量子点激光器相关论文
对于低维材料构成的半导体激光器,根据有源区结构的不同,可分为量子阱激光器、量子线激光器和量子点激光器（Quantum dot laser,QDL）......
近年来通过制备硅基Ⅲ-Ⅴ族半导体激光器以实现高性能硅基光源的研究备受人们关注.在Si衬底上外延生长Ⅲ-Ⅴ族激光器材料的方法易......
硅基光电集成是解决硅芯片上互连速度瓶颈,延续摩尔定律的可选方案之一,但是由于硅、锗都是间接带隙半导体,高效硅基光源的获取成......
本文概述了广义的光进铜退的最新进展。重点介绍了信息化与工业化融合的大趋势，相干光通信引领光纤通信新世纪的来临，光子单片集成产......
利用固态源分子束外延技术,按S-K模式生长出五层堆垛InAs/GaAs量子点(QD)微结构材料.用这种QD材料制成的激光器、内光学损耗为2.1c......
本文报告采用金属有机化学气相沉积法(MOCVD)制备InAs/InGaAsP/InP量子点激光器的研究。通过生长条件的优化获得了高质量量子点材......
半导体量子点激光器由于具有阈值电流密度低、温度稳定性好和调制速度高等特点,非常有望成为下一代光通讯网络所需的关键光源。尽......
Recent advances in quantum dots (QDs) for classical and non-classical light sources are presented. We have established m......
光纤通讯用GaAs基高性能1.55微米量子点激光器引起了人们的广泛关注。然而,由较大晶格失配引起的应变、位错等缺陷,导致GaAs基InAs......
加拿大的研究人员首次制造出了能同时发射1543nm和1571nm双波长激光的InP基量子点自锁模激光器。传统锁模方法需要分成双区器件，一......
在量点(QD ) 基于搬运人动力学的分析， InAs/GaAs QD 激光的数字模型借助于完全的率方程被开发。模型包括四个精力层次，在他们之中，三......
日本富士通公司的研究人员在１９９９年５月巴尔的摩举行的激光电光学会议上介绍了一种在室温下发射１．３μｍ波长连续波激光的量子点激光器的制造。......
半导体激光器是许多日常装置的关键部件。光纤通信和小型光盘驱动器可能是两个最为人熟知的例子，目前仍在世界范围努力研究与开发，以......
半导体激光器是我们所熟识的很多日常用具的关键部件，光纤通讯和袖珍光盘播放器也许是两个最有说服力的例子。为了提高这些设备的性......
据《ＰｈｏｔｏｎｉｃｓＳｐｅｃｔｒａ》2 0 0 2 ,36 (2 )报道 :量子点激光器就其本性而言 ,其热稳定性要比量子阱激光器好 ,其限定的电子和空穴数也限定了其热载流......
通过提高量子点材料的质量和优化量子点激光器材料的结构 ,研制出高质量的应变自组装 In Al As/Al Ga As/Ga As量子点材料和低温连......
美国奥斯丁德克萨斯大学的研究人员。开发出GaAs基底的1.3μmInAs量子点激光器。由于它具有高特征温度和低阈值电流密度,终有一天......
近来，欧盟投资1千万欧元用于支持混合激光器和量子点激光器的发展，研发用于生物光子学、通信及仪器等领域的紧凑、多用途激光器。......
德国VI Systems公司宣布制造出首支单体垂直腔面发射激光器(VCSEL),其通过多模光纤的数据传输速率达到无误差的40Gb/s。此前,该公......
对p型掺杂1.3μm InAs/GaAs量子点激光器的最大模式增益进行了实验和理论分析.实验上,测量了不同腔长激光器阈值电流密度与总损耗......
对利用气源分子束外延(GSMBE)技术生长的InAs/GaAs量子点激光器的工作结温进行了研究,结温的测试是基于量子点激光器的温度升高会......
制备了InP基近红外波段量子线激光器,在激光器温度特性分析中,观察到了反常的特征温度分布曲线.随着热沉温度增加,在120—180 K时,......
基于研制的1.5mm腔长InAs/InP共面条状量子点激光器,搭建了其镜面外腔结构,并对其光谱特性进行了测试,获得了镜面外腔周期性调制光......
报道了通过化学湿刻蚀制备窄脊条InAs/InP量子点激光器的方法。激光器脊条主要是由半导体材料InGaAs和InP构成,通过选择合适配比的......
从理论上分析了位移效应对量子点激光器的影响,并推导了量子点激光器阈值电流相对变化、输出功率相对变化的位移损伤公式.对量子点......
为了获得高性能的量子点外腔激光器(ECL),利用InAs/GaAs量子点Fabry-Perot(FP)腔激光器研制了光栅外腔可调谐ECL。对InAs/GaAs量子......
合金层与InAs/InP量子点激光器的接触电阻对激光器的性能有很大影响,而接触电阻的大小与合金材料、退火温度和退火时间有关。本文......
实现了一种工作在连续波(CW)模式下InAs/InP(100)外腔量子点激光器(EC-QDL)。激光器采用小型化的Littrow外腔结构,中心波长为1.6μ......
围绕锗基InAs量子点激光器,开展了激光器腔面失效及再生的研究。研究并分析了灾变性光学镜面损伤产生的机理及其对激光器腔面的影......
半导体量子点激光器由于具有阈值电流密度低、温度稳定性好和调制速度高等特点,非常有望成为下一代光通讯网络所需的关键光源......
沿着金属-界面传输的表面等离子体激元,可以将入射电磁波的能量在界面处高度的局域,并且在垂直于界面的方向上呈指数形式衰减,这在......
我国科学家在Ｉｎ（Ｇａ）Ａｓ自组织量子点激光器研究中获得突破。目前已经获得室温下ＰＬ峰值在１．３μｍ的量子点材料，朝１．３μｍ激光器迈出了一大步。Ｉｎ（Ｇａ）Ａｓ／ＧａＡｓ量子点体系因......
美国军方认为,中国已经研制出一种被称为“太空地雷”的微型卫星。在一般情况下,这种“太空地雷”处于非战斗状态,一旦需要,地面指......
报道了分子束外延生长的1·3μm多层InGaAs/InAs/GaAs自组织量子点及其室温连续激射激光器.室温带边发射峰的半高宽小于35meV,表明......
高质量的叠层结构量子点有源区材料是制作高性能量子点激光器的关键。本文报告采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)制备高质量InA......
本文报告采用金属有机化学气相沉积法(MOCVD)制备InAs/InGaAsP/InP量子点激光器的研究。通过生长条件的优化获得了高质量量子......
介绍了InAs/GaAs量子点激光器的材料生长，器件制备及其光学特性的研究。器件为条宽100μm，腔长1600μm未镀膜激器。室温阈值电流密度......
(一)红外技术及其应用1.国防部所拥有的红外和光电系统的能力(检 查报告) Infrared and Electro—Optical Capabilities Within DO......
We demonstrate 10 Gb/s directly-modulated 1.3 μm InAs quantum-dot (QD) lasers grown on GaAs substrates by molecular bea......
