不同氮氩比制备的W—Si—N薄膜的阻挡特性研究

来源 :固体电子学研究与进展 | 被引量 : 0次 | 上传用户：lulaiyue

【摘要】

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研究了薄膜沉积条件之一--氮气和氩气流量比对超薄(10 nm)W-Si-N薄膜作为铜扩散阻挡层的阻挡特性的影响.用薄层电阻、俄歇电子能谱(AES)、X射线衍射谱(XRD)、电容-电压(C-V)

【作者】

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屈新萍陆华茹国平李炳宗

【机构】

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复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室

【出处】

：

固体电子学研究与进展

【发表日期】

：

2005年4期

【关键词】

：

铜互连扩散阻挡层非晶扩散阻挡层三元阻挡层 Cu metallization diffusion barrier amorphous diffusion

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研究了薄膜沉积条件之一--氮气和氩气流量比对超薄(10 nm)W-Si-N薄膜作为铜扩散阻挡层的阻挡特性的影响.用薄层电阻、俄歇电子能谱(AES)、X射线衍射谱(XRD)、电容-电压(C-V)等方法系统研究了氮氩比对W-Si-N、Cu/W-Si-N/Si以及Cu/W-Si-N/SiO2/Si结构的热稳定性、电学稳定性的影响.实验发现,W-Si-N薄膜中氮含量对材料的阻挡特性起重要作用,高的氮氩比使薄膜中氮含量增高,薄膜对Cu的扩散阻挡特性增强.

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