金属有机物化学气相外延相关论文
本文研究了采用金属有机物化学气相外延方法(MOCVD)生长InGaN合金薄膜,分析了富Ga组分和富In组分InGaN合金的晶体结构和光电学性质......
生长并制作了GaN基多量子阱激光器,研究了脊形条宽多激光器动态特性的影响。以c面蓝宝石为衬底,在金属有机物化学气相外延(MOCVD)......
本文对在硅衬底上生长和制备氮化镓基LED，特别是以MOCVD(金属有机物化学气相外延)晶体生长方法制备高亮度可见及紫外光(UV)LED技术......
由于量子点具有独特的类似于δ函数的能态密度函数，以量子点为有源区的光子器件将具有优于传统量子阱器件的性能。InAs／GaAs量子点由......
Ⅲ族氮化物作为带隙从0.7eV到6.2eV连续可调的直接宽带隙半导体材料体系,拥有优越的物理、化学性质,是发展近红外-可见-紫外波段半......
第三代半导体材料GaN，InN，A1N及其合金材料都具有优异的物理化学特性，特别是对于直接带隙的三元合金AlxGa1-xN(0......
本文研究了SOI衬底上采用MOCVD方法生长GaN材料的应力释放机制.采用SIMOX工艺制备的具有薄膜顶层硅的SOI材料作为外延生长的衬底材......
研究了在分子束外延制备的AlN/蓝宝石模板上采用金属有机物化学气相外延生长的非故意掺杂GaN的材料性质.采用X射线衍射(XRD)、透射......
期刊
Ⅲ族氮化物材料具有耐高温、抗辐射、击穿电场强、电子迁移率高等物理特性,并且禁带宽度覆盖了近红外到紫外的光谱范围,已经被成功......
铝镓氮(AlGaN)是第三代新型宽禁带半导体材料的重要代表之一,其禁带宽度可以在3.4eV(GaN)到6.2eV(AlN)范围内连续可调,对应波长可......
