基于气液固模式生长的无缺陷闪锌矿结构GaAs/AlGaAs轴向异质纳米线

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Pure zinc blende structure GaAs/AlGaAs axial heterostructure nanowires (NWs) are grown by metal organic chemical vapor deposition on GaAs(111) B substrates using Au-catalyzed vapor-liquid-solid mechanism. Al adatom enhances the influence of diameters on NWs growth rate. NWs are grown mainly through the contributions from the direct impingement of the precursors onto the alloy droplets and not so much from adatom diffusion. The results indicate that the droplet acts as a catalyst rather than an adatom collector.
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采用金属有机物化学气相沉积设备生长InGaAs/AlGaAs应变多量子阱有源区和双氧化限制层的外延整体结构,利用断点监控电感耦合等离子体刻蚀技术、精确湿法氧化控制技术等芯片制造技术,实现了氧化孔径为7 μm、相邻单元间隔为250 μm的高速调制4×15 Gbit/s 850 nm垂直腔面发射激光器(VCSEL)列阵。测试得到了VCSEL列阵的静态特性和动态特性:阈值电流为0.7 mA,斜效率为0.8 W/A;在6 mA工作电流下,工作电压为2.3 V,光功率为4.5 mW。在15 Gbit/s调制速率下,
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提出一种基于硅衬底的涂覆石墨烯层的三角形纳米线等离激元波导,并采用有限元方法详细研究了基模传输特性及其与几何参数、物理参数的关系。结果表明:间隙区域大小、顶角角度、圆角半径和石墨烯化学势对模式传输特性有很大影响。通过优化设计,该波导结构可以实现石墨烯等离激元的深度亚波长传输,传播距离可达10 μm,同时归一化模式场面积仅约为10 -6。该石墨烯表面等离激元波导为可调谐纳米光子器件的设计提供了一定的参考。
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