氧化锌材料相关论文
本工作通过第一性原理(First-Principles)计算研究发现ZnO中等价替代Zn的中性Ca杂质与处于邻近氧原子的反键位(ABO)的H+有强束缚,......
本文阐述了氧化锌压敏电阻的3种磨片工艺，并作了深入阐述和比较，综合生产成本、节耗、性价比，等各种因素，指出采用立式磨削的双端......
掺杂Y2O3使ZnO-Bi2O3-Sb2O3系压敏电阻的电位梯度、能量吸收能力等电气性能得以大幅度提高。本文研究了掺杂0～1.7mol%Y2O3对压......
我们自行设计加工了ZnO生长专用MOCVD系统，该系统直接采用O2气为氧源，不引入其他元素，有利于n型、p型掺杂和载流子浓度的控制。为了克......
氧化锌是一种多功能的材料，特别是纳米氧化锌有着与普通氧化锌完全不同的物理化学性质，在化学、光学、生物和电学等方面都有着广......
氧化锌由于其形貌可控度强，是被研究最为广泛的染料敏化太阳能电池(DSC)光阳极材料之一。通过非水相工艺制备的氧化锌聚集体不......
亚微米波长有序结构由于其不仅蕴含着丰富的物理效应，而且在光子晶体、光子器件工程、纳米光刻等领域有着广泛而重要的应用前景，这些......
氧化锌(ZnO)纳米材料具有禁带宽(3.37eV)，光电性质良好，化学稳定性高，在高场强下，能带易弯曲等优点，被认为是最有前途的场发射阴极材料......
氧化锌（ZnO）材料是第三代宽禁带半导体之一，拥有较宽禁带宽度3.37eV及直接带隙的能带特点，在发光二极管和半导体激光器等光电器件领域......
分别用物理气相沉积法和液相方法在钨丝基底上生长了氧化锌材料。用物理气相沉积法在没有催化剂的条件下在钨丝上得到了氧化锌纳米......
氧化锌(ZnO)是一种直接带隙半导体材料，室温下带隙宽度为3.37eV，激子束缚能为60meV，在高亮度蓝紫光发光器件、紫外探测器、短波长激光......
宽带隙(WBG)半导体材料ZnO具有禁带宽、激子能量大、高化学稳定性和热稳定性等特点，使得目前高质量ZnO材料和器件的制备成为国际上......
氧化锌作为重要的Ⅱ-Ⅵ族半导体材料，其独特的结构和性质已经被证明在电子、光电、电化学、光催化领域有着广泛的应用。纳米材料性......
以醋酸锌为原料，微晶纤维素制备的纳米纤维素为模板，通过水热合成法制备纳米氧化锌材料，通过SEM 照片分析氧化锌直径为600-800nm ......
以醋酸锌和水合肼为原料,油胺为表面活性剂,采用水热合成法成功的制备了三维花状结构氧化锌材料,通过X射粉末线衍射仪(XRD)和......
ZnO光催化剂作为一种"绿色"光催化剂引起了广大研究者的关注。而目前对氧化锌材料的设计主要集中在形貌控制、掺杂和表面改性......
纳米结构，指在三维空间中至少有一维处于纳米尺度范围(1-100nm)的结构，由于其具有体相材料所不具备的新奇的光学、电学以及磁学等性......
现代工业的发展带来了两个需要迫切解决的问题：一是对能源的需求日益迫切，另一个是工业发展对环境造成的破坏。而以半导体材料为基础......
作为一种非常重要的半导体材料，ZnO材料的各种性质已经被广泛的研究和应用。但是由于ZnO材料在制备的过程中，会产生很多杂质和缺陷，导......
氧化锌(ZnO)材料是一种直接带隙宽禁带半导体，具有一系列优异性质。作为未来纳米器件的重要构筑原件，一维ZnO纳米器件的制备及特性研......
ZnO是重要的Ⅱ-Ⅵ族半导体材料,其纳米结构由于独特的性质是目前研究的重点。本论文以Cu作为掺杂源,制备Cu掺杂的ZnO纳米结构,并分......
第2届全国氧化锌学术研讨会于2005年12月20～23日在南京召开。自全国首届氧化锌学术研讨会2003年在海口召开两年以来，国内外有关氧化......
纳米粉体泛指粒径小于100nm的粉末.由于纳米粉体的晶粒小,表面曲率大或比表面积大,存在小尺寸效应、表面界面效应、量子尺寸效应及......
提出氧化锌阀片的漏电流与其化工材料的电导率大小有关,在阀片的配方、工艺固定的情况下,组成材料的电导率高,所烧成的阀片的漏电......
日本株式会社富士通研究所目前已实现使用低成本的氧化锌材料制造半导体元件，并力争于2015年投入市场。......
2006年12月11-12日，自然科学基金委工程与材料科学部在杭州召开了国家自然科学基金重点项目群“氧化锌材料及相关器件基础性研究”2......
ZnO是具有纤锌矿晶体结构的直接宽带隙半导体材料，室温带宽约为3．37eV，激子束缚能为60meV。ZnO和GaN的能带间隙和晶格常数非常接近，可......
理论预言具有室温铁磁性的宽禁带半导体ZnO被人们认为是实现自旋电子器件的优选材料,但目前实验上观察到的铁磁性均被归结于薄膜中......
