【摘 要】
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本工作通过第一性原理(First-Principles)计算研究发现ZnO中等价替代Zn的中性Ca杂质与处于邻近氧原子的反键位(ABO)的H+有强束缚,束缚能达到0.7eV。我们把大的束缚效应归因于更低电负性的Ca把一部分电荷转移给相邻的氧原子从而使得相邻带更多负电荷的氧原子与H+有强束缚。我们的发现与Cermet样品的红外吸收谱实验一致。这一发现可能解决当前间隙H在ZnO中位置的争论。
【机 构】
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集成光电子学国家蕈点联合实验室吉林大学实验区,吉林大学电子科学与工程学院,长春 130012 Sc
【出 处】
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第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
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本工作通过第一性原理(First-Principles)计算研究发现ZnO中等价替代Zn的中性Ca杂质与处于邻近氧原子的反键位(ABO)的H+有强束缚,束缚能达到0.7eV。我们把大的束缚效应归因于更低电负性的Ca把一部分电荷转移给相邻的氧原子从而使得相邻带更多负电荷的氧原子与H+有强束缚。我们的发现与Cermet样品的红外吸收谱实验一致。这一发现可能解决当前间隙H在ZnO中位置的争论。
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