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采用磁控溅射法在单晶硅衬底上制备了SiCN及Cu／SiCN薄膜，并对试样进行了退火处理。利用原子力显微镜（AFM）、X射线衍射（XRD）、四探针测试仪（FPP）研究了SiCN薄膜的表面形貌、物相结构及在Cu／SiCN／Si结构中SiCN薄膜对铜与硅的阻挡性能。结果表明，沉积态SiCN薄膜为无定型的非晶结构，晶化温度在1000℃以上；SiCN薄膜作为Cu的扩散阻挡层有较好的热稳定性及阻挡性，阻挡失效温度在600℃左右。