栅绝缘层相关论文
非晶铟镓锌氧薄膜晶体管(a-IGZO TFT)因具有制备温度低、载流子迁移率较高等优点而非常适合于制作柔性TFT背板,进而驱动柔性显示器件......
采用刻蚀阻挡层结构制备了5.5英寸铟镓锌氧化物半导体显示屏,该显示屏具有1920X1 080的高分辨率(400ppi).栅绝缘层采用SiOx/SiON/Si......
本论文探讨了不同铟镓锌氧化物半导体(IGZO)界面对氧化物半导体电特性的影响,并对其中界面较好有好的电特性的器件进行了信赖性测......
会议
采用衬底同步加热磁控溅射的高介电BST材料作为栅绝缘层,研制了BST/AlGaN/GaN MIS结构HEMT器件。通过对器件直流和高频特性的测试,......
GaN基增强型高速开关器件是提升X波段微系统集成放大器工作效率的核心器件。介绍了凹槽栅结构、F-注入等制作GaN基增强型器件的关......
本文讨论了基于柔性PI垫底上的底栅结构TFT器件工艺,TFT器件是基于氧化物IGZO为有源层,栅绝缘层采用SiNx/SiOx双层结构,通过工艺改......
以真空蒸镀有机半导体材料并五苯为有源层,SiO2 作为绝缘层,不同的栅绝缘层修饰材料:聚甲基丙烯酸甲脂(PMMA),聚苯乙烯(PS),聚......
本文介绍了一种新型的以MOCVD原位生长的InmSi3N4为帽层的AlGaN/GaN HEMT。通过与普通的没有Si3N4帽层器件的对比,分析了原位SiN4......
有机薄膜晶体管(Organic Thin-Film Transistor,OTFT)在柔性电子、低成本制造、大面积显示等领域的潜在应用价值,受到了广泛的关注和重......
交联的栅绝缘层在有机场效应晶体管器件的制备中是重要的,柔性半导体器件要求栅绝缘层的交联能在较低温度下进行.本文使用热活......
本论文的工作以有机薄膜晶体管器件为主要研究对象。在对二种栅绝缘层的有机薄膜晶体管的研究基础上,提出了有机/无机双介电层有机......
采用磁控溅射方法,在聚酰亚胺薄膜上室温制备了非晶铟镓锌氧(a-IGZO)柔性薄膜晶体管(TFT).其中,栅绝缘层选择了不同厚度比例的氧化......
介绍了a-Si:HTFT开关器件的有源层、栅绝缘层、欧接触层以及界面特性的研究工作。研制了a-Si:HTFT单管器件,其开关电流达到6个数量级,为最终研制a-Si:HTFTAMLCD在奠定了......
采用生物材料(蛋清)作为栅绝缘层制备了基于C60为有源层的有机场效应晶体管。器件展现出了合理的电学特性,场效应迁移率和阈值电压......
采用溶液制备法制备了用PVA作为绝缘层、P3HT作为有源层的有机场效应晶体管,研究了不同浓度PVA栅绝缘层对器件性能的影响.实验结果......
制备了具有修饰层的有机薄膜场效应晶体管,采用高掺杂Si作为栅极,传统的无机绝缘材料SiO2作为栅绝缘层,有机绝缘材料PMMA或OTS作为修......
非晶铟镓锌氧薄膜晶体管(a-IGZO TFT)因具备较高的载流子迁移率、可低温制备、可实现透明和柔性显示等优点而被认为是下一代平板显......
近年来,随着社会和科技的进步,平板显示逐渐成为人们生活中不可替代的一部分,TFT作为平板显示技术驱动面板的核心器件,具备了巨大......
研究了a-SiN:H的退火行为及其作为栅介质使用时,退火对a-Si:HTFT工作特性和可靠性的影响.实验事实表明,在380℃以下的退火处理使a-SiN:H介电常数的变化呈单调上升......
近年来,有机薄膜场效应晶体管成为人们研究的热点。本论文利用真空生长系统和自行制备的水平汽相生长系统生长出质量较好的并五苯......
氮化硅薄膜具有优良的光电性能、机械性能以及强的阻挡杂质粒子扩散和水汽渗透等优点,在光电子学和微电子学领域中有着越来越广泛......
以NH3和siH4为反应源气体,采用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)法在多晶硅(p-Si)衬底上沉积了一系列SiN薄膜,并利用椭圆偏振测厚......
介绍了 a Si∶ H T F T 开关器件的有源层、栅绝缘层、欧姆接触层以及界面特性的研究工作。研制了 a Si∶ H T F T 单管器件, 其开关电流比......
期刊
影响有机薄膜晶体管(organic thin-film transistor,OTFT)器件性能的主要因素中,栅绝缘层表面形貌特性和薄膜厚度等有着非常关键的......
非晶氢化氮化硅(a-SiNx:H,简称氮化硅)薄膜具有优良的物理性能和光电性能,在微电子学、光电子学及太阳能电池等领域有广泛的应用,特别是......
近年来有机场效应晶体管(OFETs)因其具有成本低廉、适于低温加工制备、成膜工艺简单、适宜于柔性衬底兼容和大面积、大尺寸制造等明......
栅绝缘层的表面性质对有机场效应晶体管(OFETs)的半导体薄膜的形貌、晶粒生长的有序性和载流子的传输有着重大的影响.研究表明,通......