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ZnO室温下的禁带宽度为3.37eV,吸收边位于紫外波段,在可见光区透明,与MgO合金化得到的更宽禁带的ZnMgO薄膜可应用在深紫外光电器件中......
透明导电氧化物薄膜是新型光电薄膜中极为重要的一类,其在太阳光谱可见光范围内透明,对红外光有较强的反射,且电导率较大,因而是一......
随着信息科学技术的发展,电子系统对存储器的要求越来越高,特别是随着可移动智能设备、云计算机、云存储和高清影音的出现。存储器......
用sol-gel法制备ZnO及掺杂Al3+的ZnO半导体薄膜,利用XRD和AFM对薄膜结构和形貌进行表征.测量了不同掺Al量的薄膜在紫外光照射下电......
氧化锌是一种具有立方晶体结构的直接带隙半导体材料。在室温下,通过镁元素的掺杂可制得氧锌镁合金薄膜,使得这种薄膜材料的禁带宽......