单晶Si相关论文
单晶Si是重要的半导体材料,由于其较好的耐高温抗辐射等特性被广泛应用于大规模集成电路制造、微电子元器件及太阳能电池等产业,成......
目的通过分子动力学(MD)模拟,获得双金刚石磨粒抛光单晶Si的去除机理。方法采用一种新的单晶硅三体磨粒抛光方法,测试双磨粒的抛光......
室温下使用MeV能量级Si,F和O离子对5keV B离子预注入后的n-型单晶Si(100)进行了辐照,应用二次离子质谱仪测试分析了掺杂物B原子的......
该文以分子动力学模拟为研究手段,对单晶Si的磨削过程进行仿真实验,并对仿真结果进行分析.该文首先介绍了分子动力学模拟的基本概......
该工作使用兰州重离子加速器(HIRFL)提供的112MeV和750MeV Ar离子分别在低于50K的温度和室温下辐照了取向、厚度约为320μm的单晶S......
回顾了低能离子注入单晶 Si经由核弹性碰撞引起的损伤特征及其常规的研究方法 ,介绍了快重离子辐照单晶 Si经由电子能损引起的损伤......
室温下使用1.55 MeV、5×1013-5×1016/cm2注量的3He离子注入单晶Si,采用透射电子显微镜(TEM)观测分析了高温退火后单晶Si中由注入......
期刊
室温下使用MeV能量级Si,F和O离子对5keV B离子预注入后的n-型单晶Si(100)进行了辐照,应用二次离子质谱仪测试分析了掺杂物B原子的......
40、160和1550 keV能量的He离子在室温下注入单晶Si样品到相同的剂量5×1016 ions/cm2,采用透射电子显微镜(TEM)研究了800℃退火1h......
通过脉冲激光沉积，于Si(001)单晶衬底上在550℃的衬底温度下生长了LaNiO3／Pb(Zr0．52Ti0．48)O3／LaNiO3/SrtiO3/TiN/Si异质结构。利用四圆......
室温下使用1.55 MeV、5×1013-5×1016/cm2注量的3He离子注入单晶Si,采用透射电子显微镜(TEM)观测分析了高温退火后单晶Si......
室温下使用40 keV He离子注入单晶Si样品到剂量5×10^16 cm^-2,分别采用透射电子显微镜（TEM）、热解吸谱仪（THDS）、光致发光谱仪（PL）......
H和He离子联合注入单晶si可以促使其表面产生发泡、剥落和层离等表面损伤，由此引发了一种有效地制备SOI材料的新方法，即智能剥离技术......
室温下将40 ke V的H离子以不同剂量注入到单晶Si样品中,部分H预注入的样品又进行了190 ke V O离子注入。采用光学显微镜和透射电子......
本文利用UMT-2M微摩擦试验机,采用线性加载条件下的刻划方式考察了单晶硅表面的微摩擦性能,并采用扫描电子显微镜对其机理进行分析......
５７Ｆｅ、１２Ｃ离子先后注入ＳｉＯ２，由内转换电子穆斯堡尔谱观察注入离子的退火动力学过程，发现经６５０℃火后生成了Ｆｅ３Ｃ的纳米颗粒，由透射电子显微镜观察到该颗粒......
沿Si的（100）面注入He离子，能量为30keV、剂量为5×10^15ions／cm^2。注入后样品切成几块，在真空炉中分别做退火处理，退火温度从600℃......
由于电火花线切割放电过程很难通过理论分析得到有效的切割机理数学模型。引入中心复合实验设计（Central composite design，CCD）实验......
采用1064 nm纳秒脉冲激光辐照单晶Si、单结G As太阳能电池,针对不同强度激光辐照太阳能电池的损伤特性进行了实验研究,得出激光光......
40、160和1550 keV能量的He离子在室温下注入单晶Si样品到相同的剂量5×1016 ions/cm2,采用透射电子显微镜(TEM)研究了800℃退......
采用Box-Behnken Design（BBD）设计实验,研究高速线锯切割过程中线锯速度、进给速度和工件转速三个工艺参数对单晶Si切割力的影响,通......
该传感器系以低阻单晶 Si 为衬底(兼下电极)、透水 Au 膜为上电极、多孔 Al_2O_3为介质的 MOS 电容结构。外界气相中的水分子透过......
太阳电池单晶Si片表面制绒已是一项成熟的工艺,但普遍制绒时间较长。为提高制绒效率,本课题研究了较短时间内NaOH/异丙醇(IPA)体系......
