【摘 要】
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本文使用国产SiC衬底,利用MOCVD技术外延GaN HEMT材料,采用注入隔离形式研制出高工作电压,高输出功率的AlGaN/GaN HEMT,选取典型数据利用ICCAP建立了器件的大信号模型。利用ADS软件仿真优化了GaN MMIC,研制出具有通孔结构的GaN MMIC芯片,连续波测试显示,频率为9.1GHz～10.1GHz时连续波输出功率大于10w,最高输出功率大于11W,带内增益大于12dB
【机 构】
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专用集成电路国家级重点实验室,石家庄 050051 中国电子科技集团公司第十三研究所,石家庄 050051 西安电子科技大学微电子学院,西安 710071
【出 处】
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第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
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本文使用国产SiC衬底,利用MOCVD技术外延GaN HEMT材料,采用注入隔离形式研制出高工作电压,高输出功率的AlGaN/GaN HEMT,选取典型数据利用ICCAP建立了器件的大信号模型。利用ADS软件仿真优化了GaN MMIC,研制出具有通孔结构的GaN MMIC芯片,连续波测试显示,频率为9.1GHz～10.1GHz时连续波输出功率大于10w,最高输出功率大于11W,带内增益大于12dB,脉冲测试输出功率达到16W。
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大功率InGaN/GaN多量子阱蓝光发光二极管在大注入电流下由于载流子泄露而引起的效率下降问题是目前限制大功率发光二极管光电特性及其应用的突出问题。本文通过在P型GaN和InGaN/GaN多量了阱(MOW)有源区之间插入P型AlGaN/GaN多量子势垒(MQB)电子阻挡层,利用多量子势垒对电子的量子反射作用,有效的解决了大注入下载流子泄露问题。与未使用多量子势垒电子阻挡层的样品相比,MOB样品的光
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用X一射线衍射(XRD)测试研究了熔体外延(ME)生长的截止波长为11-12μm的InAs0.04Sb0.96的结构性质。研究了不同生长条件对InAs0.04Sb0.96外延层结晶质量的影响。结果表明,外延层的结晶质量与生长时的降温过程以及生长舟滑块的重量密切相关。采用60克重的滑块和0.5℃/分的降温速度获得了最佳的结晶质量。用傅里叶红外光谱仪测量了外延层的透射光谱,首次观察到重量不同的滑块下生
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