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介绍了Ｘ波段１．５Ｗ ＧａＡｓ ＭＭＩＣ的设计，制作和性能测试，包括ＭＥＳＦＥＴ大信号模型的建立，电路ＣＡＤ优化，ＤＯＥ灵敏度分析及Ｔ型栅工艺研究等。微波测试结果为：在频率９．４￣１０．２ＧＨｚ下，输出功率大于３２ｄＢｍ，增益大于１０ｄＢ。
X波段1.5W GaAs MMIC研究
【摘 要】
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介绍了Ｘ波段１．５Ｗ ＧａＡｓ ＭＭＩＣ的设计，制作和性能测试，包括ＭＥＳＦＥＴ大信号模型的建立，电路ＣＡＤ优化，ＤＯＥ灵敏度分析及Ｔ型栅工艺研究等。微波测试结果为：在频率９．４￣１０．２ＧＨｚ下，输出功率大于３２ｄＢｍ，增益大于１０ｄＢ。
【机 构】
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电子十三所
【出 处】
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半导体情报
【发表日期】
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1999年6期
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