ALGAAS相关论文
量子通信作为一个新的研究领域,将信息论和量子论相结合,形成了依靠量子纠缠效应来传输信息的新通讯方式。半导体量子点在量子通信......
Pure zinc blende structure GaAs/AlGaAs axial heterostructure nanowires (NWs) are grown by metal organic chemical vapor d......
随着半导体纳米技术的发展，人们对于高度集成化光电器件的潜在需求不断增大，具备优越物理、化学性质的III-V族化合物半导体纳米线开......
用金属有机物化学气相沉积法(MOCVD)生长了GaAs/AlGaAs量子阱材料,分别制备了300μm×300μm台面,峰值波长8.5μm,外电极压焊点面......
对ＳｉＯ２薄膜在快速热退火条件下引起的空位诱导ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ应变量子阱无序和ＳｒＦ２薄膜抑制其量子阱无序的方法进行了实验研究。并将这两种技术的结合（称为......
优化设计了既能实现较小垂直方向远场发散角，又能降低腔面光功率密度的ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ应变层量子阱激光器，并计算了该结构激光器实现基横模工作的脊......
研究了生长温度和中断时间对AlGaInAs/AlGaAs量子阱外延质量的影响,并使用金属有机化合物汽相沉积(MOCVD)外延生长了AlGaInAs/AlGa......
Vertical InAs/GaAs nanowire (NW) heterostructures with a straight InAs segment have been successfully fabricated on Si (......
在808nm GaAs/AlGaAs激光二极管列阵的前后腔面两端约25mm长的区域进行氦离子注入,使p型GaAs获得高的电阻率,形成腔面电流非注入区......
Internal loss is a key internal parameter for high power 1060-nm In Ga As/Al Ga As semiconductor laser.In this paper,we ......
Al Ga As材料是一种典型的Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体,因其Al组分可调、与Ga As晶格失配小、载流子迁移率高,被认为是最重要的光电子和电......
利用GaAs(51(?))/Al_(0.36)Ga_(0.64)As(200(?))多量子阱结构实现了黑体辐射的探测,探测器的峰值波长为7μm,77K温度下D~*达到1.09......
Optical simulations of GaAs/AlGaAs thin-film waveguides were performed for investigating the dependence of the modal beh......
详细研究了凸形、凹形与条形台面的AlGaAs湿氮氧化规律.对三种形状的台面分别进行氧化长度的观察测试,发现凸形、条形及凹形台面的......
研究了在GaAs(001)衬底上外延生长GaAs、AlGaAs材料过程中反射高能电子衍射(RHEED)的各级条纹及其强度随生长过程的变化.通过对各......
基于高温扩散理论,研究了不同温度下Al在GaAs中的扩散情况。利用扫描电子显微镜（SEM）对Al在GaAs中的浓度分布和Al与GaAs的界面进行了......
基于高温扩散理论,研究了不同温度下Al在GaAs中的扩散情况。利用扫描电子显微镜（SEM）对Al在GaAs中的浓度分布和Al与GaAs的界面进行了......
文中针对AlGaAs湿法氧化后器件热稳定性变差，导致性能下降的问题进行了研究。对不同氧化条件下样品的热稳定性进行了比较，证明采用降......
由电子波干涉的观点出发，理论分析指出：多量子阱结构势垒以上的电子存在一些分立的弱干涉非定域态.通过红外光激发，量子阱中基态电子......
用CCI4作为掺杂剂．进行了掺碳AlGaAs层的LP-MOCVD生长．并对其掺杂特性进行了研究．分析了各生长参数对掺杂的影响；研制了碳掺杂AlGaAs限......
本文介绍了倒易点及其倒易点二维图的概念、倒易点形状及其倒易点二维图同晶格形变的关系,推导了热应力作用下双层膜发生弯曲的理......
采用一维计算模型对窄条型自脉冲激光器的结构进行了全面的模拟设计.数值计算模型基于有效折射率法和窄条型结构的自维持脉冲机理,......
利用透射式GaAs光电阴极AlGaAs/GaAs外延层的结构特点及其X射线衍射摇摆曲线分析方法,解释了AlGaAs/GaAs外延层摇摆曲线半峰宽和其......
利用透射式GaAs光电阴极AlGaAs/GaAs外延层的结构特点及其X射线衍射摇摆曲线分析方法,解释了AlGaAs/GaAs外延层摇摆曲线半峰宽和其......
本文介绍了AlGaAs/GaAs外延层生长的应变状况的生长温度控制模型,并根据AlGaAs/GaAs外延层X射线衍射摇摆曲线的分析从实验上验证了......
研究了AlGaAs窗层中Al组份的X射线衍射分析原理和计算方法,并给出了实例....
研究了AlGaAs窗层中Al组份的X射线衍射分析原理和计算方法,并给出了实例....
本文介绍了应变和弛豫的概念以及倒易点在倒易空间的分布,阐明了GaAs光电阴极AlGaAs窗层和GaAs光电发射层界面应变状况的X射线衍射......
根据制备垂直腔面发射激光器(VCSEL)电流限制层的需要,通过实验方法研究了氧化温度、Al组分和晶向等条件对AlGaAs氧化速率的影响,......
AlAs/AlGaAs湿法氧化技术是制备氧化物限制型VCSELs工艺中极为重要的一步,形成的氧化孔会直接影响到器件的各个特性参数,故有必要......
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研究了Si在AlxGa1-xAs（0≤z≤1）中的掺杂行为．为比较Al组份对Si掺杂浓度的影响，在用气态源分子束外延生长（GSMBE）掺Sin型AlxGa1-xAs（0≤x......
采用单能带电子有效质量近似（EMA）和波包函数近似（EFA）模型,考虑了能带非抛物线性等高阶因素,并利用投试法求解薛定谔方程,计算了准确......
近年来,有机薄膜场效应晶体管成为人们研究的热点。本论文利用真空生长系统和自行制备的水平汽相生长系统生长出质量较好的并五苯......
化学和生物分析物的快速检测在很多应用中都具有重要意义,其中包括生产中的质量控制、疾病的检测和预防、生物分子的识别、环境监......
介绍利用界面固定负电荷在MIP-Alx(Ga1-x-As中产生的感应势,并用于提高Al1-xGaxAs/GaAs太阳电池光电转换效率的构想.提出了分段计......
通过对分子束外延（ＭＢＥ）中影响ＧａＡｓ、ＡｌＧａＡｓ材料生长的一些关键因素的分析、实验与研究，得到了具有很好晶格完整性和高质量电学、光学特性的ＧａＡｓ、ＡｌＧａＡｓ单晶材......
我们利用分子束外延方法研制了ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ缓交折射率分别限制（ＧＲＩＮ－ＳＣＨ）单量子阱和双量子阱激光器．对腔长为６００μｍ的端面不镀膜的宽接触条型Ｆ－Ｐ腔激光器，阈值电流......
本论文的研究工作是围绕国家重点基础研究发展计划(973计划)“新型光电子器件中的异质兼容集成与功能微结构体系基础研究”(项目编......
应用金属有机化合物气相淀积（MOCVD）制备了具有渐变层的半导体布拉格反射镜（DBR），分别是抛物线性、线性和突变结构的DBR。三种反射镜结......
