采用MOCVD方法生长出非故意掺杂InGaN薄膜,在此外延层上制作Ni/Au金属接触。通过测量器件的I-V曲线发现存在明显的整流特性,表明Ni......

对不同腐蚀、钝化表面处理的CZT晶片与Au接触的FV特性进行了研究。用XPS分析了钝化前后CZT晶体表面成分，发现钝化后CZT晶片表面形成......

二硫化钼（MoS2）等二维半导体材料是目前气敏材料的研究热点之一。MoS2由于其特殊的二维结构而具有较大的比表面积,同时其表面存在着......

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随着集成电路器件尺寸的持续缩小,与Si超低接触电阻率的要求以及新型源漏结构器件的出现,迫切需要降低金属硅化物的接触势垒。因此......

上个世纪,半导体器件的发明（包括激光器、光探测器、大规模集成电路以及各种光电器件）对现代信息技术革命起了至关重要的作用,引发了......