显著改善，这可能是因......
高功率脉冲磁控溅射(HPPMS)制备的TiN 薄膜性能优异、应用广泛,但存在沉积速率低[1],残余应力高[2]两个问题.为了解决这两个问题,......
课题组自主研发了一套蒸汽输运沉积系统，并用其制备出了CdTe多晶薄膜。研究了气压、衬底温度、气氛等关键制备参数对CdTe薄膜性质及......
以铁磁—顺磁的相变为例，用Landau相变理论分析三维各向异性。薄膜样品存在垂直于膜面方向的单向各向异性的情况，自由能的幂级数展开......
利用振动毛细管流变仪，采用不同的振动频率、振幅及配方得到共混物的DsC曲线，研究了电磁振动对高密度聚乙烯／超高分子量聚乙烯(HDPE／UH......
采用低温直流反应磁控溅射法在80℃玻璃衬底上制备ZnO:Al(ZAO)薄膜,对制备的薄膜进行不同温度的真空退火处理。采用XRD,SEM,四探针......
采用直流反应磁控溅射法,以锌铝(Zn-2wt[％]Al)合金为溅射靶材、玻璃片为基底,在40℃低温条件下,通过改变溅射气体中的氧分压制备了......
采用中频交流磁控溅射方法在镀Mo玻璃衬镀上沉积铜铟(CI)预测薄膜,然后在硒气氛下硒化形成CIS薄膜.对薄膜的成分、结构、形貌及电......
在制备硫化镉薄膜的过程中,为了减少CBD法中胶体颗粒,我们改进了CBD法的装置,使用了超声搅拌.制备了硫化镉薄膜,并对它进行了退火......
a-Si:H薄膜在加装了一圈环状热丝的WMECR-CVD系统中,通过等离子体分解SiH进行生长.与生长时无热丝辅助相比,在热丝辅助下高速生长......
本文研究了不同络合剂对化学水浴法制备太阳能电池用ZnS薄膜性能的影响.研究指出,在相同的浓度下以EDTA为络合剂时,由于其对锌离子......
非晶a-SiC:H薄膜具有良好的摩擦学性能,尤其具有高硬度.这类膜的性质主要取决于制备条件.本文报道了类石墨型a-C:H中含有少量硅时,......
利用直流反应磁控溅射技术在玻璃上制备了高透过率和低电阻率的ZnO:Ga薄膜,研究了溅射压强对ZnO:Ga透明导电薄膜电学性能的影响,并......
利用旋涂技术制备了银纳米线(AgNW)薄膜,对该AgNW 薄膜进行了溶剂蒸发退火处理。研究了所制备的AgNW薄膜的方块电阻、光学透光率、......
该文采用物理汽相沉积(PVD)的方法,在浮法玻璃上沉积多层金属氧化物低辐射薄膜.通过正交实验法对AlO系、SiO系和TiO系多层膜进行优......
三菱化学收购了中井工业(日本京都),一个薄膜涂层制造商。此次金融交易的细节尚未披露。该公司表示,中井拥有干膜和湿膜涂层技术,......
美国O＇Sullivan薄膜公司采用Teknor Apex公司的Medalist MD-500弹性体生产出一种压延薄膜，该薄膜性能优于PVC产品，......
本文介绍了硝酸盐水溶液的化学液相喷涂法制备超导薄膜的工艺过程,对工艺参数的选择进行了研究。得到了T_c=84.8K的超导薄膜,X-射......
采用喷涂法在玻璃、陶瓷和不锈钢等基片上制备了具有光催化活性的α-Fe2O3薄膜,并以亚甲基蓝作为模拟有机污染物评价其光催化活性......
采用正硅酸四乙酯为前驱体,氨水为催化剂,在溶胶过程中添加聚乙二醇(PEG),调控溶胶结构,获得具有不同性能的多孔SiO_2凝胶薄膜。研......
用分子束外延方法在ＧａＡｓ上生长ＩｎＳｂ薄膜。方法是先在温度３８０℃生长ＩｎＳｂ有源层。然后低温（３００℃）生长一层约０．０３μｍ厚的ＩｎＳｂ缓冲层。Ｓｂ＿４与Ｉｎ的束流等效压强比为４：１时，可获得......
塑基柔性衬底ＩＴＯ透明导电膜的研究李淑英，马瑾，马洪磊，叶丽娜１引言ＩＴＯ透明导电膜是一种重要的光电材料，优良的光电特性使其在太阳能电池、液晶......
真空溅射镀膜设备中加热装置在镀膜时常出现打火现象，本文采用金属屏蔽和外壳接地的方法很好地解决了这一问题。
Vacuum sputterin......
采用离子束辅助沉积方法在Ａｌ２Ｏ３陶瓷衬底上制备了ＴｉＯ２Ｎｂ２Ｏ５氧敏薄膜。考察了薄膜组分比及退火温度对薄膜氧敏特性和结构的影响。电阻氧分压特......
波导隔离球用Ce：YIG磁光薄膜可由溅射外延或溅射波积后热处理结晶化两种方法制各．探讨了制备过程中不同工艺条件对薄膜结晶性能及磁......
采用高温烧结和真空蒸发制备了ＣｄＴｅ光敏薄膜，探讨了制备工艺对ＣｄＴｅ薄膜性能和结构的影响，说明了在基片温度为１３０℃左右下制备的ＣｄＴｅ薄膜具有明显的光......
ＣｄＴｅ薄膜半导体电极通过电沉积法制备。电沉积溶液组成对ＣｄＴｅ薄膜组成和性能有较大影响，通过在电镀液中添加某些稀土离子，结合ＸＲＤ、ＴＥＭ、ＸＰＳ和光电Ｉ－Ｖ特性......
利用平面磁控反应溅射在具有透明导电膜的玻璃基片上沉积氧化钨膜层。Ｘ射线衍射分析结果表明，基片在室温状态下得到的膜呈非晶态。以......
用高ＴＣＧｄＢａ２Ｃｕ３Ｏ７－δ薄膜研制了面微桥型２×４阵列式Ｂｏｌｏｍｅｔｅｒ芯片。实验发现，当减少高ＴＣＧｄＢａ２Ｃｕ３Ｏ７－δ薄膜的厚度时，这种芯片上的微桥呈现出与双晶晶界型微桥异常相似的Ⅰ－Ⅴ......
采用溶胶包裹再凝胶工艺制备了Ｃ－２ＣＨ复合型ＰＴＣＲ薄膜。实验表明，这种材料的ＰＴＣ效应是由２ＣＨ的相变体膨胀引起的，Ｃ的粒径大小对复合薄膜ＰＴＣ特性有十分显著的......
以钛酸丁酯和无水乙醇分别为原料和溶剂，添加适量稳定剂制成稳定溶胶，用浸涂法在Ａｌ２Ｏ３ 基片上制备ＴｉＯ２ 薄膜，经１０００℃Ｈ２ 气氛下还原制得ＴｉＯ２－ ｘ薄膜．最后在氯......
与玻璃基透明导电膜相比，聚合物基透明导电膜耐折，耐摩擦，成本也较低，可广泛使用。本文概述了聚合物基透明导电膜的种类，特点，制备，及其在......
报道了溶胶－凝胶工艺制备的ＫＤＰ晶体保护膜、增透膜和它们的性能。多孔二氧化硅增透膜峰值透射率大于９９％，膜层折射率约１．２３。对１．０６μｍ，脉宽约１ｎｓ的激光，单......
本文综述了近年来国外电镀及化学镀磁记录介质薄膜的最新研究进展、电镀及化学镀镀液组成、工艺条件及其对薄膜性能的影响、存在问......
以普通钠钙硅玻璃为基板,以Ti[O(CH2)3CH3]4和CeCl3.7H2O作为前驱物,在合适的Ce/Ti摩尔比例下,采用溶胶-凝胶法和提拉工艺制备CeO2......
利用多弧离子镀技术,在4Cr13不锈钢表面制备CrN薄膜,并掺杂不同含量的Mo原子,制备CrMoN复合薄膜。用XRD、附着力划痕仪、显微硬度......
在本文的第一部分中介绍了随着真空造型法的采用而进行研究的成果,首先是关于薄膜性能、型砂的正确选择、铸型的强度、金属液的浇......
采用金属有机化学气相沉积方法,在Si(100)衬底上生长出具有高度C轴择优取向的ZnO薄膜.通过X射线衍射、原子力显微镜和室温光致发光......
采用常压金属有机化学气相沉积技术在Al2O3(0001)衬底上生长出高质量的ZnO薄膜.用X射线双晶衍射ω和θ-2θ扫描、室温光致发光研究......
