非晶半导体相关论文
一种新的掺稀土元素钇(Y)的a-Si:H 材料已被研制出来。该材料的电导率随掺 Y浓度而改变,当掺 Y 浓度约10~(2)时,a-Si:H(Y)的室温......
用12kW转靶X射线衍射装置测定了非晶半导体a-As_2Se_3,a-AsSe以及a-As_(0.05),Se_(0.95)的k吸收EXAFS,a-As_2Se_3经T≤T_g(玻璃转......
实际上,非晶物质很早就被人们所认识,而且大量的在我们周围存在着。例如玻璃是一种典型的非晶物质材料。然而有用的非晶金属及合......
借助著名的谢尔宾斯基（Ｓｉｅｒｐｉｎｓｋｉ）分形，构造四面体键合非晶半导体的一种理想分形结构模型，并研究其倒格子空间的构造。结果指出，基于二维和三维谢......
利用透射电子显微镜（ＴＥＭ）对有化合物生成（Ｐｄ＿２Ｇｅ和ＰｄＧｅ等）的Ｐｄ，Ｇｅ薄膜体系中的分形晶化行为进行了系统研究实验结果和分析表明：在各种退火温度条件下，Ｐｄ－Ｇｅ共蒸膜......
对简单的非晶体半导体结构,可采用通常的手段进行分析,而对复杂的化合物非晶导体来说,用这些方法很难获得有关结构方面的资料.为......
根据中国真空学会薄膜专业委员会一九七八年工作计划的安排,将于第三季度召开全国第二届化学气相沉积(CVD)学术交流会。薄膜专业......
同济大学吴翔教授等完成的国际前沿课题,国际固体理论的研究热点之一——无序材料低温反常特性的理论研究,1990年6月30日通过上海......
本文采用 DSC、XRD、TEM 和瞬态反射率 R—温度 T,分析了 Sb_2Se_3,SbSe 和 Sb_3Se_2薄膜的非品析晶过程,研究了超化学计量 Sb_2Se......
测量了Ｓｉ衬底上生长的ＧａＡｓ薄膜中与深中心有关的发光带的变温光谱，研究了０．７８ｅＶ、０．８４ｅＶ和０．９３ｅＶ发光带的峰值位置和发光强度随着温度的变化关系，发现它们的发......
采用热蒸镀膜方法,在制备出As_2S_3、As_2Se_3、GeS_2、GeSe_2、Ge_(20)As_(25)S_(55)、Ge_(20)As_(25)Se_(55)和Ge_(10)As_(40)S_......
目前,分形的研究已成为国内外普遍关注的问题.对于金属/半导体二元薄膜体系,在金属诱导非晶半导体晶化的过程中,常常出现雪花状的......
以硼酸和三聚氰胺为原料,利用化学法、真空热处理及高温高压技术对BCN化合物的形成、结构及相变进行了研究.在真空10-3Pa条件下,经......
能源、材料与信息被认为是当今正在兴起的新技术革命的三大支柱。材料方面，电子材料的进展尤其引人注目。以大规模和超大规模集成电......
我们做了一个十分有趣的实验,在器件的两电极间加一定的电压,经若干小时后,器件构I-V特性表现了明显的正反向不对称。图1是试验前......
本工作的目的是通过组成与光电性能关系的研究,以期达到根据禁带宽度与组成的关系,设计化学组份,以获得各种不同禁带宽度的基体.......
硒砷碲膜的构造及其特点长期以来,人们对于各种光电导膜进行了广泛的研究,但很难取得令人满意的效果。而硒砷碲光电导膜则是比较......
一、引言非晶态半导体电编写,电擦除唯读存贮器(Electrical Erasable Programable Read OnlyMemory—EEPROM)具有低功耗、非易消......
报导了 Si_2 Ge_1 As_(38) Te_(55) 非晶半导体体开关。虽然电极接触相隔1毫米,但观察到的弛予时间只有10微秒。这是由于只有靠近......
非晶半导体有可能成为一种新型的电子材料,最近引起了人们很大的注意,在应用方面,都已经发表了用非晶Si制成的效率为5.5％的薄膜太阳......
利用r.f.辉光放电、由硅烷(SiH_4)分解,在常规的 CVD系统中获得了非晶态硅(a-Si)薄膜.由电子衍射图象及x-光衍射谱证实获得的硅薄......
研究了a-Si:H,a-Si:H,F,a-Si:H,Cl以及a-Si:H,Cl,O等非晶硅薄膜光致发光的温度依赖关系。测量了各种样品的无辐射跃迁激活能ε,并......
一、引言 近两年来国外报道了非晶硅薄膜的晶化问题。由于非晶半导体的热力学相是不稳定的,具有无序网络结构的非晶态硅只要经过......
七十年代以来,非晶半导体材料无论是在理论上还是在应用上都取得了很大进展,从而引起人们的重视。本文主要描述非晶半导体材料的一......
研究了退火对α-Si_xC_(1-x):H薄膜红外吸收和光致发光性质的影响.实验结果表明:低温退火使与氢有关的红外吸收和积分发光强度增加......
我校物理系非晶硅材料研究工作在1984年元月鉴定会后,目前又取得了三项突破性进展。首先,使非晶性薄膜的缺陷态密度降低到了10~16......
引言视象管半导体靶的发展,从宽带隙的单质光导半导体(Sb_2S_3, Se, PbO,PbS),经由硅基同质结阵列到由晶体-晶体、晶体-非晶体、......
第五届全国半导体物理学术会议于1985年12月3日至6日在厦门召开.来自全国各高等院校、科研单位和工厂的二百余名代表出席了本届大......
本文报道了用喇曼背散射对非晶半导体调制结构材料的研究.从TO峰的展宽和位移可得到相应材料的键角偏移及微晶晶粒尺度的计算,并着......
每两年一次的国际非晶半导体会议是该领域具有较高学术水平的聚会.第十一届国际非晶和液态半导体会议于1985年9月2—6日在意大利罗......
第五届全国半导体物理学术会议由厦门大学负责筹备.迄今为止已收到全国各高等院校、研究所和工厂寄来的论文三百余篇,内容涉及半导......
本文主要介绍掺氢非晶硅膜的制造方法——辉光放电沉积法及其工艺参数对膜特性的影响。
This article describes the hydrogen-do......
本文利用MOSFET结构研究了GD-a-Si_xC_(1-x):H薄膜的光照场效应以及光电导和S-W效应。实验测得光照引入的缺陷态密度约为10~(17)/c......
利用辉光放电方法制成两种在国内外迄今未见报道的非晶半导体多层结构,即分别以超薄层a-Si:H/a-C:H和μc-Si:H/a-Si:H作为重复单元......
本文研究了As-Se非晶态半导体光电导与光强的关系,及光电导瞬态过程.发现瞬态光电导具有前冲、峰值;并且σ_(?)与G的关系有非线性......
半导体超晶格是1970年在美国IBM公司工作的江崎等人首先提出来的.随着分子束外延技术(MBE)的发展,已在七十年代实现了这种能达到原......
本文以层状的CTRW 模型为基础,对非晶半导体超晶格中的瞬态光电导作了理论计算.在计算过程中一方面考虑到周期性内电场对载流子与......
本文报道了a-Si:H/a-SiN_x:H超晶格薄膜的制备方法、结构以及在光学方面的量子尺寸效应.
This paper reports the preparation, s......
尽管过去几年对非晶半导体多层膜及其界面对多层膜传输性能影响的研究甚多,然而对于界面缺陷态的特性及其密度了解甚少。不同的测......
自1975年Spear等报导了对非晶硅(a-si)进行p型n型掺杂控制以来,大约过去已经八年,非晶硅作为计算器等家用电器的太阳能电池材料已......
