子带跃迁相关论文
采用有效质量模型下的4×4 Luttinger-Kohn哈密顿量矩阵对In0.53Ga0.39Al0.08As/InxGa1-xAs0.9Sb0.1量子阱结构的能带进行了计算。......
本文理论上利用二能级近似下的传递矩阵法,给出了GaAs/Al_xGa_(1-x)As二阶非线性光学系数X_(2ω)~(2)的解析表达式,通过数值计算,......
本文报导了我们在波长覆盖4.8-10微米基於带内子带跃迁的InP基量子级联激光器和2.0-2.1微米GaSb基带间跃迁GaSb基多量子阱激光器的......
左手材料是一类介电常数和磁导率同时为负值的人工电磁超介质材料，具有一系列常规材料所不具有的独特的电磁特性（负折射效应、突破衍......
利用微观运动方程计算了超快红外泵浦光引起的半导体双量子阱结构的子带间极化.基于自洽场理论,可以求出瞬态探测光吸收系数.这一......
简要报道了自行研制的InGaAs/InAlAs量子级联激光器 的制备及其主要特性.该器件具有增强型脊型波导结构，在80K时阈值电流为0.5A，相应......
详细论述Si/SiGe量子级联激光器的工作原理,通过对比找到一组合适的Si,Ge和SiGe合金的能带参数,进而应用6×6 k·p方法计算了不同......
为了实现基于光整流方式的室温下宽调谐高效率太赫兹源,设计了一种适于双波长CO2激光器共振子带跃迁泵浦的双阱嵌套形非对称量子阱......
利用微观运动方程计算了超快红外泵浦光引起的半导体双量子阱结构的子带间极化。基于自洽场理论，可以求出瞬态探测光吸收系数。这一......
本文报道了采用分子束外延技术制备的三色In As/Ga As量子点红外探测器.器件采用nin型结构,吸收区结构是在In Ga As量子阱中生长含......
氮化物子带跃迁探测器具备在近红外通讯波段高速工作和在太赫兹波段室温工作的潜力,但材料强的极化作用容易造成器件效率降低.本文......
通过在室温下ＺｎＣｄＳｅ－ＺｎＳｅ组合超晶格结构的电调制反射谱的测量，观测到分别来自两组晶格的跃迁，由曲线拟合出的跃迁能量与由包络函数近似计算得到......
目前对量子阱结构的制备日趋成熟化,由于具备大的跃迁矩阵元和非常小的材料尺寸，各种半导体量子阱结构的材料应用到量子光学领域之......
采用有效质量框架下一维有限深单阱的Ｋｒｏｎｉｇ － Ｐｅｎｅｙ 模型对ＩｎＡｓｙＰ１ － ｙ／Ｉｎ１ － ｘＧａｘＡｓｙＰ１ － ｙ 量子阱结构的跃迁波长与组分及阱宽间的关系进行了计算，并采用能量平衡模型计......
采用有效质量框架下一维有限单势阱的Kronig-Pency模型对InxGa1-xAsySb1-y/Al0.25Ga0.75As0.02Sb0.98量子阱激光器结构的子带跃迁......
太赫兹场作用下的低维半导体的带间和子带间的相干动力学过程是当前理论和实验研究的热点。在太赫兹场作用下,低维半导体器件表现......
半导体异质结的光学性质一直是凝聚态物理研究的热点之一。在外加直流电场和太赫兹电场的作用下,半导体异质结表现出很多有意义的......
学位
GaN基多量子阱薄膜在紫外和红外探测领域有着重要的应用前景，同时其探测性能又在很大程度上受制于外延薄膜的晶体质量，所以对外延薄......
红外探测技术在军事和民用领域有着广泛而重要的应用，其核心技术之一则是红外探测器。基于子带间跃迁的量子结构红外探测器在材料制......
近年来，AlGaN/GaN多量子阱是实现基于子能带跃迁的红外光电子器件最理想的材料之一。由于大的导带带阶（1.7eV）及强的电子声子作用使得......
III族氮化物半导体及其化合物发光器件的发光波长覆盖了绿光到紫外的范围。而量子点生长技术的发展,可以通过S-K模式生长出相对均......
学位
Si／SiGe量子级联激光器是一种新型的带内跃迁的红外光源，突破了Si基材料间接带隙特性对光跃迁的限制。Si/SiGe量子级联激光器的开发......
期刊
