【摘 要】
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采用磁控溅射方法,在聚酰亚胺薄膜上室温制备了非晶铟镓锌氧(a-IGZO)柔性薄膜晶体管(TFT).其中,栅绝缘层选择了不同厚度比例的氧化硅(SiOx)与氧化坦(TaOx)薄膜的搭配,对比研
【机 构】
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上海交通大学电子工程系 上海 200240
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采用磁控溅射方法,在聚酰亚胺薄膜上室温制备了非晶铟镓锌氧(a-IGZO)柔性薄膜晶体管(TFT).其中,栅绝缘层选择了不同厚度比例的氧化硅(SiOx)与氧化坦(TaOx)薄膜的搭配,对比研究了不同栅绝缘层结构的薄膜特性以及所对应的柔性TFT器件的操作特性和偏压稳定性.实验结果表明,TaOx的成膜速率明显高于SiOx;随着TaOx所占比例的增加,栅绝缘层表面粗糙度降低,介电常数显著提高.以300 nm厚TaOx搭配300 nm厚SiOx为例,栅绝缘层相对介电常数可以达到10,对应的a-IGZO TFT表现出了更高的的开态电流和更低的阈值电压,但是器件漏电流略有增加,正偏压稳定性也会有所下降.
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