多量子阱激光器相关论文
生长并制作了GaN基多量子阱激光器,研究了脊形条宽多激光器动态特性的影响。以c面蓝宝石为衬底,在金属有机物化学气相外延(MOCVD)......
(Ⅲ)InP衬底的生长工艺受到人们的广泛关注.相比于(100)InP,(Ⅲ)衬底上生长的多重子阱激光器具有更低的阈值电流、更强的量子限制S......
制作了GaN基多量子阱激光器,实现了室温连续激射。以(0001)面蓝宝石为衬底,在金属有机物化学气相外延(MOCVD))设备上生长激光器外......
本文报导了用固态源分子束外延生长的脊波导2μm AlGaAsSb/InGaAsSb多量子阱激光器....
提出了碰撞锁模多量子阱激光器模式锁定过程的完整的物理模型，该模型全面地考虑了吸收体的饱和吸收效应和瞬态光栅效应及增益区端面......
根据光增益与载流子密度的对数关系 ,通过适应于多量子阱激光器的速率方程的直接模拟分析 ,得到了注入电流、阱数和腔长对多量子阱......
从三层速率方程推导出多量子阱激光器的等效电路模型，并用数量而不是密度来描述载流子及光子行为，避开了传统方法中处处都要涉及到的......
本文报导了我们在波长覆盖4.8-10微米基於带内子带跃迁的InP基量子级联激光器和2.0-2.1微米GaSb基带间跃迁GaSb基多量子阱激光器的......
本文提出了一种改善集成器件中各部分之间耦合效率的新结构,通过SEM照片观察多种情况下的外延形貌,研究了不同的刻蚀方法和工艺步......
该文在零净应变条件下对1.55μmInGa/As/InGasP应变补偿多量子阱(SCMQW)激光器的阈值特性进行了分析。计算结果表明，为了实现SCMQW......
该文综述了量子阱材料由晶格匹配量子阱到应变量子阱最后到目前的应变补偿量子阱的发展过程。同时报导了他们开发的１．３μｍ和１．５５μｍ高可靠的......
该论文通过对分子束外延生长动力学的理论分析,对高功率缓变折射率分别限制多量子阱(GRIN-SCH MQW)半导体激光器的外延片的结构进......
微环激光器是半导体激光器的一种，可以用多种设计方法进行工艺制备。由于微环器件具有光学双稳态特性，这是光学存储的基础特性，所以研......
提出外部光注入多量子阱激光器激光混沌相位控制同步,及其混沌相位相移键控外调制ON/ON全光保密通信系统,数值模拟了在相位控制器......
A Novel Investigation on Using Strain in Barriers of 1.3 μm AlGaInAs-InP Uncooled Multiple Quantum W
<正> In this study we investigate strain effect in barriers of 1.3 μm AlGaInAs-InP uncooled multiple quantum welllasers......
分析了相位载波（PGC）技术的模拟数字混合解调方案，提出了一种改进的模拟数字混合系统。此系统可降低采样频率，消除寄生调幅的影响，同时......
Theory of Dynamics In-Phase Locking and Quasi-Period Synchronization in Two Mutually Coupled Multi-Q
我们互相在二学习动力学联合 multi-quantum-well 激光。我们执行同步的理论、数字的分析，反同步，在二相同激光的同相的锁住但是 det......
根据对ＩｎＧａＡｓＰ－ＩｎＰ分别限制量子阱激光器结构的注入效率的分析和利用Ｘ射线衍射结ＩｎＧａＡｓＰ－ＩｎＰ２０个周期的多量子阱结构异质界面的研究，设计，制备了４个阱的ＩｎＧａＡｓＰ－ＩｎＰ分别限制......
报道了一种基于激射光谱进行半导体激光器热特性测量的实验方法。结果表明，基于分析在不同脉冲驱动条件下1．3μm InAsp/IngaAsp脊波......
针对目前多量子阱激光器结构设计中，忽略了载流子在每个阱内的注入不均匀性的问题，从泊松方程和电流连续方程，提出每个阱单独考虑的计......
描述了一种基于InP材料沿[011^-]晶向湿法化学腐蚀形成平滑侧壁实现的InP基多量子阱激光器和异质结双极晶体管驱动电路单片集成。......
根据光增益与载流子密度的对数关系，通过适应于多量子阱激光器的速率方程的直接模拟分析，得到了注入电流、阱数和腔长对多量子阱激光......
研究外部光注入多量子阱激光器四维系统动力学行为及其分岔，数值模拟了外部光注入光强度、频差以及激光器线宽增强参数、驱动电流对......
本文报道了采用全ＭＯＣＶＤ生长的１．５５μｍ单片集成ＤＦＢ－ＬＤ／ＥＡ组件的制作和在ＤＷＤＭ系统上的传输测试结果，该发射模块在２．５Ｇｂｉｔ／ｓ ＤＷＤＭ系统上进行传输试验，传输２４０ｋｍ后无误码，其通道代价......
Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体激光器在紫外、可见光、红外等波段均有重要应用，具有广阔的发展前景。然而激光器的性能，包括阈值电流、光谱特......
报导了采用全ＭＯＣＶＤ生长的１．５５μｍ单片集成ＤＦＢ－ＬＤ／ＥＡ组件的制作和在ＤＷＤＭ系统上的传输测试结果。出纤功率Ｐｆ≥２．５ｍＷ＠Ｉｆ＝７５ｍＡ，边模抑制比ＳＭＳＲ＞３５ｄＢ，调制器反向偏压为２．５Ｖ时的消光比为１４ｄＢ。该发射......
为了优化应用于光纤通讯和CATV系统需求的高性能的量子阱激光器,对波长在1.55μm左右的InGaAsP/InP量子阱激光器的有源区结构和量......
利用LASTIP软件理论分析了有源区量子阱数目对不同组分的In Ga As Sb/Al Ga As Sb 2μm半导体激光器能带、电子与空穴浓度分布以及......
