氢化物气相外延相关论文
氮化铝（AlN）是一种重要的超宽禁带半导体材料。本文研究了采用氢化物气相外延（HVPE）方法生长氮化铝的表面形貌演化和生长机理。AlN的制......
由于AlN具有禁带宽度大,热导率高,击穿电压高,与AlxGa1-xN合金材料晶格常数及热膨胀系数接近等特点,使得AlN成为AlxGa1-N基紫外光......
AlN及其合金是深紫光电子器件和高频大功率微波器件的理想制备材料.然而由于AlN本身的材料特性,导致其生长制备比较困难.一般而言,......
采用金属Ti插入层在氧化物外延设备中制备了高质量自支撑GaN厚膜。金属Ti插入层有助于晶体质量的提高,X射线衍射测量发现(0002)峰......
建立了用于生长直径为15.24cm(6inch)的Ga2O3材料的氢化物气相外延(HVPE)生长腔的二维几何模型，对Ga2O3材料的生长进行了数值模拟。......
GaN材料作为第三代宽禁带半导体材料的典型代表,有着十分广泛的应用.氢化物气相外延法由于其生长速度快,可以生长均匀、大尺寸GaN......
用氢化物气相外延 (HVPE)方法在Si(III)衬底上成功横向外延生长出晶体质量较好的GaN薄膜材料。透射电子显微镜 (TEM )的研究结果表......
研究了原位退火对用氢化物外延方法在(0001)面蓝宝石衬底上生长的氮化镓(GaN)外延薄膜的结构和光学性能的影响.测试表明,氨气气氛......
在低温HVPE-GaN/c-Al2O3模板上射频溅射ZnO作为缓冲层,采用氢化物气相外延(HVPE,hydridevapoarphaseepitaxy)法外延生长了高质量的......
使用钠熔液液相外延在GaN/蓝宝石衬底上生长出GaN晶体;研究晶体生长速度与生长压力的关系,使用DCXRD对样品进行表征,发现在氮气压......
通过介绍蓝宝石衬底上生长氮化铟(InN)单晶薄膜的发展历程,阐述了生长该单晶薄膜的几种方法及生长过程中存在的一些问题和改进措施......
对用氢化物气相外延 (HVPE)方法生长的n型GaN进行光助电化学 (PEC)腐蚀研究 ,发现了位错中止腐蚀的直接证据 ,并对其机理作了探讨......
在自制设备上用氢化物气相外延(HVPE)方法在α-Al_2O_3以及GaN/α-Al_2O_3衬底上生长了InN薄膜,并对其性质进行了研究。重点研究了......
作为一种新型超宽禁带半导体材料,氧化镓(Ga_2O_3)在材料外延、功率器件和日盲探测器件研究方面已经取得显著进展。研究表明Ga_2O_......
以氮化镓(GaN)为代表的第三代半导体材料因其带隙宽、热导率高、电子饱和漂移速率大、击穿电压高以及抗强辐射等诸多特色,不仅在蓝......
Al N在III族氮化物半导体中具有较大的直接带隙,室温下约为6.2e V,是重要的蓝光和紫外发光材料。Al N材料还具有热导率高、电阻率......
使用数值模拟的方法,对氢化物气相外延(HVPE)生长α-Ga2O3材料的温度和反应源气流进行了优化.区别于传统的在反应腔内HCl或Cl2携带......
采用自制的立式HVPE设备,在GaN/蓝宝石复合衬底上生长了GaN厚外延膜,利用AFM,SEM,XRD,RBS/Channeling,CL,PL以及XPS等技术分析了厚......
由中国发光学会发起并委托苏州半导体总厂承办的发光二极管专业学术讨论会,于九月五日至九日在苏州召开。与会代表来自全国有关研......
以氮化镓(GaN)为代表的第三代半导体材料,是我国重要战略发展方向之一,而氢化物气相外延(HVPE)作为一种重要材料生长技术,是有效制......
描述了GaN材料的主要性质及其制备方法，提出常规方法存在的问题，介绍了HVPE 方法制备厚膜氮化镓准衬底方法，综述了国内外研究进展。......
虽然GaN基的蓝绿色发光器件已经取得成功,但是高效率的深紫外LED器件发展缓慢。InAlGaN材料被用于深紫外发光器件的有源区,AlN......
随着半导体技术的不断发展，半导体材料已经发展到了第三代，GaN单晶体材料凭借其优越的性能，成为第三代半导体材料中迄今理论上电光转......
纤锌矿结构的氮化铝(AlN)具有6.2eV的带隙宽度，覆盖了200～400nm的紫外光谱范围，使得其成为制备深紫外光电子器件和高功率、高频电子器......
GaN衬底是解决目前GaN基光电子器件发展瓶颈的主要途径，氢化物气相外延HVPE(Hydride Vapor Phase Epitaxy)是获得GaN衬底的主流技术......
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生......
利用氢化物气相外延 (HVPE)生长系统 ,提出并采用在生长区添加额外 HCl的方法改变 Ga N的极化生长方向获得 Ga面极化具有平滑表面......
采用镀Ti插入层在氢化物外延设备中制备了高质量自支撑GaN厚膜。X射线衍射测试发现(0002)峰摇摆曲线的半高宽为260arcsec;5K下样品......
使用气相沉积SiO2和普通光刻以及湿法腐蚀方法,在c面蓝宝石上开出不同尺寸的正方形窗口,在窗口区域中露出衬底,然后使用氢化物气相......
目的研究衬底温度与ＧａＮ形貌及其性能之间的关系．方法用氢化物化学气相沉积方法，在不同类型的衬底，Ｓｉ（１１１），Ｓｉ（１００），ＧａＡｓ，ＧａＰ（１１１）的Ｐ和Ｇａ面上气相生长ＧａＮ薄膜材料，生长是在低于......
对用氢化物气相外延（HVPE）方法生长的n型GaN进行光助电化学（PEC）腐蚀研究，发现了位错中止腐蚀的直接证据，并对其机理作了探讨。......
GaN膜在传统生长过程中主要通过异质外延获得,这往往会产生晶格失配和热失配,给GaN带来严重的位错和应力。目前降低位错最广泛的方......
Effect of Substrate Nitridation on Properties of Thick GaN Film Grown by Hydride Vapour Phase Epitax
Thick GaN films were grown on the sapphire substrate by hydride vapour phase epitaxy. The properties of GaN films were f......
利用氢化物气相外延（HVPE）生长系统，提出并采用在生长区添加额外HCl的方法改变GaN的极化生长方向获得Ga面极化具有平滑表面的GaN生长......
采用两种不同的方法分别确定了在c面蓝宝石上用氢化物气相外延(HVPE)法生长的六方相的GaN厚膜中的位错密度。首先,利用选择性化学......
异质外延生长和降温过程中的失配会引起HVPE厚膜样品的弯曲,较大的弯曲会导致薄膜开裂和剥落。利用高分辨X射线衍射仪(XRD)分析,HV......
建立了HVPE的GaN流体动力学模型。基于CFD理论在三维空间内模拟了垂直式HVPE反应室生长GaN材料的流场、生成物的分布及沉积速率等......
基于CFD理论得出了不同条件下的温场分布,研究了流速变化对HVPE反应器温场的影响。在模拟计算中,流场数值模拟基于非交错网格系统......
对在c面蓝宝石上用氢化物气相外延法（HVPE）生长的六方相纤锌矿结构的GaN膜中的应力进行了分析。高分辨X射线衍射（002）面和（102）面摇摆曲......
氢化物气相外延(hydride vapor phase epitaxy,HVPE)工艺的关键是确保加热炉的温场恒定和高精度控制。由于HVPE生长设备温度控制过......
文章介绍GaN材料作为核探测器的潜在优势和国内外的研究状况,并概要综述GaN材料外延的主要技术、特点及其最新发展。通过模拟计算,......
根据流体动力学模型,研究了反应气体在反应室内的浓度分布,以及反应室的温场分布.NH3浓度在衬底附近分布均匀,而GaCl浓度在衬底中......
研究了采用低温氮化铝(LT-AlN)插入层的厚膜GaN的氢化物气相外延生长(HVPE),并比较了7nm厚的LT-AlN插入层在经过不同退火时间后对G......
采用自制的立式HVPE设备，在GaN／蓝宝石复合衬底上生长了GaN厚外延膜，利用AFM，SEM，XRD，RBs／Channeling，CL，PL以及XPS等技术分析了厚膜的结构......
研究了原位退火对用氢化物外延方法在（0001）面蓝宝石衬底上生长的氮化镓（GaN）外延薄膜的结构和光学性能的影响．测试表明，氨气气氛下在生......
测量了氢化物气相外延方法生长的非特意掺杂和掺碳GaN外延膜的光致发光谱,并在光致发光谱峰位2.25 eV(550 nm)附近分别测量了光致......
根据GaN氢化物气相外延生长（HVPE）的原理，设计制作了双温区卧式HVPE系统．根据实际生长中出现的问题和GaN样品的测试情况．对系统进行了逐......
