应力调制氮化镓基无荧光粉白光LED光电子学特性的研究

来源 :第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户:xm_104
下载到本地 , 更方便阅读
声明 : 本文档内容版权归属内容提供方 , 如果您对本文有版权争议 , 可与客服联系进行内容授权或下架
论文部分内容阅读
本文中我们利用插入应力调制InGaN层的方法制备了无荧光粉的氮化镓基单芯片白光LED。利用X射线衍射倒空间分析和扫描电子显微镜对LED器件在室温下形状随注入电流变化的电致发光谱和光致荧光表征结果进行研究。InGaN插入层的应力调制作用和LED的多波长光学性质之间的关系被归结为在器件结构中出现的倒金字塔形深坑中心和外围区域之间的In组分涨落。而这些位于贯穿忙错尾端的深坑是由于InGaN插入层的应力弛豫过程所导致。
其他文献
本工作利用CVD的方法在AIN/Si(111)衬底上成功实现了4H-SiC薄膜的异质外延生长,用高分辨X射线衍射仪(HRXRD)、扫描电子显微镜(SEM)、拉曼散射(Raman Scattering)对所得样品的结构特征、表面形貌等进行了表征测量。XRD测量结果显示得到的SiC薄膜具有单一的晶体取向;Raman散射谱线初步表明得到的SiC漳膜为4H型态。衬底温度过低,不利于Si、C原子选择合适的格
有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diodes,OLEDs)以其制备工艺简单、成本低、发光颜色可在可见光区内任意调节以及易于大面积和柔韧弯曲等优点,被认为是未来重要的平板显示技术之一,在未来照明光源领域也显示了诱人的应用前景。一般认为,如果OLEDs的发光效率超过100 lm/W,就有可能取代一般照明。本文报道了我们在白光OLED方面取得的最新进展,开发出了全荧光型、荧
我们利用发光光谱和荧光寿命分析技术研究了CdTe/CdS核壳半导体纳米晶的发光特性。用化学方法合成了2.0和3.0 nm的CdTe裸核纳米晶,然后用SILAR技术在它们的表面生长不同厚度的CdS壳层,获得了CdTe/CdS核壳半导体纳米晶。随着CdS壳的厚度的增加,2.0 nm核的CdTe/CdS核壳纳米晶的发光峰存在显著的波长红移,并且其辐射寿命存在显著的变长,但是3.0nm核的CdTe/CdS
为了提高IV-VI族中红外激光器的工作温度,本文采用分子束外延生长技术,在Cd0.96Zn0.04Te(111)衬底上外延生长了以PbTe /Pb1-xSrxTe量子阱为有源区的p-n双异质结发光二极管。高分辨X衍射(HRXRD)和光致发光谱(PL)测量表明PbTe/Pb1-xSrxTe量子阱具有很好晶体质量和发光特性。制作的二极管I-V特性测量显示正向工作开启电压为0.35V左右。工作电流1.6
采用金属Ti插入层在氧化物外延设备中制备了高质量自支撑GaN厚膜。金属Ti插入层有助于晶体质量的提高,X射线衍射测量发现(0002)峰摇摆曲线的半高宽只有260 arcsec。扫描电子显微镜测量显示,腐蚀后的自支撑GaN厚膜表面有位错延伸形成的六角坑,并估算出样品位错密度约为2.1×107cm-2.最后研究了样品在低温下的荧光特性,证明了得到的无应力自支撑GaN厚膜具有很好的晶体质量和光学质量。
采用两种不同的方法分别确定了在c面蓝宝石上用氢化物气相外延(HVPE)法生长的六方相的GaN厚膜中的位错密度。首先,利用选择性化学腐蚀方法研究了GaN膜中的晶体缺陷,研究区分了位错的不同类型,发现存HVPE GaN贯通位错占主导地位。由腐蚀后形成的腐蚀坑数量可以直接来确定膜中的位错位错密度。此外,研究了用特定的x射线衍射峰半峰宽数据计算得到位错密度的方法。结果表明,氢化物气相外延生长的六方相的Ga
使用金属氧化物化学气相沉积技术生长镁重掺杂的InGaN合金从而得到p型InGaN,然后采用XRD技术对InGaN合金的铟组分进行测定,测得铟组分为0.18。用电子束蒸发的方法在p型In0.18Ga0.82N上制作Ni(20nm)/Au(120nm)电极,并在空气气氛下采用不同的温度进行退火。用传输线方法研究不同温度下的比接触电阻率,发现在500℃退火30s时得到了比接触电阻率的最优值5.8×102
自主研制的GaN HEMT,栅源泄漏电流从10-4A鼍级减小到了10-6A量级,有效提高了栅漏击穿电压,改善了器件工作特性。采用MIS结构制作了2.5mm栅宽GaN HEMT,测试频率为8GHz,漏源电压Vds=33V时,器件连续波输出功率18.2w,功率增益为7.6dB,峰值功率附加效率为43.0%.2.5mm×4 GaN HEMT内匹配器件,测试频率8GHz,连续波输出功率64.5W,功率增益
生长并制作了GaN基多量子阱激光器,研究了脊形条宽多激光器动态特性的影响。以c面蓝宝石为衬底,在金属有机物化学气相外延(MOCVD)系统上生长激光器外延片。制作了条宽分别为8μm、4μm、2.5μm的脊形波导激光器。通过对不同脊形条宽激光器脉冲激射波形的测量来比较他们的温度特性。通过热学模拟计算发现,在相同电流密度下脊形条宽越小有源区温度越低。其中条宽4μm的激光器实现了低温243K的连续激射。条
本文研究了采用金属有机物化学气相外延方法(MOCVD)生长InGaN合金薄膜,分析了富Ga组分和富In组分InGaN合金的晶体结构和光电学性质。发现富Ga组分的InGaN合金相对于富In组分的InGaN具有较优异的晶体质量和较低的本底电子浓度,并结合光致荧光和光吸收手段分析了合金对能带带隙的调节作用。本文还研究了基于InGaN合金制备的光电极,发现工作于水稀释的HBr电解液中的InGaN光电极在可