铜互连相关论文
自65 nm节点取代铝成为布线金属以来,铜被广泛用于集成电路互连工艺,化学机械抛光（CMP）是目前唯一能够达到互连层平坦化要求的加工技......
学位
在集成电路（IC）产业高速化、微缩化发展的时代背景下,器件特征尺寸以及金属互连线宽不断减小。金属铜（Cu）相对于传统互连材料铝（Al）具有......
随着半导体器工艺节点的不断刷新新低,互连技术对芯片最终的质量影响越来越大,主要体现在可靠性、延迟、能耗等性能。自130nm技术......
随着技术节点按照摩尔定律持续降低,特征尺寸进一步缩小,后段集成工艺普遍引入低介电介质材料的多层铜互连工艺以降低Rc延迟带来的......
本文概述了集成电路铜互连清洗工艺中常见的铜腐蚀缺陷的基本常识,介绍了大马士革工艺湿法清洗导致铜互连腐蚀的形成过程。AIO孔洞......
铜互连化学机械抛光(CMP)是IC制备中的关键工艺,阻挡层抛光液的性能是决定平坦化效果及减少表面缺陷的重要因素。研究了不同环氧乙......
本文以Mo，Mo-N，Mo/Mo-N，W/Mo-N以及Mo/Ta-N为研究对象，采用了磁控溅射、反应溅射等技术在Si衬底上生长了Mo，Mo-N，Mo/Mo-N，W/Mo-N以及Mo/......
磁控溅射法制备了Ti-Al(40 nm),超薄Ti-Al(4 nm)薄膜,分别采用X射线衍射仪(XRD)、原子力显微镜(AFM)、四探针检测仪(Four-Point Pr......
随着集成电路技术不断发展,互连RC(R为电阻,C是介质电容)延迟却逐步增大。从130nm技术阶段开始,其已成为影响电路速度的主要矛盾。......
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生......
随着超大规模集成电路特征尺寸不断缩小,多层Cu互连之间的RC延迟成为一个越来越严重的问题。由于低介电常数(low-k)材料配合空气隙......
目前,随着集成电路规模的不断发展,传统的铝互连技术已由铜互连技术取代.铜的超填充主要采用Damascene工艺进行电镀.在电镀液中有......
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生......
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生......
随着器件的特征尺寸越来越小,集成度越来越高,超大规模集成电路(ULSI)中设计的金属导线变细使得金属电阻增大,产生的热量增多,从而......
通过对电镀液中加入适当的整平剂和采用三步电流法 ,成功地将工业镀铜技术应用于 UL SI铜互连线技术中 ,实现了对高宽比为 1μm∶ ......
采用射频磁控溅射法架构了Cu(50 nm)/Nb-Ni(50 nm)/Si异质结,利用四探针电阻测试仪、X射线衍射仪和原子力显微镜等研究了样品在不......
在200℃温度下进行了700h双层铜互连(M1/M2)的应力迁移加速老化试验,结合有限元分析和聚焦离子束(focused-ion-beam,简称FIB)技术......
综述了近年来芯片三维封装中硅通孔(TSV)互连技术中电镀铜工艺的研究进展及存在的问题,指出TSV互连技术今后的研究方向。......
基于Cu的随动强化模型，用二维有限元分析方法，模拟分析了不同互连宽度对Cu互连热应力分布的影响。研究发现，当互连尺寸减小到一定宽度......
建立了三维有限元模型，采用ABAQUS有限元分析软件，模拟计算了Cu互连系统中的热应力分布；通过改变通孔直径、铜线余量、层间介质等，对比......
针对互连芯片化学机械抛光去除机理的认知不足,假设金属材料弹塑性变形连续,对单磨粒划擦互连芯片的材料去除进行了数值表征.通过......
随着超大规模集成电路制造技术的不断进步，互连线寄生电容已经成为超大规模集成电路延时和噪声的主要来源。提出并实现了一种基于电......
研究了薄膜沉积条件之一--氮气和氩气流量比对超薄(10 nm)W-Si-N薄膜作为铜扩散阻挡层的阻挡特性的影响.用薄层电阻、俄歇电子能谱......
通过等离子体与Cu膜表面的分步反应合成了厚约4nm的CuSiN自对准层．采用高分辨透射电子显微术（HRTEM）、纳米电子束探针能谱（EDS）和X射线......
随着铜互连以及low-k电介质在超大规模集成电路中地广泛使用，low-k电介质的机械完整性及其对互连可靠性变得更加重要。影响介电膜的......
在简要介绍多层互连材料的基础上，论述了若干种IC芯片制备中的多层互连技术，包括“Cu线＋低k双大马士革”多层互连结构、平坦化技术、C......
提出了一种新的测试结构（S结构），通过实验、理论推导和有限元分析，研究了铜与TaN扩散阻挡层界面的电流拥挤效应对电迁移致质量输运特性......
采用磁控溅射法在单晶硅衬底上制备了SiCN及Cu／SiCN薄膜，并对试样进行了退火处理。利用原子力显微镜（AFM）、X射线衍射（XRD）、四探针测试......
据伦斯勒理工学院（RensselaerPolytechnicInstitute）研究，碳纳米管在45纳米技术节点上优于铜互连。通过据称是全球首次包含详细的量子......
研究了钌(Ru)/氮化钽(TaN)双层结构对铜的扩散阻挡特性,在Si(100)衬底上用离子束溅射的方法沉积了超薄Ru/TaN以及Cu/Ru/TaN薄膜,在......
本文研究了电镀铜过程中添加剂对55nm技术代双大马士革结构的影响,为集成电路制造生产线提供有力的数据支持.在12英寸电镀设备上,......
在大规模集成电路进入深次微米时代的同时,铜工艺技术也被广范应用在金属互连层的工序当中。电迁移（Electromigration,EM）测试是检测......
随着集成电路的特征尺寸减小至深亚微米以下,互连延迟成为集成电路性能进一步提高的主要障碍.为解决互连延迟带来的危机,国际上已......
文章讨论了进入二十一世纪微电子科学技术所面临的诸多问题：超微细加工新技术，高电导率金属和低介电常数介质的互连技术，SiCMOS工艺的......
研究开发了一个角系数模型来模拟低气压下圆柱靶溅射沉积铜连线。研究包含靶上不同部位对铜连线的均匀性和对称性的影响，也包含圆柱......
随着集成电路互连线特征尺寸的进一步减小,基于铜和低K介电材料的多层互连技术成为降低互连RC延迟的必然选择。研究表明铜互连双大......
随着芯片特征尺寸的持续缩小．IC制程的革新上演着一幕幕改朝换代的传奇故事。轻松的如铜互连PK铝互连，艰难的有LowK、HighK材料部分......
【正】 赛灵思公司日前宣布提供全球第一款90纳米(nm)可编程芯片SPARTAN-3。利用最先进的基于铜互连的90nm半导体制造技术,Spartan......
采用ANSYS有限元软件模拟了不同深宽比铜互连线的残余应力分布情况。结果表明,铜互连线表面和侧壁区域的应力随深宽比升高而增加;......
在甚大规规模集成电路（ULSI）设计中，随看特征足寸的降低，金属线变得更细，从而互联线的电阻增大，产生的热量增多，从而互连线金属铝原予在电......
综述了近年来铜互连电迁移可靠性的研究进展；讨论了电迁移的基本原理、常用研究方法及主要失效机制；探讨了改善铜互连电迁移性能的各......
对硫酸盐体系中电镀得到的Cu镀层,使用XRD研究不同电沉积条件、不同衬底和不同厚度镀层的织构情况和择优取向。对比了直流电镀和脉......
研究了W-Si-N三元化合物对铜的扩散阻挡特性，在Si(100)衬底上用离子柬溅射方法淀积W-Si-N，Cu／W-Si-N薄膜，样品经过高纯氮气保护下的快......
传统集成电路制造工艺主要采用铝作为金属互连材料,但是随着晶体管尺寸越来越小,在0.13μm及以上制程中,一般采用铜大马士革互连工......
