间接带隙相关论文
通过水热-溶剂热法制备了BiOCl/Bi2WO6复合材料。采用XRD、SEM、UV-Vis DRS等测试手段对复合光催化剂的结构、形貌和光学性质进行......
采用第一性原理研究了压力对正交相Sr Hf O3电子结构的影响。正交相Sr Hf O3在零压力时的结构参数与已有的实验值和理论计算值一致......
基于密度泛函理论的第一性原理平面波赝势方法,研究了单层二硫化钨(WS2)在掺杂Cr和Mo后能带结构的变化,探索不同原子和掺杂量对能......
采用基于密度泛函理论的第一性原理计算方法计算了单层Mo Te_2的能带结构和态密度,研究了拉伸应变对单层Mo Te_2电子结构的影响。......
本文主要研究浅ＺｎＣｄＳｅ／ＺｎＳｅ单量子阱在７７Ｋ温度下的光致发光．在不同激发密度下，讨论了该结构的发光机制，把７７Ｋ温度下的受激发射归结为是激子－激子散射所引......
研究了Ｓｉ１－ｘＧｅｘ合金半导体中无声子参与光跃迁的产生机制，对由杂质无规分布引起的无声子参与光跃迁给出了一个物理模型。用此模型计算了光跃......
全硅集成光学──理论与工艺（Ⅺ）（续十）第十一讲 全硅集成光学的光源赵策洲（博士，副教授）（西安电子科技大学，西安７１００７１）１前言全硅集成光学的关键问......
半导体硅是制备集成电路芯片和晶体管的重要材料,用硅制成的特种器件可用于检测光信息,由于其间接带隙的能带结构及禁带宽度仅1.12......
在简单盐溶液中添加络合剂——柠檬酸，电共沉积ＧａｘＡｌ１－ｘＡｓ三元化合物。用能谱分析仪进行成分分析，获得化学计量比接近Ｇａ０．７Ａｌ０．３Ａｓ的三元化合物半导体材料。......
在硅分子束外延（ＭＢＥ）系统中，利用Ｓｉ和Ｏ２共淀积的方法生长出化学配比理想的ＳｉＯ２，在此基础上生长了Ｓｉ／ＳｉＯ２超晶格并观察到其光致发光（ＰＬ）谱
In silicon molecul......
根据MBE实际生长条件，采用在应变Si1-xGex／SiMQW结构中同应变相关的Ge的扩散系数，用生长过程的移动边界条件，求解了Ge在Si1-xGex／SiMQW......
采用PECVD法生长的无定型硅和直拉晶体硅为衬底注入Er3+ 离子的掺铒硅 ,经快速退火后在 15K至 2 93K下均可获得波长为 1 54μm的......
利用水热技术原位制备出铁钝化多孔硅样品，并对其发光特性进行了测试。样品具有较强的光致发光强度，而且在室温空气存放过程中其发光......
首次发现ＳｉＣ纳米粉的光致发光效应，通过透射电镜、选区电子衍射、Ｘ射线衍射、高分辨电子显微镜和化学分析，证明量子限制效应是β－ＳｉＣ纳米粉发......
１短波激光器问题可见波段的ＧａＡｓＰ半导体激光器于１９６２年与ＧａＡｓ激光器同时出现［２７］。第一批样品（扩散同质结）用电流泵浦时在红辐射区（～７００ｎｍ）工作。最好的结果在激......
本文对SiGe/Si HBT及其Si兼容工艺进行了研究,在研究了一些关键的单项工艺的基础上,提出了五个离速SiGe/Si HBT结构和一个低噪声Si......
研究了Si在AlxGa1-xAs(0≤x≤1)中的掺杂行为.为比较Al組份对Si掺杂浓度的影响,在用气态源分子束外延生长(GSMBE)掺Si n型AlxGa1-x......
据《化合物半导体》2010年2月4日新闻报导,MIT推出首款锗激光器。随着运算能力的增长,芯片需要更高的带宽连接以传输数据。传统的......
本文通过电化学阳极氧化方法制备了多孔硅 ,并对它的微观形貌和红外吸收光谱进行分析 ,结果 表明多孔硅的微观结构与电流密度、......
通过对比蓝宝石(Al2O3),SiC,Si,ZnO衬底与三种非常规氧化物衬底即LiGaO2,MgAl2O4和LaAlO3衬底上外延生长GaN薄膜的优缺点,指出了在......
近年来,二维晶体材料因其优越的电气特性,成为半导体材料研究的新方向。继石墨烯、二硫化钼之后,近日,在《自然·纳米技术》杂志上......
硅是半导体行业最常见的材料,基于硅材料的电子芯片被广泛应用于日常生活的各种设备中,从智能手机、电脑到汽车、飞机、卫星等。随......
采用密度泛函理论(DFT)的第一性原理超软赝势方法,计算了缺陷对CdS的电子结构和光电特性的影响。计算电子结构结果表明:CdS是带隙......
本文基于第一性原理计算预测了一种新颖的二维稳定结构TeSe_2,结果显示单层TeSe_2是一种半导体材料,其带隙值为2.392 e V.有趣的是......
概述了新型超硬材料——氮化碳(C_3N_4)的晶体结构和合成C_3N_4的实验方法,以及C_3N_4薄膜的TED,XRD,XPS,FTIR,Raman和Hv的测试分......
ZnO(六角纤锌矿结构)是一种重要的Ⅱ一Ⅵ族化合物半导体,具有多种用途,其光学性质已得到许多结果.30年前曾有过它在9.5GPa下转变成......
基于密度泛函理论研究了纤铁矿和锐钛矿型TiO2纳米管的原子结构、稳定性、Young模量以及电子能带结构.计算结果显示:在纳米管直径......
使用密度泛函B3LYP/3-21G*方法,并用周期边界条件模型,计算了B、N掺杂纳米管的结构参数、掺杂能量、能带结构和能隙。研究表明,碳......
钟山微结构科学技术研讨会简讯钟山微结构科学技术研讨会，简称“钟山会议”，由微结构科学技术高等研究中心创办．其宗旨是选择微结构科......
本文研究了在Ｓｉ的图形衬底上生长应变ＳｉＧｅ／Ｓｉ超晶格的结构和其光致发光性质．图形衬底由光刻形成的类金字塔结构组成．发现在组成倒金字塔结构的......
利用第一性原理平面波赝势方法,研究Bi_2Se_3从块体到薄膜的电子结构变化特性。通过分析材料的原子位置以及电子间相互作用,具体探......
中国科学院上海微系统与信息技术研究所的研究人员在硅纳米线阵列宽光谱发光方面取得新进展。研究人员将SOI(绝缘衬底上的硅)与表......
已获得室温连续工作的可见光GaAlAs激光器,激射波长～7600A|°.其电光参数与红外光GaAlAs激光器相似,红外光GaAlAs激光器激射波长～880......
一、前言 十多年前,可见光LED(发光二极管)的商品化标志着其工艺的成熟。然而在这一领域,科技工作者围绕着提高发光效率进行了不......
单晶硅是一种间接带隙材料,不宜制作光发射器件,故常选用如GaAs等直接带隙材料制作。但是硅材料价格低廉,工艺成熟,若能利用硅材料......
采用第一性原理赝势平面波方法,在局域密度近似(LDA)和广义梯度近似(GGA)下分别计算了BaTiO3立方相和四方相的电子结构,并在局域密......
由于Ｓｉ是一种禁带宽度只有１．１ｅＶ的间接带隙材料，其发光效率极低，因此长期以来Ｓｉ被认为是一种不可能用于制作可见光区光电器件的材料．但近一两年......
近两年来，多孔硅的发光特性已经成为国际半导体界的研究热点．介绍了多孔硅器件电致发光方面的研究进展，给出了多孔硅器件的基本结构以......
本文介绍了多孔硅发光（ＬＥＰＯＳ）实验。多孔硅是在ＨＦ电解槽中通过电流把ｎ型硅阳极氧化制成的。用紫外光照射可得到可见光的光发射。在多孔硅层的......
杂质和本征发光强度可反映出掺杂浓度。本文介绍了一种测量６Ｈ－ＳｉＣ中氮杂质的校准方法。该方法对于１０￣（１４）～１０￣（１６）ｃｍ￣（－３）浓度范围内的ｎ型掺杂都是有效的。并对光......
