AIN薄膜相关论文
用对向靶反应溅射制备的AIN薄膜(Si(100)基片),高气压为(100)取向,低气压下为(002)取向,精确测量XRD衍射峰位可看出AIN薄膜有较大......
利用时域有限差分方法对二维薄膜体声波谐振器的进行了数值分析。可以精确预测各场分量在在空间和时间上的分布。在记录一段时......
氮化铝(AIN)薄膜材料是一种Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体,因具有多方面的独特性能,而在光电、微电子、压电以及材料保护领域有着广泛的应用......
随着通讯系统和其他相关系统高速发展,声表面波的应用频率也进入了高频(5GHz以上)时代,相比于氧化锌、铌酸锂等普遍使用的压电薄膜材......
该论文工作主要是利用射频反应磁控溅射方法制备AIM薄膜,研究各溅射参数对薄膜生长的影响,测量AIN薄膜的场发射性能,寻找具备优良......
AlN是一种重要的Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料。同其它半导体材料相比,AlN具有很多优良的物理与化学性质。作为直接跃迁型半导体材料的A......
采用直流反应磁控溅射法在Si(111)基片上制备了AIN薄膜,利用XRD、原子力显微镜(AFM)、电流-电压(I-V)测试仪等对不同衬底下制备薄......
期刊
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生......
采用DC反应磁控溅射法,在Si(111)和玻璃基底上成功的制备了AIN薄膜.研究溅射过程中溅射气压对薄膜性能的影响.结果表明:薄膜中原子......
在电弧离子镀弧靶上加挡板,分别在挡板屏蔽区内、外用Si(100)和玻璃片作基片沉积出AlN薄膜.用扫描电镜(SEM),X射线衍射仪(XRD),X射......
研究了衬底温度从-20~20℃下射频磁控溅射A1N薄膜的择优取向程度.利用X线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)和场发射电子显微镜(FESEM)......
采用高真空射频磁控溅射技术,在玻璃基片上,分别于不同沉积条件下制备了AIN系列薄膜,测量了从紫外到近红外波段AIN系列薄膜的透射......
反应磁控溅射制备AIN薄膜时,薄膜的质量与众多实验参数有关.靶基距、溅射功率、工作气体总压及N2气分压等实验参数影响薄膜质量的......
常温下采用反应射频磁控溅射方法在玻璃基底上制备出(002)单一择优取向柱状结构的氮化铝薄膜,通过XRD分析发现溅射功率为80w、溅射气......
本文采用射频反应溅射法在电阻瓷体表面和微晶玻璃片上淀积一层具有择优取向的A1N薄膜,然后再在其上淀积金属电阻膜(80%Ni,20%Cr)或F......
采用高真空直流磁控反应溅射成功地在5种基片上制备出多晶择优取向的AIN薄膜。结果表明,5种基片均可生长(100)面掺优取向的AIN薄膜,并且具有良好的......
采用直流反应磁控溅射法在Si(111)基片上制备了AlN薄膜,利用XRD、原子力显微镜(AFM)、电流-电压(I-V)测试仪等对不同衬底下制备薄膜的结......
就反应式脉冲激光溅射淀积制备氮化铝薄膜的过程,讨论了激光脉冲能量密度及脉冲频率对所有制备薄膜结构性能的影响,并对薄膜的化学稳......
利用电子浴辅助阴极电弧源活性反应离子镀法。在Si、Mo和不锈钢等基材上合成AIN薄膜,采用SEM、XRD及IR对薄膜的表面形貌、晶体结构进行了分析。结果......
利用磁控溅射系统在6061铝材上制备了3μm的AlN薄膜。XRD、椭偏测试及耐压测试结果表明,AlN膜为具有良好取向的多晶薄膜,击穿电压高......
氮化铝(AIN)是一种性能优良的宽能隙直接带隙结构Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料。采用离子源辅助中频反应磁控溅射技术在单晶硅及硬质合......
体声波滤波器由于其低插损、小尺寸、高带外抑制等特性,随着第三代移动通信以及蓝牙技术的发展而得到广泛研究,而MEMS技术和压电薄膜......
在制备NbN/AIN/NbN隧道结的工艺过程中,为了获得具有优质单晶结构的NbN薄膜。我们在MgO(111)基片上探索了直流溅射法制备NbN薄膜的生长......
利用溅射法和分子外延法在不同基片温度下制备的掺Cr的AlN薄膜,具有室温铁磁性能,但它们的磁矩各有不同。然而有关其室温铁磁性能的......
AIN薄膜是一种高温绝缘膜和半导体器件的钝化膜,特别适用于超高频表面波器件,是有很大的应用潜力和发展前景的材料。本文主要介绍A......
射频滤波器具有广阔的市场,已经成为当今无线通信领域内研究的热点之一。无线通信的发展促使更多的功能模块小型化,集成化。传统的介......
本文介绍了用 x-射线衍射仪、扫描电镜和透射电镜来分析用直流平面磁控溅射法在载波片上生长的 AIN 薄膜的结构,结果表明 AIN 薄膜......
以氮气为反应气体,用射频反应溅射方法制备了AlN薄膜,结合XPS和XRD表征考察了热退火后处理对样品场电子发射性能的影响.实验表明,......
用直流反应溅射淀积的AlN薄膜对GaAs功率MESFET进行了钝化。给出了钝化后器件的直流特性。器件的直流参数BVGD、IDSS和Vp在钝化后......
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