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研究开发了一个角系数模型来模拟低气压下圆柱靶溅射沉积铜连线。研究包含靶上不同部位对铜连线的均匀性和对称性的影响，也包含圆柱靶溅射中的再沉积。研究发现下段柱筒的沉积量大，铜膜在硅盘边缘部分的沟槽中对称性好于上段，但硅盘上铜膜的不均匀性也最严重。当上段柱筒距硅盘距离足够远时，上段柱筒的角系数趋势起到部分抵消中段和下段角系数的不均匀趋势，对沉积铜在硅盘上的均匀性起帮助作用。圆柱顶端和柱筒上段需要提高溅射强度以降低再沉积的不良影响。但是提高柱筒上段的溅射强度会对硅盘边缘线路沟槽中的铜膜的对称性产生不良影响。