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采用射频反应磁控溅射方法，通过旋转转盘，使衬底与靶材水平偏离一定角度，制备了C轴择优取向的倾斜AlN薄膜。用XRD分析了不同偏转角度下制备的A1N薄膜的择优取向度，用场发射扫描电镜（FE—SEM）观察了薄膜的截面形貌，并初步讨论了倾斜AlN薄膜的生长机理。分析和测试结果表明，当转盘旋转角度为10°时，A1N薄膜柱状晶倾斜最明显，倾斜角度可达25°。