界面态相关论文
研究了混合模式应力损伤对SiGe HBT器件直流电性能的影响，对比了混合模式损伤前后器件1/f噪声特性的变化。结果表明，在SiGe HBT器件......
＜正＞通过对 Al 电极/HfA10/Si 组成的金属一氧化物一半导体电容（MOS-C）的深能级瞬态谱（DLTS）研究,HfA10和 Si 的界面区域缺陷的性质可以......
SiC因其优越的电学特性，已发展成为高压功率器件领域的翘楚。然而，SiC与SiO2界面存在高密度界面态，使得SiC MOSFET沟道迁移率远低于Si......
期刊
碳化硅（SiC）材料具有较宽的带隙,较高的电子迁移率和优越的导热性,因此在电子器件开发中极有吸引力。众所周知,绝缘特性的SiO2层具有......
自旋发光二极管是一种重要的自旋电子器件,该器件是在自旋电子学结合半导体材料而开展的关于自旋注入、操纵和探测的半导体自旋电......
在过去的六十年间,硅基半导体互补场效应（CMOS）场效应晶体管沿着摩尔定律,朝着器件尺寸不断微缩、晶体管密度不断增加的方向快速发展......
雪崩光电二极管（Avalanche Photodiode,APD）广泛应用于光纤通信、激光测距和量子成像等领域中。其中Ge/Si APD由于具有Ge的工作波段......
近年来,人们对空间探索工作的飞速开展,在空间辐射环境中运行的航天器也越来越多,对能长期工作于辐射、极低温等恶劣极端环境中的......
电子产品的发展由于功率MOS器件的出现进入到了一个节能高效的新阶段。为了进一步降低特性阻抗,提高集成度,功率MOS器件的研究重心......
相比于传统的第一代、第二代和第三代半导体,β-Ga2O3作为一种新型的半导体材料,具有4.8-4.9 e V的超宽禁带宽度和8 MV/cm的超高临......
一氧化氮退火是目前业内界面钝化的主流工艺，而钝化效果与一氧化氮退火的条件密切相关，因此选取合适的退火条件提高界面质量显得尤为......
水声定位技术是深海定位和目标跟踪中最重要和最可靠的技术之一。然而,如何产生一种能够抵抗周围噪声、干扰信号和各种缺陷的稳健......
电磁超构材料是一种由亚波长共振单元周期或非周期排列构成的人工复合材料,呈现出天然材料不具备的奇异电磁特性,可以实现对电磁波......
报道了对SiC MOSFET阈值电压漂移评测方法的研究结果.在器件物理层面上分析了造成器件阈值电压发生漂移的原因,MOS界面陷阱、近界......
期刊
信息时代的到来,对人们处理信息的速度提出了崭新的要求。目前半导体技术的发展制约着信息的高效、快速处理,利用光子代替电子成为......
通过氧化一刻蚀一沸水处理的方法(BW法)将欧姆接触合金温度从800℃-1200℃降到100℃下.本文在100℃以下制备了比较接触电阻ρ=5~8......
红外光电探测器已广泛用于各行各业,包括医学诊断、夜视、水雾渗透、航空、目标识别和天文学等领域。本文针对一款低成本、响应范......
基于传输矩阵法,通过计算一维有限光子结构的阻抗,研究了由反转对称层状光子结构构成的组合结构中界面态存在的条件。对于分别由反......
将由两个一维介质层光子晶体组成的异质结拓展为超晶格结构,分析了该结构的能带和透射谱。该超晶格结构可以产生多个界面隧穿态,它......
采用成本低廉的连续离子层沉积法通过在n型Si衬底上沉积γ相的多晶结构的CuI薄膜而制备了CuI/n-Si异质结。并通过测试其光照下的I-......
栅氧化层的击穿和漏电是阻碍半导体集成电路发展的重要因素,提高栅氧化层的均匀性可极大地改善栅氧化层的性能。通过引入N2等惰性......
光子晶体是一种能够调控电磁波的由折射率不同的材料周期排列组成的人工微纳结构,与半导体利用能带调控电子类似,光子晶体也能够利......
碳化硅(SiC)作为一种优异的第三代半导体材料,具有很多优良的电学和物理特性:禁带宽度大、击穿场强高、热导率高、载流子饱和漂移......
钛酸锶(SrTiO_3,STO)是一种具有典型钙钛矿结构的绝缘体,近年来各项实验表明,用氩离子(Ar+)轰击绝缘SrTiO_3后,其表面准二维导电层......
学位
石墨烯因其特异的能带性质,具有很多新奇有趣的现象,广泛地应用在众多领域,而且石墨烯具有很多同素异形体结构,能够进一步调控其能......
本论文主要针对In P基相关半导体光电器件尤其是Ti W/p-In P肖特基器件和In P/In Ga As/In P PIN光电探测器的C-V特性进行了较为深......
随着半导体技术的发展,微电子集成技术已经取得飞速发展,而光子有着相比于电子更加高速的信息传递特性,各类光子结构的尺寸使其在......
用半导体抗辐照的机理说明了ＳｉＣ材料具有良好的抗辐照特性．实验数据的对比表明，ＳｉＣ在器件发光二极管（ＬＥＤ），结型场效应晶体管（ＪＦＥＴ）和金属氧化物半导体场......
对氧离子注入硅与热氧化硅样品内表面的氧分布进行了剖面观测,两者经过磨角的光学界面类同。用二次离子质谱(SIMS)分析,发现热氧化......
利用红外吸收光谱法,测量了氮化硅膜中的氢浓度。在钝化前后,对MOS结构界面性质及MOS器件特性进行了研究。结果表明:氮化硅膜中的......
提高栅介质的界面质量和可靠性一直是功率碳化硅金属氧化物半导体(MOS)器件研发的核心任务之一.基于原子层沉积(ALD)技术,在n型4H-......
光子晶体(PC)是介电材料周期排列的结构,可以实现对电磁波传播性质的操控。类似于半导体材料的能带及其带隙,光子晶体也具有这一重......
石墨烯是一种由碳原子构成的二维六角晶格材料，由于石墨烯是第一种真正意义上的二维材料具有许多新奇的特性和广泛的应用前景，因此石......
半导体的发现让人们有了控制电子的手段,从而带来了技术革命对人类文明有着深远影响。在此启发下,人们寻求在经典波系统中的相应操......
采用表沟p+多晶硅栅/PMOSFET代替埋沟n+多晶硅栅/PMOSFET具有易于调节阈值电压、降低短沟效应和提高器件开关特性的优点,因而在深......
介绍了干氧和氢氧合成两种不同栅氧化方式下制作的N沟输入CMOS运算放大器电路的电离辐照响应特征.并通过对电路内部单管特性损伤分......
期刊
对形成钛酸钡系半导瓷PTCR效应的界面态进行了探讨,分析了在居里点以上由于界面态和介电常数的共同作用引起的材料电阻率猛增几个......
通过TCAD仿真的方法对器件可靠性与结构设计之间的关系进行分析;对栅极电压和栅氧化层最强电场进行仿真,以对碳化硅金属氧化物半导......
基于溶液旋涂法、高压退火工艺,制备了非晶铟镓锌氧化物(IGZO)薄膜、铟锌氧化物(IZO)薄膜和双层IGZO/IZO薄膜,研究了这些薄膜的电......
在高真空系统中 ,将 C70 膜淀积在 n-和 p- Ga As(10 0 )衬底上 ,制成 C70 / n- Ga As和 C70 / p- Ga As两种接触 ,并对它们的电学......
用二维器件仿真软件MEDICI模拟分析了N型槽栅金属 氧化物 半导体场效应晶体管的热载流子特性及其对器件性能所造成的损伤 ,并与......
通过对国产加固N型MOS电容进行衬底热电子高场注入(SHE)及γ总剂量辐照实验，特别是进行总剂量辐射损伤后的热载流子损伤叠加实验，从......
分析指出耗尽层内施主浓度Nd、界面受主态密度Ns和界面能级深度Es是影响ZnO压敏陶瓷电性能的重要参数 .Nd与体内原子缺陷有关 ,室......
针对界面态密度在禁带中的不均匀分布，并且考虑到碳化硅材料中杂质的不完全离化，分析了界面态电荷对N沟6H碳化硅MOSFET阈值电压和跨......
对金属-氧化物-半导体(MOS)器件在低剂量率γ射线辐照条件下的剂量率效应以及温度效应进行了研究.对不同剂量率、不同温度辐照后MO......
