埋沟相关硕士博士期刊学术论文

底层基于 strained-SiGe 技术在埋葬的隧道 pMOSFET 的阀值电压上做的效果被学习。由身体上导出阀值电压的模型，相反地首先发生的层......

期刊

研制了4H-SiC热氧化生长氧化层埋沟nMOSFET，用室温下N离子注入的方法形成埋沟区和源漏区，然后在1600℃进行激活退火，离子注入所得到的......

期刊

SiC材料由于具有大的禁带宽度,高的电子饱和速度,高的临界击穿电场以及高的热导率等性能,在高温,抗辐照,高功率等工作条件下具有明......

学位

4H-SiC MESFET 埋栅埋沟表面陷阱

碳化硅材料有着包括禁带宽、击穿电场大、电子饱和漂移速度快等等物理性质方面的优势,这决定了碳化硅材料在高温、高频、高辐射等......

学位

碳化硅埋沟 MOSFET 击穿电压

SiC材料具有宽禁带、高临界击穿电场、高热导率、高载流子饱和漂移速度等优良特性,这些特性决定了它在高温、大功率、高频和抗辐照......

学位

SiC 埋沟 MOSFET 截止频率

SiC MOS器件由于受SiO2／SiC界面处高浓度的界面陷进的影响使得反型层的电子迁移率很低，最终导致器件的跨导较低，4H-SiC材料更为明显。......

学位

SiC 埋沟 MOSFET 迁移率 MEDICI