vdmosfet相关论文
功率VDMOSFET是功率电力电子器件的主流产品之一.它在大功率开关、功率放大器等领域中的应用日益广泛.VDMOSFET具有高输入阻抗,低......
详细地介绍了一种新型实用的VDMOSET特征导通电阻的物理解析模型.该模型不仅物理概念清晰,有利于定型指导器件的研制和生产,而且简......
介绍了VDMOSFET工作原理和VDMOSFET导通电阻的组成.利用Mathematica软件作出了VDMOSFET单胞电阻随Lw与Lp变化关系的三维曲线图.以5......
对IGBT模型暂态部分进行了详细的理论分析.考虑到IGBT的工作条件,必须用非准静态分析法描述IGBT的暂态电流、电压波形.并用MATLAB......
文章以正方形单胞为例,较系统地分析了VDMOSFET的特征导通电阻与结构参数之间的关系.重点讨论了N沟道VDMOSFET的P-体扩散区结深Xjp......
对六角形单胞VDMOSFET的特征导通电阻建立了一种新的数学模型-等效截面模型.给出了特征导通电阻与器件的横向、纵向结构参数的关系......
栅电荷是低压功率MOSFETs开关性能的一项很重要的参数.器件优值(Ron*Qg)是常用来量化开关性能的指标.文中对传统结构和新结构的栅......
比较系统地分析了正六角形单胞VDMOSFET的特征导通电阻模型．...
本文以正方形单胞为例,较系统地分析了器件的物理机制、结构及其工作原理,并通过大量计算和分析找出多晶硅窗口区尺寸LW和多晶硅尺......
分析了VDMOSFET导通电阻模型，提出了单胞尺寸是影响导通电阻的最重要因素。单胞尺寸的最佳化选择可使器件的特征导通电阻RonA（单位面......
分析了VDMOSFET导通电阻模型，提出了单胞尺寸是影响导通电阻的最重要因素。单胞尺寸的最佳化选择可使器件的特征导通电阻RonA（单位面......
采用硅片直接键合(SDB)工艺代替传统的外延工艺制备出材料片,并将其应用于VDMOSFET器件的研制.实验结果表明,采用SDB硅片制造出的......
随着电力电子工业的不断发展,面对功率器件在大功率、小体积、低功耗和耐高温等方面更高的需求,碳化硅(SiC)因为其优良的材料特性......
VDMOSFET的一个重要设计目标就是要在单位面积得到最小的导通电阻。理论分析了多晶硅栅长度LP和窗口扩散区长度LW对VDMOSFET特征电......
文章通过对VDMOSFET导通电阻模型的分析，结合VDMOSFET芯片生产过程中用到的等离子刻蚀工艺理论，探索通过优化刻蚀工艺以改善VDMOSFET......
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本文介绍了功率VDMOSFET导通电阻的模型,重点讨论了PW与PT对特征导通电阻RonA的影响,经过大量的理论计算,给出了击穿电压为500V时P......
较系统地分析了正方形单胞结构VDMOSFET的特征导通电阻与结构参数间的关系.详细地介绍了一种新型实用的VDMOSFET的特征导通电阻的......
初步探讨了在VDMOSFET的CAD系统软件设计中有关数据类型的设计及相应的一些处理方法。...
提出了一种提高高压垂直双扩散MOS场效应晶体管（VDMOSFET）的体二级管恢复速度的新方法，在这一方法中，肖特基接触集成于VDMOSFET中的每......
文章主要研究了低压ESD保护栅型沟槽VDMOSFET的设计制造方法。首先简要分析了沟槽VDMOSFET的结构、工作原理以及ESD保护结构的理论......
介绍了利用ＶＤＭＯＳＦＥＴ的寄生ｐｎ结二极管Ｄｓｄ作为温敏元件来测量功率ＶＤＭＯＳ管热阻抗的方法；给出了温敏参数中温度系数和几类功率ＶＤＭＯＳ管瞬态热阻抗的测量结果；讨论......
本文简述了VDMOSFET的结构设计方法和工艺制造过程,针对VDMOSFET大面积化所存在的工艺问题,对大面积无缺陷、无沾污工艺进行了研究......
采用Ｍｏ栅工艺技术和ｎ沟道增强型ＶＤＭＯＳ结构，研制出了在９５－１０５ＭＨｚ，脉宽Ｐｗ＝５０ｕｓ，占空．比ＤＦ＝５％的条件下，输出功率Ｐｏ≥６００Ｗ，共源结构输出功率达６００ Ｗ的高性能ＶＤＭＯＳＦＥＴ。......
详细地介绍了一种新型实用的VDMOSET特征导通电阻的物理解析模型.该模型不仅物理概念清晰,有利于定型指导器件的研制和生产,而且简......
对于IRF7705型30伏P沟VDMOSFET进行了结构优化设计.给出了该器件的纵向结构和横向结构参数及材料的物理参数.较系统地分析了VDMOSF......
主要介绍了VDMOSFET的终端优化设计,讨论了已有终端结构中的场环、场板技术,工作原理.以一种新型的高频VDMOSFET与模拟栅相结合的......
以正方形单胞为例,较系统地分析了VDMOSFET的特征导通电阻与结构参数之间的关系.重点讨论了N沟道VDMOSFET的P-体扩散区结深Xjp-和......
以正方形单胞为例,较系统的分析了VDMOSFET的物理机制及其工作原理,并通过大量计算找出多晶硅窗口区尺寸Lw和多晶硅尺寸Lp的最佳设......
对低压VDMOSFET导通电阻Ron的各个构成部分进行了理论分析 ,较为详细地讨论了窗口区和多晶硅栅区的尺寸和比例对器件的导通电阻的......
简要介绍了VDMOSFET的基本结构,并给出了器件的物理模型.从探索优化VDMOSFET电学参数的角度出发,利用Visual C++语言,编制了VDMOSF......
半导体功率器件是电力电子领域的重要元器件,是实现强电与弱电之间接口的桥梁。在开关电源、变频、显示、节能降耗及生态与环境保......
随着电子技术的迅速发展,为适应各种快速微处理器、便携式电子产品和服务器供电的需求,低电压大电流输出变换器的研究成为十分重要......
文章提出一种减小VDMOSFET栅电荷(Qg)的新结构,通过二维数值模拟:相对于常规VDMOSFET,该结构将栅电荷降低42.93%,器件优值(FOM=Qg*......
提出了在VDMOSFET中减小密勒电容和反向恢复电荷的一种新结构,该结构结合了肖特基接触和分段多晶硅栅的方法。数值分析仿真结果表......
文章对9926型双N沟增强型VDMOSFET进行了结构和版图的优化设计.给出了该器件的纵横向结构参数,材料的物理参数和版图总体结构.单胞......
VDMOSE是垂直双扩散-氧化物半导体场效应管,VDMOS兼有双极晶体管和普通MOS器件的优点,无论是开关应用还是线性应用,VDMOS都是非常......
4.半导体器件家族半导体器件同样是种类繁多、神通广大、各显其能,其族谱如图15所示。在半导体器件中贡献最突出的当属双极晶体管(......
本文介绍一种高可靠的具有自动过流保护的智能高压大功率ＶＤＭＯＳＦＥＴ，已研制出了漏源击穿电压大于２００Ｖ，正常工作电源大于２Ａ；自动保护保护过电流小于４Ａ的器......
利用252Cf源和60Coγ射线源对典型VDMOSFET进行单粒子效应和电离总剂量效应模拟试验,给出典型VDMOSFET的单粒子烧毁(SEB)、单粒子......
