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分别使用X衍射仪和紫外（190nm～800nm）分光光度仪，测量了用分子束外延法生长在SIC（001）基底面上的AIN薄膜的X衍射、透射谱和不同温度下的吸收谱．X衍射表明：实验所用的AIN薄膜在P轴存在应变和应力，该应变和应力主要是由于AIN的晶格常量与基底SiC的晶格常量不匹配所致．透射谱表明：AIN薄膜的禁带宽度大约为6．2eV；而其对应的吸收谱在6．2eV处存在一个明显的台阶，此台阶被认为是AIN薄膜中的带边自由激子吸收所产生，忽略激予的结合能（与禁带宽度相比），则该值就时应为AIN的禁带宽度．而其