论文部分内容阅读
GaN微波单片集成电路（MMIC）具有高工作电压、高输出功率、频带宽、损耗小、效率高、体积小、抗辐照等特点，具有诱人的应用前景，成为国内外许多研究机构研究热点。与GaAs微波功率器件不同，AlGaN／GaN HEMT具有更高的功率密度，因此可以大大节约芯片尺寸；具有高的阻抗特性，更利于电路的匹配。功率MMIC就其电路形式而言分为共面波导和微带电路两种，本文研制的GaN MMIC采用微带电路形式。