【摘 要】
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本文研究了采用金属有机物化学气相外延方法(MOCVD)生长InGaN合金薄膜,分析了富Ga组分和富In组分InGaN合金的晶体结构和光电学性质。发现富Ga组分的InGaN合金相对于富In组分的InGaN具有较优异的晶体质量和较低的本底电子浓度,并结合光致荧光和光吸收手段分析了合金对能带带隙的调节作用。本文还研究了基于InGaN合金制备的光电极,发现工作于水稀释的HBr电解液中的InGaN光电极在可
【机 构】
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江苏省光电信息功能材料重点实验室,南京大学物理系,南京 210093 环境材料与再生能源研究中心,
【出 处】
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第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
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本文研究了采用金属有机物化学气相外延方法(MOCVD)生长InGaN合金薄膜,分析了富Ga组分和富In组分InGaN合金的晶体结构和光电学性质。发现富Ga组分的InGaN合金相对于富In组分的InGaN具有较优异的晶体质量和较低的本底电子浓度,并结合光致荧光和光吸收手段分析了合金对能带带隙的调节作用。本文还研究了基于InGaN合金制备的光电极,发现工作于水稀释的HBr电解液中的InGaN光电极在可见光辐照下具有稳定的光电响应。InGaN光电极的光电量子转换效率最高达到9％,为利用太阳能提供了一种新途径。
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有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diodes,OLEDs)以其制备工艺简单、成本低、发光颜色可在可见光区内任意调节以及易于大面积和柔韧弯曲等优点,被认为是未来重要的平板显示技术之一,在未来照明光源领域也显示了诱人的应用前景。一般认为,如果OLEDs的发光效率超过100 lm/W,就有可能取代一般照明。本文报道了我们在白光OLED方面取得的最新进展,开发出了全荧光型、荧
我们利用发光光谱和荧光寿命分析技术研究了CdTe/CdS核壳半导体纳米晶的发光特性。用化学方法合成了2.0和3.0 nm的CdTe裸核纳米晶,然后用SILAR技术在它们的表面生长不同厚度的CdS壳层,获得了CdTe/CdS核壳半导体纳米晶。随着CdS壳的厚度的增加,2.0 nm核的CdTe/CdS核壳纳米晶的发光峰存在显著的波长红移,并且其辐射寿命存在显著的变长,但是3.0nm核的CdTe/CdS
为了提高IV-VI族中红外激光器的工作温度,本文采用分子束外延生长技术,在Cd0.96Zn0.04Te(111)衬底上外延生长了以PbTe /Pb1-xSrxTe量子阱为有源区的p-n双异质结发光二极管。高分辨X衍射(HRXRD)和光致发光谱(PL)测量表明PbTe/Pb1-xSrxTe量子阱具有很好晶体质量和发光特性。制作的二极管I-V特性测量显示正向工作开启电压为0.35V左右。工作电流1.6
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