场效应迁移率相关论文
共轭聚合物薄膜晶体管得益于其丰富的材料来源、低温低成本工艺、兼容柔性基底、溶液法大面积制备等特点,在学术和商用领域飞速发......
在平板显示领域中,薄膜晶体管（Thin Film Transistor,TFT）作为像素的基本单元起着非常重要的作用。其中,氧化物基TFT因为其具有高迁......
碳纳米管因其各方面优异的性能,已被应用到多个领域。例如单壁碳纳米管具有高的载流子迁移率、较长的平均自由程而被广泛用到集成......
联噻吩和/或并噻吩是OFET材料的重要结构单元.我们通过选择性的活化芘环的不同位点,成功合成了一系列硫桥芘-苯并噻吩(PTAs)并对它......
采用磁控溅射方法在玻璃衬底上生长了In2O3晶体薄膜.该薄膜具有(111)晶面择优取向,晶粒尺寸达到33nm.利用光刻工艺制作了以In2O3晶......
为了保证在低温加工及溶液制备的情况下,能够提升高度区域规则的聚(3-己基噻吩)(RR-P3HT)有机场效应晶体管(OFET)的器件性能,本文......
以重掺杂Si片作为衬底,SiO2/聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)为双栅绝缘层,C60为有源层,制备了不同修饰层的有机场效应晶体管(OFETs);研究......
采用不同厚度的聚甲基丙烯酸甲酯（PMMA）作为栅绝缘层，制备了并五苯有机场效应晶体管（OFET）。测量了不同厚度的PMMA的介电特性，并详细分析......
场效应迁移率和开关比是评估有机场效应晶体管最重要的两个参数。我们在OTS修饰的SiO2绝缘层上制备了Ph5T2有机单晶器件，在小的......
红荧烯作为一种典型的P-型有机半导体材料，保持着场效应迁移率40cm2/V.s的最高纪录.目前红荧烯薄膜最广泛的制备方法为物理气相......
制作了底栅极顶接触有机薄膜晶体管器件,60 nm的pentacene被用作有源层,120 nm热生长的SiO2作为栅极绝缘层.通过采用不同自组装修......
透明非晶氧化物半导体薄膜晶体管(TAOS-TFT)由于具有场效应迁移率高、均匀性好、对可见光区透明、可低温制备以及环境稳定性良......
随着信息时代的到来,显示器件、电子纸正加速向平板化、节能化的方向发展,其中以薄膜晶体管为开关元件的有源阵列驱动显示器件成为......
以铟镓锌氧化物(IGZO)为有源层的薄膜晶体管由于其具有高的场效应迁移率、高的可见光透过率、大面积均匀性及与柔性衬底的兼容性而......
增强型GaN基高电子迁移率晶体管（HEMT）在下一代高效率高压功率器件的非常有广阔的应用前景。但是传统的AlGaN/GaN异质结很难形成增强......
以并苯类小分子和噻吩类齐聚物为代表的有机小分子高迁移率半导体材料的蒸镀型OTFT器件性能已经达到非晶硅器件的水平，相比之下溶液......
针对传统AlGaN/GaN常关型型器件中高阈值电压和高迁移率之间的制约关系，拟采用一种新型器件结构即薄势垒层结构及p型氧化镍栅电极，实......
有机发光器件OLED(Organic Light-emitting Device)由于其优异的发光性能,被普遍认为在平板显示方面有着广泛的应用前景,是下一代......
针对界面态密度在禁带中的不均匀分布,分析了界面态电荷对n沟6H碳化硅MOSFET场效应迁移率的影响.分析结果显示,界面态电荷使n沟碳......
研究了不同厚度有源层的顶电极CuPc-OTFT器件的电学特性。发现器件的性能与有源层厚度有依赖关系，其中，有源层厚度为20nm的器件性能......
基于溶液法制备稠合噻吩-吡咯并吡咯二酮聚合物薄膜晶体管，比较不同制备环境下的薄膜晶体管的转移特征曲线。结果表明，旋涂环境对聚......
为了研究SiC/SiO2界面粗糙度对SiC MOS器件构道迁移率的影响,在离子注入后高温退火过程中采用碳膜保护SiC表面以减小退火过程中产......
有机场效应晶体管（Organic field effect transistor,OFET）的非线性特性是指其输出特性曲线在较低的漏极电压下出现类似于二极管的电......
氮离子注入提高4H-SiC MOSFET的沟道迁移率来自两方面的原因:一是减小了界面态密度,另一个是反掺杂。本文详细研究了这两方面的原......
利用全蒸镀法，以并五苯作为有源层，聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)作为绝缘层，制备了全有机薄膜场效应晶体管(TFT)，测试结果表明，器件具有较低......
制备了具有修饰层的有机薄膜场效应晶体管，采用高掺杂Si作为栅极，传统的无机绝缘材料SiO2作为栅绝缘层，有机绝缘材料PMMA或OTS作为修......
采用溶胶凝胶法制备了h-k氧化铪HfO2薄膜,经500℃退火后,获得了高透过率、表面光滑、低漏电流和相对高介电常数的HfO2薄膜.并采用......
采用射频磁控溅射法制备了氧化锌基薄膜晶体管（ZnO-TFTS），研究了氩氧分压比对ZnO薄膜生长以及ZnO-TFT电学特性的影响。结果表明：氩氧分......
研究制备了包含双层绝缘栅的聚合物薄膜场效应晶体管(PTFT),采用介电常数比较高的Ta2O5和介电常数较低的聚丙烯腈(PAN)作为双层绝......
在制造4H-SiC MOSFETs过程中,超过1 500℃的高温退火用来激活被注入的离子。经常在4H-SiC表面会涂上一层碳膜来进行保护,以此期待4......
研制了4H-SiC热氧化生长氧化层埋沟nMOSFET，用室温下N离子注入的方法形成埋沟区和源漏区，然后在1600℃进行激活退火，离子注入所得到的......
合成了以（E）-[4,4’-biimidazolylidene]-5,5’（1H,1’H）-dione（BID）为受体单元,并噻吩和联噻吩为给体单元的四种共轭聚合物（P1-P4）,通过核......
利用射频磁控溅射技术室温制备了铟镓锌氧（IGZO）薄膜,采用X射线衍射（XRD）表征薄膜的晶体结构,原子力显微镜（AFM）观察其表面形貌,分光光度......
作者制作了底部门非结晶的硅薄电影晶体管(a-Si TFT ) 用五步的平版印刷术过程的数组。设备显示出 0.43 cm2/ 的地效果活动性(V 吗......
双栅非晶InGaZnO薄膜晶体管（DG a-IGZO TFTs）具有比单栅a-IGZO TFTs更优良的电学性能.文中基于a-IGZO/SiO_2界面缺陷态呈指数型分布......
台湾大学电气工程系报道了他们制作的a-Si∶H TFT,其场效应迁移率高达3～5cm~2/V·s;在阈值附近,电压仅变化0.28～0.5V,电流即变化一......
采用旋涂法制备硅烷偶联剂-氧化石墨烯（KH550-GO）新型复合栅介质薄膜,由于栅介质层和沟道层界面处明显的双电层效应,单位面积电容高......
有机薄膜晶体管(OTFTs)具有制备成本低、可大面积生产、柔性等优点,有望成为有机电子学和平板显示技术的核心器件。为了深入研究有......
共轭高分子具有机械性能好,热稳定性高,可溶性好,液相成膜简单,制备成本低,适合于制备大面积柔性器件等优点,高分子有机场效应晶体......
绝缘层的表面形貌、厚度等因素对有机薄膜晶体管起着非常关键的作用,直接影响到有源层材料在其上的分子排布方式和器件性能。所以......
我们提出利用有机小分子空穴注入材料m-MTDATA来改善金与并五苯表面层之间的空穴注入特性。有机空穴注入材料m-MTDATA具有较低的电......
自从1986年第一个聚噻吩有机薄膜晶体管问世以来，有机薄膜晶体管凭借其有源层取材广泛、成本低、制备工艺简单等优点逐渐成为国内外......
有机场效应晶体管(OFET)是未来电子产品向着更轻更薄方向发展的基础。相比于传统无机半导体器件,OFET的输出特性曲线具有很明显的......
近年来,氧化物薄膜晶体管因其场效应迁移率高、透光性好、易于大面积制备等优点而引起广泛的关注。然而,由于传统栅介质材料介电常......
