射频反应溅射相关论文
本文选取具有介电常数较高、热稳定性优良、与SiO2具有相似能带结构等优异综合性质的Al2O3作为研究对象，利用射频反应溅射的方法，......
采用射频反应溅射技术在硅 (10 0 )衬底上制备了未掺杂和掺In的ZnO薄膜。掠角X射线衍射测试表明 ,实验中制备的掺In样品为ZnO薄膜......
利用射频反应共溅射方法制备了Y掺杂Al2O3电介质薄膜,用掠入射x射线衍射检测了薄膜的结构,用高分辨率扫描电子显微镜(HRSEM)、原子......
用射频反应溅射在硅(100)衬底上生长了c轴择优取向的ZnO薄膜,用X射线衍射仪、荧光分光光度计和X射线光电子能谱仪对样品进行了表征......
用射频反应溅射法在Si(111)衬底上制备了C轴取向的多晶ZnO薄膜,通过不同温度的退火处理,研究了退火对多晶ZnO薄膜结构和发光特性的......
在Ar+O2气氛,采用射频反应溅射Cd-In靶制备CdIn2O4(CIO)薄膜.通过对不同衬底温度下制备和沉积后在氩气流中退火的薄膜进行透射、反......
采用射频反应溅射在瓷管上制备了SnO2气敏薄膜元件，以及用传统方法制备了SnO2厚膜元件．两种元件经测试表现出对乙醇较高的灵敏度，对两......
研究了射频反应溅射三元化合物CdIn2O4薄膜的电学和光学性质,讨论了反应气体中氧气浓度和热处理对CdIn2O4薄膜红外反射率的影响,实......
采用反应溅射法在n型硅(100)衬底上制备了ZnO薄膜,分别用X射线衍射仪、原子力显微镜和荧光分光光度计对样品的结构、表面形貌和光......
用射频反应溅射的方法制备了TiN薄膜，其晶体结构与电阻率都与溅射气氛中N2分量有直接关系。随着N2分量由5％增加到50％，薄膜先是呈现（111）......
采用射频反应磁控溅射方法，通过旋转转盘，使衬底与靶材水平偏离一定角度，制备了C轴择优取向的倾斜AlN薄膜。用XRD分析了不同偏转角度......
为了替代传统的SiO2栅介质，利用射频反应溅射法在Si衬底上制备了新型HfSiON薄膜。研究了HfSiON薄膜的成分、结构和介电性能。由XRD......
本文研究以六方BN为靶材,CH4为反应气体,利用射频溅射技术制备BCN三元化合物薄膜.样品的结构由X射线衍射谱、傅立叶变换红外吸收谱......
采用射频反应磁控溅射法，制备了用于薄膜体声波谐振器的（002）取向的氮化铝薄膜。氮化铝薄膜为（002）取向为主混合少量（103）取向。氮化铝薄......
采用射频反应溅射法成功地制备了非晶态氧化铌薄膜,研究了它们的电致变色性能.这些薄膜在漂白态透明无色,而着色态则为灰褐色.循环......
以氮气为反应气体,用射频反应溅射方法制备了AlN薄膜,结合XPS和XRD表征考察了热退火后处理对样品场电子发射性能的影响.实验表明,......
利用射频反应溅射方法制备了Al2O3非晶薄膜,用椭圆偏振仪获得了薄膜的厚度,用高频C-V和变频C-V及J-V测量了薄膜的电学特性,用X射线......
