宽禁带半导体材料相关论文
β-Ga2O3是一种超宽禁带半导体材料,具有高击穿电压以及良好的巴利加优值,禁带宽度高达4.8eV。在大功率器件领域有良好的应用前景,......
本论文利用MOCVD法在C-ALO衬底上生长出具有高阻值、透明的ZnO薄膜.对于薄膜质量,我们利用SIEMENS D08 X射线衍射仪、325nmHe-Cd激......
本研究首先对比了AlGaN与NiAl电极形成欧姆接触的工艺.其次试验在AlGaN表面生长了8nm重掺GaN(1×10/cm)帽层,使源漏电极可以制作在......
采用有限元方法,通过ANSYS软件模拟了体硅衬底上和SOI衬底上生长的GaN外延膜从1100℃的生长温度降到20℃的热应力变化情况。模拟结......
本文研究了宽禁带半导体材料氮化硼晶体的性能及应用框架，结果表明：cBN晶体具有闪锌矿结构，没有反演对称中心，所以具有二阶非线性光学......
本文通过对SiC基GaN晶体的禁带宽度Eg、不同光谱的吸收率和温度之间的关系分析、试验、研究,应用MATLAB软件仿真、拟合了SiC和GaN......
本文介绍了宽禁带半导体发展总体态势的表现：制造成本不断下降、应用范围迅速扩大、研发领域继续拓展。阐述了工艺技术的发展，并分析......
在过去的60年中，硅(Silicon，Si)材料发展至今已十分成熟，其硅基半导体器件的性能也已达到材料本身的极限。碳化硅(Silicon Carbide，SiC......
ZnO作为一种新型的II-VI族宽禁带半导体材料,广泛应用于压电传感器、变阻器、紫外发光器件以及透明电极等领域。在温室条件下,ZnO......
二、征文范围1、半导体分立器件应用、市场分析和产业发展思路;2、半导体分立器件的创新产品、创新技术;3、半导体材料、器件、封......
功率MOSFET一直沿着结构优化、创新结构和宽禁带半导体材料三个方向发展，本文详细介绍了功率MOSFET的结构优化进程，分析介绍Super Ju......
宽禁带半导体材料-SiC和GaN具有禁带宽度大,热导率高、电子饱和漂移速度大、临界击穿电场高等特点,在高频、大功率、耐高温、抗辐......
基于双向CLLC拓扑提出了一种采用氮化镓场效应晶体管(GaN FET)和平面磁集成技术的1 MHz半桥型高增益Multi-CLLC谐振变换器。该拓扑......
AlN是直接带隙的超宽禁带半导体材料，具有非常大的禁带宽度(6.2eV)、极高的击穿场强和热导率、优良的热稳定性和耐腐蚀性、良好......
氧化镓（β-Ga2O3）晶体被认为是一种新型的第四代宽禁带半导体材料[1],禁带宽度4.8-4.9eV,具有透明导电、与GaN晶格失配小、成本低等......
单晶金刚石是具有代表性的第三代宽禁带半导体材料之一，具有大的禁带宽度(5.5eV)，最高的热导率及极高的载流子迁移率.但是目前HP......
GaN基宽禁带半导体具有直接禁带、制止波长锐利、高抑制比等特点,基于氮化镓(GaN)的Ⅲ-Ⅴ族宽禁带半导体材料,通过掺杂铝(Al)......
ZnO是非常有潜力的宽禁带半导体材料[1]。已经有许多工作对ZnO阳离子掺杂改性进行了详细的研究,如MgZnO、CdZnO等[2,3]。然而......
碳化硅(SiC)材料是一种新型宽禁带半导体材料.本文对SiC MOSFET这一种新型器件的并联均流情况进行了研究,其中搭建了双脉冲测试平......
碳化硅(SiC)是一种宽禁带半导体材料，可以用于制造高温、高功率和高频电子器件。许多科研工作者都在研究SiC的抛光工艺用来制作......
以SiC单晶为例介绍了宽禁带半导体材料的独特物理性质、材料制备现状及其应用.SiC单晶的研发在光电子技术的应用推动下近期发......
ZnS 作为宽禁带半导体材料(纤锌矿结构的ZnS 材料禁带宽度为3.77eV,闪锌矿结构的ZnS 材料禁带宽度为3.72eV),已在紫外激光器、传感......
ZnO材料作为一种直接带隙的宽禁带半导体材料,一直受到研究人员的关注.MOCVD是最适合工业化生产的一种方法,本文采用新型等离子体......
紫外探测器、传感器、短波长发光和激光二极管等光电子器件,在光通讯、光存储、显示等领域具有广泛的应用前景。而ZnO等宽禁带半导......
宽禁带半导体材料具有禁带宽度大、击穿电场强度高、饱和电子漂移速度高、热导率大、介电常数小、抗辐射能力强以及良好的化学稳定......
近年来，以GaN和ZnO为代表的宽禁带半导体材料以其优越的性质和广阔的应用前景获得了越来越多的关注，它们在光电器件、大功率、高温电......
透明导电氧化物薄膜(TCO)，是一种宽禁带半导体材料，有n型和p型两种导电类型。N型TCO具有可见光透过率高、红外光反射率高、导电性好......
与传统半导体材料相比，宽禁带半导体材料拥有更加优秀的高温和高频性能，目前已被广泛应用于集成电路、发光二极管、激光器、太阳能电......
作为一种宽禁带半导体材料，β-Ga2O3单晶已经在光电子领域受到了广泛的关注。 半导体功率电子器件是电力电子装置的核心部件，其相......
目前，人们对半导体照明、超高密度光信息存储器、高功率固体激光器和光探测器等的需求日益增大。新型透明导电氧化物二氧化锡(SnO2)......
氧化锌是一种多用途的宽禁带半导体材料。相比传统的半导体材料，ZnO薄膜具有成本低廉，生长温度低，禁带宽度大(3．37eV)，激子复合能高(60m......
Ⅲ-V族氮化物GaN因其具有宽禁带半导体材料的典型优点而在光电器件、光探测器、新颖高性能微电子器件等领域得到广泛的应用,成为目......
第三代宽禁带半导体材料具有击穿场强大、热导率高、载流子迁移率高、抗辐射能力强等特性，在发光二极管(LED)、激光二极管(LD)等光......
ZnO、SnO2作为优异的宽禁带半导体材料，在光电领域的应用前景非常广泛，已经成为近年来研究的热点之一。在本论文中，采用化学气相沉积......
ZnO是直接宽禁带半导体材料(禁带宽度为3.37 eV),在室温下有很高的激子束缚能(60 meV),外延生长温度低,抗辐射能力强,对衬底没有苛......
ZnO是一种Ⅱ-Ⅵ族宽禁带半导体材料,室温下的禁带宽度为3.37eV,激子激发能量为60meV。由于ZnO薄膜在诸多方面良好的发展潜力,近几......
宽禁带半导体材料亦被称为第三代半导体材料，与第一代和第二代半导体材料相比，具有禁带宽度大、电子漂移饱和速度高、介电常数小和导......
氮化镓(GaN)基宽禁带半导体材料是制备高温、高功率、高频电子器件以及发光管、紫外探测器等光电子器件的重要材料。GaN基发光管在......
氮化镓基宽禁带半导体材料由于其化学性质稳定、直接带隙以及带隙可调范围大等特点，因此在高功率、高频电子器件以及发光器件、紫外......
氧化锌(ZnO)是一种重要的N型宽禁带直接带隙半导体金属氧化物材料,具有六方纤锌矿结构,是使用最早的气敏材料。与其它金属氧化物(T......
宽带隙(WBG)半导体材料ZnO具有禁带宽、激子能量大、高化学稳定性和热稳定性等特点，使得目前高质量ZnO材料和器件的制备成为国际上......
ZnO是一种新型的第三代宽禁带半导体材料，ZnO具有与GaN 相似的纤锌矿结构，它在室温下的禁带宽度为3.26eV，但激子束缚能(60meV)比GaN(2......
近年来,由于宽禁带半导体材料在短波长发光器件、光探测器和大功率电子器件方面的广阔应用前景而备受关注,发展十分迅速,成为研究......
