MOCVD生长相关论文
GaN基HEMT在大功率和高频器件方面应用广泛.虽然目前硅衬底上生长的GaN层和AlGaN/GaN异质结外延的质量还不及在SiC衬底,但是硅衬底......
传统的C面GaN等Ⅲ族氮化物半导体材料由于内部极化电场的存在限制了器件量子效率的提高.M面GaN等Ⅲ族氮化物半导体材料由于具有非......
本文采用了MOCVD生长技术来获得高阻GaN,发现GaN的方块电阻会随着成核层退火压力的降低而迅速升高.当成核层退火压力降到75torr时,......
本文用MOCVD技术生长了非有意掺杂高迁移率GaN外延材料,研究并讨论了非有意掺杂GaN材料获得高电子迁移率的形成机理,给出了非有意......
采用MOCVD生长方法,对比在AlN层上加入δAl/AlN缓冲层和不加入δAl/AlN缓冲层两种生长结构,在Si(111)衬底上生长GaN.试验结果表明,......
Recent advances in quantum dots (QDs) for classical and non-classical light sources are presented. We have established m......
AIGaN薄膜是LED结构的重要组成部分.本文报告我们在AlGaN薄膜的MOCVD生长及p型掺杂研究的新结果.......
High Hole Mobility of GaSb Relaxed Epilayer Grown on GaAs Substrate by MOCVD through Interfacial Mis
The structural property of GaSb epilayers grown on semi-insulator GaAs (001) substrate by metalorganic chemical vapor de......
系统的研究被执行了动态建模在低压力调查流动和垂直旋转托马斯天鹅 MOCVD 反应堆的热模式,用 2-D。由改变并且计算反应堆的几个重......
Nonpolar a-plane (110) GaN films have been grown on r-plane (102) sapphire by metal-organic chemical vapor depositio......
Fabrication of 0.3-μm T-gate metamorphic AlInAs/GaInAs HEMTs on silicon substrates using metal organ
我们在场与一个有效多级式的缓冲计划的介绍在 n 类型硅底层上用 Metalorganic 化学蒸汽免职(MOCVD ) 种的一只 InGaAs 变形高电子......
本文研究了用低压金属有机化合物汽相外延(LP-MOCVD)技术在(100)InP衬底上生长InGaAsp体材料及InGaAP/InP量子阱结构材料的生长条件。三甲基镓(TM63)、三甲基铟(TMh)和纯的砷烷(A8H3)、磷......
本文介绍了MOCVD生长的高质量GaAs和AlAs材料以及(Al)GaAs/AlGaAs分别限制单量于阱激光器.GaAs材料的77K迁移率为122,700cm2/(V·s),GaAs/AlAs具有均匀陡变的界面.激光器的最大光输出功率为4W,平均光功......
本文报道了用低压-金属有机化学气相淀积(LP-MOCVD)方法制作1.3μm应变补偿多量子阱结构材料.X射线双晶衍射摇摆曲线可清晰地看到±4级卫星峰和卫星峰......
MOCVD生长半导体晶体过程中存在严重的气相化学反应,会降低源的利用率,增加系统的能耗,影响批次晶片的均匀性和所有晶片的生长质......
因具有特殊的错开型能带结构,InAs/GaSb II型超晶格材料在红外探测领域具有广泛的应用前景,是目前国际上的研究热点。与传统红......
利用甲醇做氧源,采用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)工艺在硅(111)衬底上生长了一系列的氧化锌薄膜,生长温度为400~600℃。薄膜的表......
用低压-金属有机化学气相沉积(LPMOCVD)方法生长了ZnCdSeZnSe和ZnTeSeZnSe多量子阱(MQWs)。在生长室压力38tor(5×103Pa),衬底面积19×20mm2的GaAs衬底上,生长100周期的ZnCdSeZnSeMQWs,经扫描电镜测量,生长不均......
用低压MOCVD方法生长了InGaAs/InP单量子阱及多量子阱结构。用低温光致发光方法研究了量子阱样品因量子尺寸效应引起的激子能量移......
应用深能级瞬态谱(DLTS)技术研究经MOCVD生长的硅衬底上GaAlAs/GaAs 单量子阱和多量子阱激光器深能级.样品的 DLTS谱表明,在激光器......
用MOCVD生长了用于GaAs变容二极管的结构材料。分别用SiH_4和CCl_4作为掺杂剂对GaAs进行n型和p型掺杂,找到了适合高质量变容管材料的方法.材料用于器件制作,得到......
用MOCVD生长发射波长为808nm的ALGaAs/GaAs量子阱激光器材料。通过在激光器材料的波导中加入多量子势垒(MQB)层,有效地限制电子在阱内的复合以及高能电子溢出阱......
锑化物InAs/GaSb二类超晶格探测器是继碲镉汞红外探测器,量子阱红外探测器之后兴起的高性能制冷型红外探测器,具有暗电流小、俄歇......
会议
实验研究采用MOCVD技术生长量子点.影响量子点MOCVD生长的因素有衬底、环境压强、生长温度、沉积速率、沉积厚度、材料Ⅴ/Ⅲ流量比......
会议
高质量的叠层结构量子点有源区材料是制作高性能量子点激光器的关键。本文报告采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)制备高质量InA......
本文研究了Ⅴ/Ⅲ比对MOCVD生长InAs/GaAs量子点的影响。光致发光谱结果表明,随着Ⅴ/Ⅲ比的降低,InAs/GaAs量子点发光谱的双模......
ZnO基半导体优越的光电性能使之成为发展紫外半导体光电器件的优选材料,但目前ZnO薄膜中高质量p型掺杂实现的困难使其光电器件......
会议
本文通过MOCVD生长实验,利用HRXRD测试手段,来了解AlGaInAs体材料有源层的生长特性,从而指导工艺改进,优化工艺生长参数,通过获得......
MOCVD生长的掺硼氧化锌(ZnO:B)透明导电薄膜,具有天然的“类金字塔”绒面结构,作为硅基薄膜太阳电池的前电极具有良好的“陷光”作......
采用双能态离子注入法向MOCVD生长的n-型。p-型和非有意掺杂的GaN薄膜中注入了稀土元素Yb,并对样品进行了900℃的快速热退火处......
本文报告采用金属有机化学气相沉积法(MOCVD)制备InAs/InGaAsP/InP量子点激光器的研究。通过生长条件的优化获得了高质量量子......