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VDMOSFET的一个重要设计目标就是要在单位面积得到最小的导通电阻。理论分析了多晶硅栅长度LP和窗口扩散区长度LW对VDMOSFET特征电阻的影响，并通过大量计算得到了最小特征电阻时窗口扩散区长度LW的取值方法和多晶硅栅长度LP的取值范围。
低压VDMOSFET元胞尺寸设计
【摘 要】
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VDMOSFET的一个重要设计目标就是要在单位面积得到最小的导通电阻。理论分析了多晶硅栅长度LP和窗口扩散区长度LW对VDMOSFET特征电阻的影响，并通过大量计算得到了最小特征电阻
【机 构】
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西安微电子技术研究所,北京燕东微电子有限公司
【出 处】
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微电子学与计算机
【发表日期】
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2007年12期
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