束缚激子相关论文
通过近红外和红外透过谱表征,确定出掺铟后碲锰镉晶体透过率迅速下降,这是晶格吸收和自由载流子吸收共同作用的结果;而光致发光谱......
采用变激发功率密度下的光致发光，变温下的光致发光等手段，研究了混晶ＧａＡｓ１－ｘＰｘ：Ｎ（ｘ＝０．４）样品中各发光带的发光特性，比较了不同激发条件下Ｎｒ与Ｎｘ发光带的不同......
用红外光荧光测量分析了Ｈｇ１－ｘＣｄｘＴｅ液相外延薄膜的发光特性，观察到局域激子及束缚激子发光．当外延层减薄至２μｍ后，ＰＬ信号的峰位将向高能方向移动，这是......
应用共振喇曼和荧光光谱系统地研究了Ａｓ离子注入ＣｄＴｅＭＢＥ外延膜的热退火行为．发现随着退火温度（ＴＡ）升高至４４０℃，其晶格恢复和缺陷态消除得最完整，当ＴＡ高于......
测量了用电化学腐蚀法制备的多孔硅（ＰＳ）薄膜红光（６００～８００ｎｍ）激发下的光致发光（ＰＬ）谱和光致发光激发（ＰＬＥ）谱，结果表明ＰＳ膜具有良好的上转换荧光特性，并随着存放时......
本文使用高纯度和高品位的单晶材料，通过Ｃｕ掺杂和退火实验，利用光致发光研究了ＣｄＴｅ发光光谱中１．５８９６ｅＶ处的主要中性受主束缚激子发光的起因．结果表明......
本文模拟计算了ＣｄＴｅ 中Ｔｅ 沉淀相对红外光的散射吸收作用及其对入射光能量和Ｔｅ沉淀相尺寸的依赖关系，根据光透射比分别处理了ＣｄＴｅ 的吸收和Ｔｅ 沉淀......
GaN生长仍无完美衬底。蓝宝石和GaN上的异质外延生长不存在高位错密度的问题,限制着器件性能和寿命。异质外延生长要求晶格常数和......
ZnO薄膜中的高的背景电子浓度能够对p型掺杂形成补偿,从而对p型掺杂造成障碍,了解高背景电子浓度的来源有助于对p型掺杂的研究。本......
报道了掺杂在GaAs体材料中和δ掺杂在一系列GaAs/AlAs多量子阱中的Be受主带间跃迁的光致发光.实验所用样品,GaAs体材料中均匀掺杂B......
对一系列δ掺杂浅受主铍(Be)原子的GaAs/AlAs多量子阱和均匀掺杂Be受主的GaAs体材料中Be原子的能级间跃迁进行了光致发光(PL)研究.......
本文将硼离子注入n型硅片制备出硅pn结发光二极管,系统研究了硼离子的注入剂量、能量、以及温度等条件对硅pn结电致发光效率的影响......
利用金属有机源化学气相沉积(MOCVD)技术,在蓝宝石上外延了Mn-N共掺ZnO薄膜,同时,将得到的ZnMnO:N样品分别在700,900和1100°C的温......
在有效质量近似下,计算了盘形量子点中离子施主束缚激子的结合能、光跃迁能、振子强度及辐射寿命.设盘形量子点由有限长的柱形ZnO......
在有效质量近似下,运用变分方法,考虑内建电场效应和量子点(QD)的三维约束效应的情况下,研究了类氢施主杂质在量子点中的位置对III......
钙钛矿单晶因为低缺陷,无晶界,可调节的能带宽度,长载流子迁移率与载流子扩散长度等突出的特性在近几年得到了广泛的关注与研究。......
在有效质量近似下 ,采用两参数波函数变分地计算了杂质在阱心和阱边两种情况下 ,量子阱中中性施主束缚激子 ( D0 ,X)体系的束缚能......
采用机械化学法制备了Ni/TiO2纳米复合材料,制备态样品由六角形结构的金红石TiO2和面心立方结构的Ni组成。退火使样品晶格缺陷和内......
复杂的氧化锌复合材料在光电设备方面有着很大的潜在应用。报道一种特殊“果球”的模拟生长——由Al2O3,Au和ZnO制成的天然“法国......
用常压金属化学气相沉积法(MOCVD)在Si(111)衬底上制备了马赛克结构ZnO单晶薄膜。引入低温Al N缓冲层以阻止衬底氧化、缓解热失配......
纳米微粒的光学性质是固体微结构、微器件研究中的重要方向。纳米微粒可用于光信息存储、转换及光开关等,影响其光学性质的因素有......
利用气相输运方法,在(111)面硅衬底上制备了名义上原子数分数为2%的Li掺杂的ZnO纳米棒(样品A)。作为比较,我们在相同的生长条件下......
利用脉冲激光沉积技术,通过改变沉积过程中的氧气压力,在蓝宝石(0001)基片上制备了一系列ZnMgO合金.通过X射线衍射、反射和透射光......
采用皮秒量级的超快速光谱技术，分析了混晶ＧａＡｓ１－ｘＰｘ∶Ｎ材料发光瞬态过程．结果证实了材料随组份变化，从间接带到直接带（ｘｃ＝０．４５Ｋ，７７Ｋ）转变的带增强效应．对ＮＸ发光带......
对垒区Ｔｅ掺杂浓度不同的ＺｎＳｅ／［（ＣｄＳｅ）１（ＺｎＳｅ）３］ｍ短周期超晶格量子阱的稳态和瞬态荧光进行了实验研究，通过不同激发强度下逐级饱和过程测得ＺｎＳｅ垒区自由激子寿命为......
采用选择激发的实验手段，在混晶ＧａＡｓ１－ｘＰｘ∶Ｎ（ｘ＝０．８８）的光致发光谱中观察到ＮＮ１对束缚激子发光的声子伴线．通过荧光谱线窄化效应，在发光谱中得到与ＧａＰ∶Ｎ低温光致......
本文采用变温条件下的光致发光谱和选择激发发光谱对混晶ＧａＡｓ１－ｘＰｘ∶Ｎ（ｘ＝０．４）中的ＮＸ和ＮΓ发光带进行了研究．在选择激发条件下，实验未观察到混晶ＧａＡｓ１－ｘＰｘ∶Ｎ（ｘ＝０．４）中ＮΓ→ＮＸ的......
利用变温光致发光(PL)谱及时间衰退发光谱研究了一系列CaP_(1-x)N_x混晶的光学性质。GaP_(1_x)N_x混晶的PL谱从低组分的NN对束缚激......
每当我伫立在中国科学院半导体所和北京大学物理系黄昆先生的铜像前,凝视他深邃的目光和慈祥的面容时,心中总会泛起幽思的涟漪,带......
研究半导体的磁-光致发光,也就是说,测量光致发光的塞曼效应,是获得有关杂质或结构点缺陷的对称性、电荷状态等信息的有效手段之......
随着LSI、大功率器件、红外探测器等器件的发展,元件制造技术的提高,对Si材料提出了愈来愈高的质量要求,尤其是Si材料中的微量杂......
研究了暴露在空气中退火和表面覆盖蓝宝石基板退火对MOCVD生长的ZnO薄膜光学性质的影响.研究发现,暴露在空气中退火虽可以去除薄膜......
用N离子注入制成了ZnSe p-n结二极管。还用在H_2O_2溶液中氧化的ZnSe膜做绝缘层制成了MIS二极管。在室温正向偏压下,从这两种二极......
本文试从无序系统的发光及喇曼散射中的几个问题出发,阐述次级光发射中的无序效应。Wolford研究了三元系GaAs_(1-x)P_x:N中束缚激......
在液氮温度下,利用本实验得到的关系式[N]cm~(-3)=1.05×10~(15)α_A_0·Γ,可较简便地估算氮液度。观察到LEC衬底在外延掺杂过程......
本文对不同条件下扩铜HB、SI-LEC体GaAs和VPE、LPE-GaAs样品与铜相关的光致发光谱(1.36 eVPL带,束缚激子Co(1.5026eV)和F_0(1.483......
介绍掺N磷化镓的二次液相外延工艺。衬底放置在滑块式石墨舟中,以氨作N源、过补偿法制备p—n结。氨以201银催化剂吸附后,用H_2携带......
基于低温(～4K)光致发光谱对工艺及测量条件的依赖关系,分析了MBEGaAs缺陷络合线系的结构和来源,给出了与Haynes规则相容的解释。
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虽然有几个作者已经研究了GaP:(Bi),AlxGa1-xP:(Bi)的发光光谱,但涉及光谱的谱形和谱线展宽的本质等问题还没引起注意和得到讨论......
本文对Al_xGa_(1-x)As-GaAs多层量子阱结构的子带间跃迁能的压力关系做了77K低温下的光荧光光谱研究.实验结果表明,未掺杂的量子阱......
对硅中新施主特征发光谱K线(hv=0.902eV)的顺磁共振研究表明,它的发光中心是分子型等电子中心,发光跃迁是两个S=1/2的电子和空穴构......
