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测量了氢化物气相外延方法生长的非特意掺杂和掺碳GaN外延膜的光致发光谱,并在光致发光谱峰位2.25 eV(550 nm)附近分别测量了光致......
采用光致发光谱、光致发光激发谱以及拉曼光谱对GaN基量子阱材料进行了实验观察和分析.实验结果表明样品中量子点结构不均匀及InGa......