工艺节点相关论文
高性能芯片设计在7 nm及更高级的工艺节点上,设计规模更大、频率更高、设计数据和可变性更复杂,物理设计难度增大。机器学习在多领......
Altera和TSMC今天宣布他们在TSMC的NexsysTM技术之上开展技术合作，该技术用于芯片系统（SOC）的设计，继续进行革新。合作主要是在90纳米......
解决漏电流问题已刻不容缓采用65nm制造LSI时,电流将难以控制地大量泄漏出来,这种警告之声越来越高。问题的是,这些电流并不是LSI......
本报讯9月6日,Cadence设计系统公司进一步拓展了CadenceEncounter数字IC设计平台的功能,发布了EncounterTimingSystem。这套新系统......
Cadence携CPF通用功率格式扣敲IEEE国际标准大门随着制造工艺的微缩,时序优化和成品率等技术议题,早已人所共识;尤其是如何降低功......
每月都会冒出新的DFM工具公司,很难为65nm工艺做出选择。但在65nm工艺节点方面的三家顶级代工厂已经代你做了一些选择工作。DFM是......
1、引言Altera在65nm半导体制造工艺上的发展策略是充分利用先进的技术和方法,以最低的成本为客户提供性能最好的器件,同时降低客......
英飞凌CEO Wolfgang Ziebart日前声称,半导体产业如今正经历着合并的变异,完全区别于任何以往的变化,供应商将会越来越少,但规模却......
从ASIC转向FPGA开发,将有助于开发人员解决功耗和成本设计问题。随着工艺技术向65nm以及更小尺寸的迈进,出现了两类关键的开发问题......
传统上,数字逻辑的静态功耗不会很高,然而在非常小的工艺节点上,这种情况发生了变化。随着工艺尺寸的降低,数字逻辑的泄漏电流成为......
2007年6月在美国圣迭戈举办的DAC(设计自动化大会)再次揭示了芯片设计领域不明朗的发展前景。而且,组织者正在寻求新的途径来挽回......
传统上,人们总是期望新一代FPGA具有更好的特性和性能。然而,设计工程师必须将这些新特性和高性能集成在与上一代产品相同、甚至更......
德州仪器(TI)的技术主管宣布,采用毫秒退火技术获得了结工程的重大进展,这在TI45nm晶体管技术中扮演了重要角色,目前正在向后半年......
全球领先的半导体设计、验证和制造软件及知识产权(IP)供应商新思科技公司与中国内地最大的芯片代工企业中芯国际集成电路制造有限......
Altera公司宣布,开始提供业界第一款40nm FPGA芯片。面向通信、广播、测试、医疗和军事等各类市场的客户,Stratix IV FPGA在高端FP......
提出了一种RLC互连树零时钟偏差构建方法.给出了RLC互连温度非均匀分布及其延时的解析公式,并推导计算了最优的零时钟偏差点,所提......
中芯国际集成电路制造有限公司于3月9日宣布,其0.11微米后段铜制程(Cu-BEoL)超高密度IP库解决方案可为客户平均节省31%芯片面积。......
Intel CTOJustinRattner近日对外披露说,Intel 14 nm工艺的研发正在按计划顺利进行,会在一到两年内投入量产。2013年底,Intel将完......
2012年4月25日,Soitec(Euronext),领先全球的电子和能源行业半导体材料生产商Soitec,发布了其专为开发平面和三维晶体管(FinFET)而......
高速I/O(HSIO)和串行链路数据速率一直在增长,平均每两到三年就会翻倍,以满足网络和计算机系统越来越高的带宽需求。除了带宽增长,......
2015年9月24日,赛迪顾问发布《中国IC28纳米工艺制程发展》白皮书。白皮书指出,随着28纳米工艺技术的成熟,28纳米工艺产品市场需求......
研究了CMOS模拟集成电路的不同版图结构对电路性能的影响规律,探讨了不同版图结构对工艺波动的抑制作用。通过采用90 nm CMOS工艺......
基于商用工艺线生产抗辐射器件具有一定的通用性,需要对商用工艺本征的抗辐射能力进行评估。综述了当前最新绝缘体上硅鳍式场效应......
为了解决在制程变异的影响下,全芯片漏电流很难被验证的难题,提出了基于新的漏电流模型的统计分析算法。建立了一个亚阈值漏电流模......
现如今，随着仿真模拟软件越来越普遍，它在整体铸造工艺链的透明化上起到了极大作用。从制芯、浇注、凝固等工艺节点，通过模拟得到......
“摩尔定律”是集成电路行业所遵循的规律,是指价格不变时,集成电路上可容纳的晶体管数目,每隔18-24个月便会增加一倍,器件性能亦......
中邦办公综合体建筑有两个环境属性:一个属性属于其社会环境属性,它是中邦置业集团的总部办公大楼需要独特的富有冲击力的现代造型......
台积电(TSMC)日前回应了稍早前分析师指称该公司28nm CMOS工艺存在着良率问题的说法。台积电欧洲公司总裁Maria Marced重申她与其......
瑞萨科技(Renesas Technology)日前发布了一种新技术,可极大地改善用于网络和通信设备及类似产品的内容可定址存储器(CAM)的软错误......
台积电、ARM于近日联合宣布,双方已经签订了新的多年合作协议,将共同致力于10 nm FinFET制造工艺的研发,并为ARMv8-A系列处理器进......
当前我国半导体厂商屡屡宣布突破了新的技术桎梏,但实际发展过程中却取法实现市场化,传统半导体厂商亟待进一步改革与创新。为此,......
随着工艺节点的不断降低,存储器的软错误率呈指数趋势上升,容错方案的选择已成为了存储器设计中的重要环节.本文对于错误检纠错码(......
本文主要介绍了大连船舶重工实船执行压载舱涂层性能标准(简称PSPC)开展的一系列研究及实施工作.通过实船实施与研究,重点论述了各......
在集成电路的设计过程中,半导体芯片的工艺流程需要将晶体管体积逐步缩小,来为集成度越来越高的半导体制造工艺服务.特别是在电路......
在65nm和更小的工艺节点下,物理时序效应越来越明显,然而在设计的逻辑和物理视角之间仍然存在差距。在传统的设计流程中,逻辑设计......
摘要：本文介绍了2012年我国IC设计业的产业状况和特点，并分析了当前世界潮流，提出了应对策略和建议。 关键词：本土IC设计；工艺节点；整......
赛灵思公司(Xilinx+)日前宣布,其16nm UltraScale+TM系列FPGA、3DIC和MPSoC凭借新型存储器、3D-on-3D和多处理SoC(MPSoC)技术,再次......
随着工艺技术向65nm以及更小尺寸的迈进,出现了两类关键的开发问题:待机功耗和开发成本.这两个问题在每一新的工艺节点上都非常突......
传统上,数字逻辑的静态功耗不会很高,然而在非常小的工艺节点上,这种情况发生了变化.随着工艺尺寸的降低,数字逻辑的泄漏电流成为F......
