汽相外延生长相关论文
第六次窄禁带半导体国际会议于1992年7月19日至23日在英国南安普敦大学召开,会议的论文题录如下:
The Sixth International Conf......
日本NEC的光电子器件研究实验室开发出在单个芯片上发射多个波长的激光二极管技术。NEC公司称这种技术能大大地降低多波长长途通信......
利用水平、常压有机金属化合物汽相外延（MOVP）装置，DMCd、DIPT及元素汞在约360℃，采用互扩散多层工艺，通过计算机控制，在GaAs、CdTe衬底......
利用汽压控制直拉（ＶＣＺ）法，成功地生长了ＩｎＰ和ＧａＡｓ单晶，其位错密度十分低，比液封直拉法生长的单晶要小一个数量级。ＶＰＥＧａＡｓ衬底的剩余应力是ＬＥＣ衬底的１／４。当分子......
日本Hitachi Cable公司的研究人员开发出用来制备大尺寸独立式GaN晶片被称之为“空隙辅助分离”新技术。在以蓝宝石为衬底,MOVPE......
提出了使用Ga-AsCl_3-H_2和 GaAs-AsCl_3-H_2系统的新的汽相生长方法。这些方法使用的装置与通常的 Ga-AsCl_s-H_2系统的基本相同,......
用汽相和液相外延制作的InGaAsP/InP1.3μm边发射发光二极管已获得较高的性能。最好的结果为出纤功率135μW(梯度光纤,芯径50μm、......
十年来,发光二极管(LED)得到了迅速的发展.可见发光二极管的发展尤为突出.从工业机械到家用电器这一宽广的范围内,可见发光二极管......
题 目 期 页 工作报告集成电路制备中金属杂质与微缺陷的自吸除……一((100)取向的磕材料在双极器件中的应用……‘一(硅片在灞加......
请下载后查看，本文暂不支持在线获取查看简介。
Please download to view, this article does not support online access to view......
本文报导了以习用的Ga/AsCl_3/H_2体系制备GaAsFET多层结构的汽相外延生长技术。利用AsCl_3的克分子数效应,获得了最佳的缓冲层特......
一、发光的一般问题- 期页磷光体的视觉效率(会议文摘)11ZnS:Ag,Al和ZnS:Cu,Al磷光体发光的浓度碎灭(会议文摘)12_从1975年国际发......
第期多元逻辑电路12位高速进位发生器··················,·········……准零阻放大器····,···......
一、前言砷化镓材料由于宽禁带、高迁移率和具有良好的负阻特性而广泛地使用于固体器件的研制中。作为体效应和限累器件的原材料......
用金属有机化合物VPE方法成功地生长了与InAs晶格匹配的InAs_(1-x-(?))Sb_xP_(?)四元合金。在一个相当宽的组成范围内(0≤x+y≤0.7......
最近几年,GaP被广泛地用于做发光二极管,特别是绿灯。GaP二极管绝大部分是用液相外延方法生长的,因为用这种方法能做出高效率的管......
本文提出了一种研制多层GaAs汽相外延的装置,概述了用双室反应管制备多层GaAs薄膜的实验方法及部分结果。本技术的特点是避免了杂......
本文报导一种采用双室矩形反应管生长p~+-n_1-n_2-n~(?)多层汽相外延技术.Zn和Sn分别为P型和N型掺杂剂.本技术能避免杂质存贮效应,......
描述了为获得高转换效率和大输出功率而研制的砷化镓耿二极管的振荡性能。二极管由n~(++)(衬底)-n-n~(++)结构的砷化镓制备。n和n~......
1978年,美国麻省理工学院林肯实验室Bozler等人发明了渗透基极晶体管(PBT).这种器件的发明被认为是微波晶体管向毫米波亚毫米波发......
已研制成功摄象机用的光探测器。它是一种具有浅p-n结的光电二极管。在n~+-GaAs衬底上,汽相外延生长的n-GaAs_(1-x)P_x层里形成p-n......
发展了一种直接在镀铜热沉上制造小面积硅雪崩二极管的新方法。为制造薄而均匀的硅膜,其过程结合了多层汽相外延生长硅与选择电化......
请下载后查看，本文暂不支持在线获取查看简介。
Please download to view, this article does not support online access to view......
为了研究Ni/An-Ge/GaAs合金接触,从Au-Ge和Au-Ge-Ni蒋体中生长了GaAs外延层。测量了GaAs在Au-Ge和Au-Ge-Ni合金中的溶解度。讨论了......
本文简单介绍 InGaAsP/InP DH(双异质结)激光器的主要优点和发展动态,重点介绍光纤传输特性和与此相适用的最佳光源器件——InGQAs......
一引言近年来出现了许多具有复杂结构的化合物半导体器件,如GaAsIC、高电子迁移率晶体管(HEMT)、超晶格器件和双异质结半导体激光......
一、概述从六十年代初期至今十余年内,用来生长砷化镓单晶外延膜的方法主要有两种:一种是利用化学反应从汽相往单晶衬底上淀积砷......
我们对N-GaAs和N-InP单晶及外延层在4.2K和77K下测定了光致发光谱,并用C-V法测定了电学参数,确定了未掺GaAs中的受主杂质主要是C和......
请下载后查看，本文暂不支持在线获取查看简介。
Please download to view, this article does not support online access to view......
本文进行了 GaAs/AsCl_3/H_2系统的低压低温生长实验,对影响界面参数的因素进行了理论分析。得到了陡峭的界面浓度分布和较高界面......
采用光化学工艺,可以选择形成一种特殊原子团或离子而不产生缺陷,即使在低温下也能促使完全反应。讨论了光化学工艺的主要优点,并......
本文对InP衬底上氯化物法、合金源汽相外延生长多元化合物In_xGa_(1-x)As的规律作了研究。给出了In_xGa_(1-x)As外延层组分、生长......
本文报道了氯化物汽相外延生长Ga_(0.47)In_(0.53)As-InP异质结输运性质研究结果.4.2K下shubnikov-de Haas测量,Van de Pauw Hall......
1986年我们研制了GaAs单片集成X波段低噪声放大器。GaAs基片采用南京电子器件研究所高压单晶炉拉制的大直径非掺杂半绝缘单晶,其......
据日本 NEC 光电研究窒报导,他们采用汽相外延生长方法和 Be~+离子注入保护环结构,实现了平面结构的 InP/InGaAsP/InGaAs 雪崩光......
本文报道了在掺In半绝缘GaAs衬底上的液相和汽相外延生长,并用x射线双晶衍射和光学显微等方法研究外延层和衬底之间的晶格失配.结......
本文简述了自动半导体载流子浓度剖面描绘仪的原理及实际应用。
This article briefly describes the principle and practical a......
用开管汽相外延生长系统,在CdTe衬底上汽相等温外延生长了碲镉汞Hg_(1-x)Cd_xTe(MCT)外延层。外延用蒸发源为富Te的MCT多晶,CdTe......
在国内首次实现了异质结光晶体管（ＨＰＴ）和隐埋新月激光器（ＢＣＬＤ）的单片集成，该器件除了具有光放大功能外，还具有光双稳和光开关功能，其净光增益大于......
在各种颜色的半导体发光二极管中,红色和绿色发光二极管的制作工艺较成熟,而蓝色发光二极管的制作则较困难。据《Laser Focus Worl......
