溅射制备相关论文
本文介绍了纳米ZnO具有体材料所不具备的表面效应和量子尺寸效应，从而产生了许多优异的光、电、磁等方面的性质，在光通讯、光存......
TiO2 thin films deposited by magnetron sputtering possess excellent optical transmittance,high refractive index,good adh......
非结晶的公司 x C1 ? x 小粒的电影在 n-Si (100 ) 上被准备由 dc 磁控管劈啪作响的底层。磁性和磁致电阻(先生) 上的公司集中，电影......
Influence of background pressure on the microstructure and optical properties of Mo/Si multilayers f
Thermo-optic tunable thin-film filter based on Fabry-Perot(F-P) cavity structure is a very attractive alternative integr......
研究了用铟锡合金靶直流磁控反应溅射制备ITO透明号电膜。介绍了膜的制备工艺和膜的特性。讨论了成膜过程和热处理对膜的电阻率和......
对用分子束外延（ＭＢＥ）和溅射方法制备的Ｃｏ／Ｃｕ多层膜样品分别进行了结构及磁性研究．Ｘ射线分析表明两者均有良好的调制周期性，并且前者形成外延单晶......
在分析靶源粒子产生和输运过程基础上，建立了反应溅射TiN薄膜的生长速率方程，按此模型的计算与实验结果基本相符。
Based on the an......
由于ＦｅＳ２具有窄的禁带宽度（Ｅｇ＝０．９５ｅＶ）和高的吸收系数（α＞６×１０５ｃｍ－１），使它成为一种很有发展前途的太阳能材料。本文主要介绍了用射频溅射制备铁膜，然后在真空中......
从靶动力学和粒子输运导出了靶中毒的判据．建立的靶中毒模型能体现工艺参数对靶中毒的影响，从而对解决薄膜高速生长与组份匹配的矛盾......
对多靶离子溅射制备的Nb/Si周期多层膜的微结构进行了实验研究。利用X射线衍射和截面透射电子显微镜观测到室温和 56 0℃沉积的Nb/......
利用射频磁控溅射法制备掺铒硫化锌直流电致发光薄膜，用ＸＰＳ（ｘ射线光电子能谱）技术进行剖析，获得薄膜内部构态与发光性能关系的信息，讨论了微......
用金属铝靶射频反应溅射制备了Al2O3薄膜，用作LCD基片玻璃的钠离子阻挡层。报道了射频溅射参数对薄膜沉积速率和折射率的影响。测试......
本文介绍了 RF溅射制备湿度敏感膜技术 ,讨论了衬底温度、工作气体及压力、放电电压及时间对湿敏膜感湿特性的影响。实验结果表明 ......
采用氧化激活AgMg合金在表面形成MgO薄膜,以及采用射频反应溅射沉积法在不锈钢基片上分别制备了MgO薄膜和掺杂CoO的MgO薄膜,研究了......
用RF溅射制备厚度为200nm的Fe-N薄膜在250℃,12000A/m磁场下真空热处理后,当N含量在5%~7%(原子百分数)范围内形成a′+a″相时,4πM......
金属表面的超薄绝缘层能够有效地降低吸附分子与衬底的耦合作用，是研究表面原子和分子特性的重要手段。我们在Cu(100)衬底表面......
一、光学镀膜1.光学三防膜制备工艺的研究长春光机所本文系部分工作总结。较详细介绍了手涂和高频溅射制备光学三防膜的体会、经......
用对向靶溅射制备NiCr－NiSi薄膜热电偶，实现了薄膜成分与靶材基本一致。对热电偶进行动态特性测试表明，薄膜热电偶的时间常数τ随膜厚......
采用常温射频（RF）溅射法和快速热处理相结合的技术，在Pt／Ti／SiO2／Si衬底上，制备出具有铁电性的PZT薄膜。研究了快速热处理工艺条件对PZT薄......
在纯Ar和Ar＋10％O2两种工作气体及不同基极偏压条件下，用射频溅射方法制备了Al2O3薄膜，测量了每个样品的内应力和密度，并对部分样品用X射......
采用射频反应溅射制备了纳米晶WO3薄膜。基于Berg理论建立了WO3射频反应溅射模型,并分析工艺参数对滞回曲线的影响,基于研究了抽速......
高频溅射是近年来薄膜技术的重要发展。这是由于它能制备各种金属、半导体以及介质薄膜,并且具有膜纯、附着牢、成份可保持不变等......
为使不耐潮湿的光学元件,特别是化学稳定性差的(如一些高折射率)光学玻璃,能在恶劣环境下使用,我们采用了高频溅射的方法制备聚全......
自1987年初发现液氮温度下呈现超导特性的Ba_2 YCu_3O_7-δ陶瓷以来,陶瓷超导体的研究已成为物理学者、陶瓷材料学者所关注的中心......
本文利用反应离子束溅射技术制备WO_3薄膜,在衬底温度为室温时,溅射制备的薄膜经电子束(?)时,说明它是无定形的。在电化学过程中,......
本文主要介绍磁控反应溅射制备大面积 ＩＴＯ薄膜（掺锡氧化铟透明导电薄膜）的导电原理、成膜过程、工艺参数的选择以及不同工艺参数对产品......
本文报道了反应溅射制备的氮化锆反光薄膜的光学、机械、腐蚀及老化性能。它具有84％的总反射率,耐腐,耐紫外光,是一种性能良好的反......
利用多层溅射技术制备了ＷＳｉ＿ｘ／Ｓｉ薄膜，然后测量其平面电阻的退火行为，发现平面电阻在６００－７００℃之间退火后有陡降，这对应于非晶ＷＳｉ＿ｘ薄膜中Ｗ＿５Ｓｉ＿３四角相的形成。ｘ射......
本文讨论了在不加温的Ｐｔ／Ｔｉ／ＳｉＯ＿２／Ｓｉ基片上用射频磁控溅射技术制备出的铁电ＰＬＺＴ（７．５／６５／３５）薄膜，以及研制的铁电薄膜电性能测试系统。利用Ｘ射线衍射法对原位溅射和......
本文利用多离子束反应共溅射装置，分别在Ｓｉ和ＭｇＯ衬底上原位制备了ＰｂＴｉ氧化物薄膜。研究表明，利用多离子束反应共溅射技术，可以显著降低薄膜后......
结合实验中的工艺技术参数,以Pb,Ti两金属靶的反应共溅射为例,对我们提出的金属氧化物薄膜的多离子束反应共溅射模型进行数值计算,......
溅射制备的NiTi薄膜因其在智能薄膜系统中的广泛应用而受到重视.通常情况下,溅射制备获得的NiTi薄膜是非晶.而非晶Ni-Ti薄膜没有......
使用射频溅射法制作了Ｇａ２Ｏ３薄膜并对其氧敏特性和温度特性进进了测试和研究，结果表明薄膜电阻与环境气氛中的氧分压的１／４次方成比例而与温度......
用射频溅射制备了一组厚度不同的ＮｉＳｉＢ非晶态薄膜．在不同温度下，用不同时间对薄膜进行了循环退火．实验测量了循环退火后的薄膜电阻随温度的......
研究了高频溅射制备的Ｆｅ／ＳｎＯ２非晶多层膜的磁特性．当ＳｎＯ２层厚度ｄｓ固定为５ｎｍ时，样品的饱和磁化强度Ｍｓ随Ｆｅ层厚度ｄｍ的减小而降低，这主要受样品的死层效应和维度......
ZnO薄膜可以具有压电性和透光导电性两种不同性质，取决制备中的不同沉积条件。本文介绍采用微波电子回旋共振（ECR）等离子体反应溅射制......
用对向靶反应溅射制备的AIN薄膜(Si(100)基片),高气压为(100)取向,低气压下为(002)取向,精确测量XRD衍射峰位可看出AIN薄膜有较大......
因为MgB_2具有较高的超导转变温度Tc，足够长的相干长度，以及相当高的临界电流密度，所以电子装置研究领域对它特别关注。用比较简单的......
氧化锌是一种重要的压电与光电材料,用粉靶代替常规的固体陶瓷靶溅射沉积ZnO薄膜,对基底的加热温度、溅射气压和氧气的混合比率等......
采用共溅射和多层膜溅射两种不同的溅射方式制备FePt：Ag颗粒膜。MFM和TEM微观结构观测的结果表明：与多层膜溅射制备的FePt：Ag颗粒膜相......
